6. Строение реальным метал.Лов. Классификация дефектов кр.

Строение реальных кристаллов отличается от идеальных. В реальных кристаллах всегда содержатся дефекты, которые подразделяются на точечные, лин., поверхностные и объемные. Размеры точечного близки к межатомному расстоянию. У лин. Длина больше. Остальн. Соответсвенно. Дефекты сохраняют подвижност, способны перемещаться в КР и при сближении взамодействовать. В большинстве случаев подвижность дефектов контролируется дифф.. Передвижение дислокаций под действием напряжений не связано с массопереносам, дислокации подвижны и при низких t, когда дифф. ужене играет роли.

7. Точечные дефекты кристаллов, их влияние на св-ва кристаллов.

К точечным дефектам относятся вакансии, межузельные атомы основного в-ва, чужеродные атомы внедрения. Вакансией наз. пустой узел КР, а межузельным атомом – атом, перемещенный из узла в позицию между узлами. Вакансии и межузельные атомы появляются при любой tвыше абс. 0. из-за тепловых колебаний атомов. Избыток вакансий сверх рановесной концентрации уничтожается на свободных поверхностях кристалла, порах, гранях зерен и других дефектах Р. Вакансии ускоряют все процессы, связанные с перемещением атомов (дифф., спекание порошков и т.д.). В технически чистых Ме точечные дефекты повышают электросопротивление, а на механические св-ва почти не влияют. Лишь при больших концетрациях дефектов в облуч. Ме понижается пластичность и заметно изменяются другие св-ва.

8. Лин. Дефекты кристаллов, их влияние на св-ва кристаллов.

Важнейшие виды лин. несовершенств – краевые и винтовые дислокации. Краевая дислокация в сечении представляет собой край «лишней» полуплоскости в Р. Вокруг дислокаций Р упруго искажена. Мерой искажения служит так наз-ый вектор Бюргенса, он нужен для замыкания контура. У краевой дислокации он равен межатомному расстоянию и перпендикулярен дислокационной линии, у винтовой дислокации – параллелен ей. Дислокации возник.ают при кристаллизации, плотность их большая, поэтому они значительно влияют на св-ва матов, также они участвуют в фазовых превращениях. Вдоль дислокаций скорость дифф. на несколько порядков выше, чем сквозь КР без дефектов, также они служат местом концентрации примесных атомов, в особенности примесей внедрения, так как это уменьшает искажения Р. Примесные атомы образуют вокруг дислокации зону повыш. концентрации – так наз-ую атмосфера Коттрела, которая мешает движению дислокаций и упрочняет Ме. Особенно велико влияние дислокаций на такие св-ва как – прочность, текучесть.

9. Поверхностные дефекты кристаллов, их влияние на св-ва кристаллов.

Наиболее важными поверхностными дефектами являются большеугловые и малоугловые границы, дефекты упаковки, границы двойников. Границы между зернами наз. большеугловыми, так как соответств.енные кристаллографические направл. в соседних зернах образуют углы в десятки градусов. Угол взаимной разориентации между соседними субзернами невелик (не более 5 гр.), поэтому такие границы наз. малоугловыми. Дефект упаковки представляет собой часть атомной плоскости, ограниченную дислокациями, в пределах которой нарушен нормальный порядок чередования атомных слоев. Поверхностные дефекты влияют на механические и физические св-ва матов. Чем мельче зерно, тем выше предел текучести, вязкость и меньше опасность хрупкого разрушения. Аналогично, но более слабо влияет на механические св-ва размер субзерен. Вдоль границ зерен и субзёрен быстро протекает дифф. (во много раз быстрее, чем сквозь кристалл), особенно при нагреве. Взаимодействие между дефектами, перемещение их в кристаллах, изменение концетрации дефектов – все это отражается на св-вах и имеет большое практическое знач..