- •Строение атома.
- •Собственный полупроводник.
- •Примесный полупроводник n-типа.
- •Примесный полупроводник p-типа.
- •Германий.
- •Кремний.
- •Арсенид Галия.
- •Кристаллическая решётка.
- •Диффекты кристаллических решёток.
- •Вырожденный и компенсированный полупроводник.
- •Движение зарядов в полупроводниках.
- •Образование “p-n” перехода.
- •История создания "p-n" перехода.
- •Прямое и обратное включение p-n перехода.
- •Вольтамперная характеристика “p-n” перехода (вах).
- •Пробои “p-n” перехода.
- •Температурные и частотные свойства “p-n” перехода.
- •Контакт металл – полупроводник. Омический не выпрямляющий контакт.
- •Гиперпереходы.
- •Полупроводниковые приборы. Классификация и системы обозначений.
- •Выпрямительный диод. Vd.
- •В ах выпрямительного диода.
- •Варикап.
- •Стабилитрон.
- •Т уннельный диод.
- •Диод Ганна.
- •Лавинно-пролётные диоды.
- •Обращённый диод.
- •Транзисторы. Vt.
- •4 Режима работы транзистора.
- •Принцип работы транзистора.
- •Схемы включения транзистора.
- •Статические характеристики транзистора.
- •Транзистор, как активный четырёхполюсник.
- •Частотные свойства транзистора.
- •Температурные свойства транзисторов.
- •Динамический режим работы транзистора.
- •Составной транзистор.
- •Высоковольтные транзисторы.
- •Мощные транзисторы.
- •Собственные шумы транзистора.
- •Эксплуатационные параметры транзистора.
- •П олевые транзисторы.
- •Полевой транзистор с "p-n" переходом.
- •Полевой транзистор с изолированным затвором.
- •Характеристики полевых транзисторов.
- •Основные параметры полевых транзисторв.
- •Однопереходные транзисторы.
- •Тиристоры.
- •Семисторы.
- •Оптоэлектронные приборы.
- •Светоизлучающие диоды (светодиоды).
- •Фотоприёмник.
- •Фоторезистор.
- •Фотодиод.
- •Фототранзистор.
- •Фототиристоры.
- •Оптрон (vu).
- •Резисторный оптрон.
- •Диодный оптрон.
- •Транзисторные оптопары.
- •Тиристорные оптопары.
- •Оптоэлектронные интегральные микросхемы.
- •Когерентная оптоэлектроника. Принцип работы лазера.
- •Свойства лазерного излучения.
- •Основные типы лазеров.
- •Области применения лазера.
- •Микроэлектронника. Виды интегральных схем.
- •Технологические процессы изготовления мсх.
- •Виды изоляции элементов.
- •Полупроводниковые интегральные схемы.
- •Интегральный “n-p-n” транзистор.
- •Разновидности “n-p-n” транзистора.
- •Интегральный “p-n-p” транзистор.
- •Интегральные диоды.
- •Электровакуумные приборы.
- •Виды электронной эмиссии.
- •Вакуумный диод.
- •Усилитель нч на триоде.
- •Паразитные ёмкости триода.
- •Тетрод и пентод.
- •Осцилографическая трубка.
- •И ндикаторные трубки.
- •Кинескоп.
- •Получение цветного изображения.
Полупроводниковые интегральные схемы.
Это микроэлектронные изделия, элементы которых выполняются в объёме или на поверхности полупроводника. Изготоаляются полупроводниковые МСХ по планарной технологии, все элементы, т.е. резисторы, транзисторы, диоды, ёмкости, индуктивности формируются в 1 технологическом цикле, в тонком поверхностном слое полупроводниковой пластины, которая называется подложкой. Диаметр подложки составляет 40-150мм. Толщина подложки 0,2-0,4мм, на подложке диаметром 75мм изготавливается до 1000 МСХ, после чего подложку разрезают алмазным резцом на прямоугольные пластины, которые представляют собой отдельные кристаллы МСХ. Кристаллы МСХ крепятся к основанию корпуса, затем выполняются все необходимые электрические соединения, после чего МСХ герметизируется. Различают следующие виды полупроводниковых МСХ: 1)Планарно-диффузионные (однокристальные) на биполярных структурах. Они имеют элементы, которые представляют собой области с различным типом проводимости. Изоляция элементов осуществляется с помощью обратносмещённого "p-n" перехода, дибо диэлектриком (Двуокисью кремния SiO2), также с помощью разделительной диффузии и изопланарный метод изоляции. 2)Совмещённые. Основанием этих МСХ является подложка, с пассивными элементами, на которой располагаются активные, 3)На МДП структурах. Выполняются на основе полевых транзисторов с изолированным затвором. Этот транзистор используется как пассивные, так и как активный элемент. Это обеспечивает высокую технологичность и степень интеграции. Степень интеграции – это число элементов в 1 объёма. По степени интеграции МСХ делятся на: до 10-1степень, до 100-2степень, до 1000-3степень, до 10000-4степень, до 100000-5 степень, до 1000000-6 степень и т.д, 4)Многокристальные. Представляют собой МСХ с отдельными компанентами, расположенными на подложке и соединённые между собой проводниками. Технология изготовления требует меньшего числа операций т.к. ве компаненты выполняются отдельно, но в массовом производстве это дороже.
Интегральный “n-p-n” транзистор.
О сновой всех полупроводниковых интегральных МСХ является интегральный “n-p-n” транзистор, т.к. его быстродействие в 3 раза выше, чем быстродействие интегрального “p-n-p” транзистора. (т.к. дырка-это место откуда ушёл электрон, т.е. время тратится на уход электрона и образование дырки). Который тоже широко применяются в ИМСХ (ИМС). Конфигурация (топология) может иметь несколько вариантов. Эта топология несемметрична, т.к. ток коллектора подтекает к эммитеру с 1 стороны. Параметры: коофициент усиления базового тока 100-200, предельная частота 500МГц, коллекторная ёмкость 0,3-0,5 пФ, пробивание напряжением участка К-Б 40-50В, пробивание напряжение участка Э-Б 7-8В. Параметры и характеристики интегральных транзисторов аналогичны транзисторам в полупроводниковом исполнении.
Разновидности “n-p-n” транзистора.
М ногоэммитерный транзистор. Эммитеров не менее 5 штук.
К оличество эммитеров в транзисторе обычно составляет 5-8, но можно и больше. Этот транзистор составляет основу класса цифровых интегральных схем, так называемых ТТЛ (транзисторно-транзисторная логика). Многоэммитерные транзисторы можно рассматривать, как совокупность наскольких транзисторов, в которых между собой соединены коллекторы и базы. Такие конструкции позволяют иметь высокие коофициенты усиления и входные и выходные сопротивления, не оказывающие шунтирующее воздействие на сопротивление предыдущих каскадов.
Многоколлекторный транзистор. 1-скрытый высоколегированный слой. Различие многоколлекторного и многоэммитерного транзистора в том, что многоэммитерный транзистор можно рассматривать как многоколлекторный, работающий в инверсном режиме. Этот класс транзисторов составляет основу интегральных цифровых МСХ интегральной логики. Параметры аналогичны полупроводниковым биполярным структурам.