Полевой транзистор с "p-n" переходом.

К аналом называется тонкий слой полупроводника p или n типа, ограниченный с двух сторон электронно-дырочными переходами. Величина тока в канале определяется значением напряжения истока, сопротивлением канала и нагрузки, а так же значением площади поперечного сечения токоведущего канала. На затвор канала подаётся отрицательное напряжение, с помощью которого изменяется сечение токопроводящего канала, а следовательно и количество носителей протекающих через канал, этим достигается регулировка тока в канале. При подаче на вход переменного сигнал,ток в канале будет изменятся по закону входного сигнала и при соответствующем подборе сопротивления нагрузки и тока в канале, выходной сигнал можно сделать во много раз большим, чем входной, т.е. усилить.

Полевой транзистор с изолированным затвором.

Д анная конструкция представляет собой МДП транзистор со встроенным каналом. Основание этого тарнзистора является подложка, которая представляет собой монокристаллический кремний. Сток и исток – это участки кремния, сильно легированные примесью n типа. Расстояние между стоком и истоком 1мкМ. На этом участке расположен канал, который представляет собой узкую, слаболегированную пластинку кремния n типа. Затвор – это узкая металлическая пластинка, которая изолирована от канала диэлектриком, толщина которого 0,1мкМ. В качестве материала диэлектрика используют двуокись кремния, выращенная при высоких температурах. Данный транзистор работает в 2 режимах: обогащения и обеднения. Канал сожет обогащаться или обелняться носителями заряда в зависимости от подаваемого напряжения на затвор. При подаче положительного напряжения на затвор, относительно истока, электроны втягиваются в канал из подложки. Ток в канале увеличивается, это режим обогащения. При подаче отрицательного напряжения на затвор, электроны выталкиваются из канала в подложку и ток в канале уменьшиться, это режим обеднения. У МДП транзисторов с индуцированным каналом на затвор может подаваться напряжение обоих полярностей, но особенностью этих транзисторов является то, что при напряжении между стоком и затвором равным 0, канал отсутствует. Подложка этого транзистора представляет собой слаболегированную пластинку кремния n типа, а сток и исток высоколегированные области p типа. При подаче отрицательного напряжения на затвор, поверхностный слой полупроводника, находящийся под затвором, окажется обогащён дырками, концентрация которых будет превышать концентрацию электронов. И поэтому поверхностный слой полупроводника изменяет свою проводимость с электронной на дырочную. Чем больше отрицательное напряжение подаётся на затвор, тем больше канал будет обогащён дырками, тем выше будет проводимость индуцированного канала. При подаче положительного напряжения на затвор поверхностный слой под затвором будет обогащаться электронами, но проводимости между истоком и стоком не будет, т.е. канал проводимости отсутствует, таким образом транзистор с индуцированным каналом работает только в режиме обогащения.