- •Строение атома.
- •Собственный полупроводник.
- •Примесный полупроводник n-типа.
- •Примесный полупроводник p-типа.
- •Германий.
- •Кремний.
- •Арсенид Галия.
- •Кристаллическая решётка.
- •Диффекты кристаллических решёток.
- •Вырожденный и компенсированный полупроводник.
- •Движение зарядов в полупроводниках.
- •Образование “p-n” перехода.
- •История создания "p-n" перехода.
- •Прямое и обратное включение p-n перехода.
- •Вольтамперная характеристика “p-n” перехода (вах).
- •Пробои “p-n” перехода.
- •Температурные и частотные свойства “p-n” перехода.
- •Контакт металл – полупроводник. Омический не выпрямляющий контакт.
- •Гиперпереходы.
- •Полупроводниковые приборы. Классификация и системы обозначений.
- •Выпрямительный диод. Vd.
- •В ах выпрямительного диода.
- •Варикап.
- •Стабилитрон.
- •Т уннельный диод.
- •Диод Ганна.
- •Лавинно-пролётные диоды.
- •Обращённый диод.
- •Транзисторы. Vt.
- •4 Режима работы транзистора.
- •Принцип работы транзистора.
- •Схемы включения транзистора.
- •Статические характеристики транзистора.
- •Транзистор, как активный четырёхполюсник.
- •Частотные свойства транзистора.
- •Температурные свойства транзисторов.
- •Динамический режим работы транзистора.
- •Составной транзистор.
- •Высоковольтные транзисторы.
- •Мощные транзисторы.
- •Собственные шумы транзистора.
- •Эксплуатационные параметры транзистора.
- •П олевые транзисторы.
- •Полевой транзистор с "p-n" переходом.
- •Полевой транзистор с изолированным затвором.
- •Характеристики полевых транзисторов.
- •Основные параметры полевых транзисторв.
- •Однопереходные транзисторы.
- •Тиристоры.
- •Семисторы.
- •Оптоэлектронные приборы.
- •Светоизлучающие диоды (светодиоды).
- •Фотоприёмник.
- •Фоторезистор.
- •Фотодиод.
- •Фототранзистор.
- •Фототиристоры.
- •Оптрон (vu).
- •Резисторный оптрон.
- •Диодный оптрон.
- •Транзисторные оптопары.
- •Тиристорные оптопары.
- •Оптоэлектронные интегральные микросхемы.
- •Когерентная оптоэлектроника. Принцип работы лазера.
- •Свойства лазерного излучения.
- •Основные типы лазеров.
- •Области применения лазера.
- •Микроэлектронника. Виды интегральных схем.
- •Технологические процессы изготовления мсх.
- •Виды изоляции элементов.
- •Полупроводниковые интегральные схемы.
- •Интегральный “n-p-n” транзистор.
- •Разновидности “n-p-n” транзистора.
- •Интегральный “p-n-p” транзистор.
- •Интегральные диоды.
- •Электровакуумные приборы.
- •Виды электронной эмиссии.
- •Вакуумный диод.
- •Усилитель нч на триоде.
- •Паразитные ёмкости триода.
- •Тетрод и пентод.
- •Осцилографическая трубка.
- •И ндикаторные трубки.
- •Кинескоп.
- •Получение цветного изображения.
Интегральный “p-n-p” транзистор.
Э тот транзистор также широко применяется несмотря на то, что существенно уступает транзистору “n-p-n” по коофициенту усиления и предельной частоте. Также и техпроцесс изготовления этого транзистора несколько сложнее. Предельная частота таких транзисторов не превышает 40МГц, а коофициент усиления не превышает 50. Из данной конструкции транзистора очень легко изготовить многоколлекторный транзистор, для этого коллектор разделяют на несколько частей, от которых делаются самостоятельные выводы.
Интегральные диоды.
