- •Строение атома.
- •Собственный полупроводник.
- •Примесный полупроводник n-типа.
- •Примесный полупроводник p-типа.
- •Германий.
- •Кремний.
- •Арсенид Галия.
- •Кристаллическая решётка.
- •Диффекты кристаллических решёток.
- •Вырожденный и компенсированный полупроводник.
- •Движение зарядов в полупроводниках.
- •Образование “p-n” перехода.
- •История создания "p-n" перехода.
- •Прямое и обратное включение p-n перехода.
- •Вольтамперная характеристика “p-n” перехода (вах).
- •Пробои “p-n” перехода.
- •Температурные и частотные свойства “p-n” перехода.
- •Контакт металл – полупроводник. Омический не выпрямляющий контакт.
- •Гиперпереходы.
- •Полупроводниковые приборы. Классификация и системы обозначений.
- •Выпрямительный диод. Vd.
- •В ах выпрямительного диода.
- •Варикап.
- •Стабилитрон.
- •Т уннельный диод.
- •Диод Ганна.
- •Лавинно-пролётные диоды.
- •Обращённый диод.
- •Транзисторы. Vt.
- •4 Режима работы транзистора.
- •Принцип работы транзистора.
- •Схемы включения транзистора.
- •Статические характеристики транзистора.
- •Транзистор, как активный четырёхполюсник.
- •Частотные свойства транзистора.
- •Температурные свойства транзисторов.
- •Динамический режим работы транзистора.
- •Составной транзистор.
- •Высоковольтные транзисторы.
- •Мощные транзисторы.
- •Собственные шумы транзистора.
- •Эксплуатационные параметры транзистора.
- •П олевые транзисторы.
- •Полевой транзистор с "p-n" переходом.
- •Полевой транзистор с изолированным затвором.
- •Характеристики полевых транзисторов.
- •Основные параметры полевых транзисторв.
- •Однопереходные транзисторы.
- •Тиристоры.
- •Семисторы.
- •Оптоэлектронные приборы.
- •Светоизлучающие диоды (светодиоды).
- •Фотоприёмник.
- •Фоторезистор.
- •Фотодиод.
- •Фототранзистор.
- •Фототиристоры.
- •Оптрон (vu).
- •Резисторный оптрон.
- •Диодный оптрон.
- •Транзисторные оптопары.
- •Тиристорные оптопары.
- •Оптоэлектронные интегральные микросхемы.
- •Когерентная оптоэлектроника. Принцип работы лазера.
- •Свойства лазерного излучения.
- •Основные типы лазеров.
- •Области применения лазера.
- •Микроэлектронника. Виды интегральных схем.
- •Технологические процессы изготовления мсх.
- •Виды изоляции элементов.
- •Полупроводниковые интегральные схемы.
- •Интегральный “n-p-n” транзистор.
- •Разновидности “n-p-n” транзистора.
- •Интегральный “p-n-p” транзистор.
- •Интегральные диоды.
- •Электровакуумные приборы.
- •Виды электронной эмиссии.
- •Вакуумный диод.
- •Усилитель нч на триоде.
- •Паразитные ёмкости триода.
- •Тетрод и пентод.
- •Осцилографическая трубка.
- •И ндикаторные трубки.
- •Кинескоп.
- •Получение цветного изображения.
Выпрямительный диод. Vd.
В ыпрямительные диоды изготавливаются на основе Кремния и Германия, основным способом изготовления является сплавной и диффузионный. Несколько однотипных выпрямительных диодах соединённых между собой последовательно, называются выпрямительными столбами или блоками. Работа выпрямительного диода основана на свойстве односторонней проводимости "p-n" перехода. Простейшая односторонняя схема включения выпрямительного диода:
Д анная схема работает следующим образом: при подаче положительной полуволны в первичную обмотку трансформатора, во вторичную наводится ЭДС, таким образом, что верхний конец вторичный обмотки трансформатора будет более положителен, чем нижний и тогда во вторичной обмотке потечёт ток по следующей цепи: верхний конец вторичной обмотки трансформатора, диод VD, сопротивление нагрузки, нижний конец вторичной обмотки трансформатора. При протекании тока, на сопротивлении нагрузки создаётся падение напряжения Urн=Iпрямое Rн. При протекании отрицательной полуволны переменного напряжения в первичную обмотку трансформатора, во вторичной наводится ЭДС, таким образом, что нижний конец вторичной обмотки трансформатора будет более положителен, чем верхний, но ток в цепи не потечёт, т.к. диод VD заперт. Форма выходного сигнала:
Эта схема практического применения не имеет. Двуполупериодная схема выпрямления с нагрузкой, включённой в среднюю точку вторичной обмотки трансформатора имеет следующий вид:
П ри подаче в первичную обмотку положительной полуволны переменного напряжения, во вторичной обмотке наводится ЭДС, таким образом, что верхний конец вторичный обмотки трансформатора будет более положителен, чем нижний. И тогда потечёт ток по следующей цепи: верхний конец вторичной обмотки трансформатора, диод VD1, сопротивление нагрузки, т.к. диод VD2 заперт, средняя точка. При протекании тока, на сопротивлении нагрузки создаётся падение напряжения Urн=Iпрямое Rн. При подаче отрицательной полуволны (+внизу, - наверху) во вторичной обмотке наводится ЭДС, таким образом, что нижний конец вторичный обмотки трансформатора будет более положителен, чем верхний и тогда ток потечёт по следующей цепи: нижний конец вторичной обмотки трансформатора, диод VD2, сопротивление нагрузки, т.к. диод VD1 заперт, средняя точка. При протекании тока, на сопротивлении нагрузки так же создаётся падение напряжения Urн=Iпрямое Rн. Форма выходного сигналы будет иметь следующий вид:
П рямой ток - это среднее значение тока за период. Мостовая схема выпрямления имеет след вид:
П ри подаче положительной полуволны ток течёт по следующей цепи: +, диод VD1, т. к VD4 заперт, сопротивление нагрузки, т.к. VD2 заперт, VD3, - . При подаче отрицательной полуволны, ток потечёт по следующей цепи: +, диод VD2 т.к. VD3 заперт, сопротивление нагрузки, т.к. VD1 заперт, VD4, -. При протекании тока, на сопротивлении нагрузки создаётся падение напряжения Urн=Iпрямое Rн. Форма выходного сигнала:
В ах выпрямительного диода.
ВАХ выпрямительного диода представляет собой зависимость тока от напряжения.
При сравнении германиевых и кремниевых диодов, можно отметить, что обратные токи у кремниевых диодов гораздо меньше, чем у германиевых. Обратные (допустимые) напряжения кремниевых диодов до 1500В. У германиевых до 400В. Кремниевые диоды работают при температуре от -600С до +1500С, а германиевые от -600С до +850С. Это объясняется тем, что при температуре больше +850С, увеличивается собственная проводимость Германия, которая приводит к резкому возрастанию обратного тока, что в диодах недопустимо, но у германиевых диодов сопротивление в прямом направлении в 1,5-2 раза меньше, чем у кремниевых, что соответствует меньшей мощности рассеивания в прямом направлении. (т.к. тратиться мощность на нагрев). В связи с этим, выпрямительные устройства низких напряжений изготавливаливают из Германия. Основные параметры выпрямительных диодов: 1)Средний и прямой ток, максимально допустимый средний и прямой ток, 2)Постоянное прямое падение напряжения, 3)Постоянное обратное напряжение, 4)Максимально допустимое обратное напряжение (превышение которого не допустимо), 5)Постоянный обратный ток.