В качестве интегральных диодов используется 1 из переходов интегрального транзистора. Существует 5 вариантов включения интегральных диодов: БЭ-К, Б-Э,
Б-ЭК, Б-К, БК-Э. Из 5 схем включения чаще всего используются схемы диодов с эммитерным переходом БЭ-К и Б-Э, т.к. параметры этих диодов значительно хуже остальных схем. Помимо этих элементов самостоятельно могут изготавливатся полупроводниковые – резисторы, конденсаторы, все виды диодов и транзисторы.
Электровакуумные приборы.
Эти приборы предназначены для различного рода электрических преобразований. Классифицируются по 2 направлениям: 1)По количеству электродов, 2)По мощности. 1) По количеству электродов различают: двухэлектродные лампы - диоды (анод (А), катод (К).), трёхэлектродные лампы – триоды (А,К, сетка (С).), четырёхэлектродные лампы – тетроды (А,К,С,С), пятиэлектродные лампы – пентоды (А,К,С,С,С), шестиэлектродные лампы – гексоды (А,К,С,С,С,С), семиэлектродные лампы – гептоды (А,К,С,С,С,С,С), восьмиэлектродные лампы – октоды (А,К,С,С,С,С,С,С). Также существуют и комбинированные лампы, когда внутри стеклянного балона располагается две и более однотипные или разные лампы. Основными типами комбинированных ламп являются: двойные диоды, двойные триоды, диод-триод, диод-пентод, триод-гесод, триод-гептод. 2) По мощности лампы бывают маломощные (приёмоусилительные), средней мощности, большой мощности. В приёмоусилительных лампах, мощность выделяемая на аноде на превышает 15Вт, в лампах средней мощности до 1 КВт, в мощных десятки КВт. Лампы средней и большой мощности называют генераторными. Условные обозначения ламп: 1)Цифра, указывающая округлённое значение напряжения накала, 2)Буква: А-частотопреобразовательные лампы, Б-диод-пентод, В-лампы со вторичной эммисией, Г-диод-триод, Д-диод, Е-электросветовые индикаторы, Ж-пентод с короткой характеристикой, И-триод-гепсод,триод-гептод, К-пентод с удлинённой характеристикой, Н-двойной триод, П-выходные пентоды и лучевые тетроды, Р-двойные тетроды и пентоды, С-триод, Ф-триод-пентод, Х-двойное диод, Ц-кенотрон, Э-тетрод.3)Цифра, указывающая порядковый номер лампы, 4)Буква, характеризующая конструктивное оформление лампы: А-сверхминиатюрная в стеклянном балоне диаметром от 4 до 6 мм, Б-от 6 до 10,5мм, Г-более 10,5мм, Д-в металлостеклянном корпусе с дисковыми выводами, К-в керамической оболочке, Н-миниатюрные и сверхминиатюрные в металлостеклянной оболочке, П-миниатюрные (пальчиковые) в стеклянном балоне диаметром 19мм или 22,5мм, Р-сверхминиатюрные, диаметром до 4мм, С-в стеклянном балоне диаметром свыше 22,5мм. Лампы в меттелической оболочке четвёртого элемента не имеют, 5)Добавочный элемент. Буква, характеризующая лампы с повышенной надёжностью: В-лампы с повышенной надёжностью и механической прчностью, Д-осободолговечные лампы (10000 часов и более), Е- с повышенной долговечностью (5000 часов и более), И-лампы, предназначенные для работы в импульсном режиме, К-лампы с повышенной виброустойчивостью. #6С21Д – напряжение накала 6,3В, триод, порядковый номер 21, в металлостеклянной оболочке с дисковыми выводами. Генераторные и модуляторные лампы. 1)Буквы: ГК – генераторные лампы с предельной частотой регулирования до 30МГц, ГУ-от 30 до 300МГц, ГС-свыше 300МГц, ГИ-импульсные генераторные лампы, ГМ-модуляторные лампы, работающие в непрерывном режиме, ГМИ-в импульсном режиме, 2)Порядковый номер типа прибора, 3)Буква, обозначающая вид принудительного охлаждения: А-водяное, Б-воздушное.