Эксплуатационные параметры транзистора.

Транзистор, как и все полупроводниковые приборы имеют эксплуатационные параметры, которые в свою очередь, имеют предельные значения, превышение которых при эксплуатации транзистора не допускается. 1) Максимально допустимая мощность рассеивания – это бесполезная, ненужная мощность, идущая на нагрев транзистора. При недостаточном отводе тепла в транзисторе может наступить тепловой пробой. Превышение этой мощности может привести к увеличению обратного коллекторного тока. Т.к. его величина в большей степени зависит от температуры. 2) Максимально допустимый коллекторный ток – это ток, ограничивается максимально допустимой рассеиваемой мощностью коллектора. Превышение предельного значения коллекторного тока приводит к тепловому пробою коллекторного перехода и выходу транзистора из строя. 3)Напряжение между коллектором и общим электродом, зависит от схемы включения транзистора. Это напряжение определяется величиной пробивного напряжения коллектора, оно зависит от мощности тока коллектора и температуры окружающей среды. С точки зрения надёжности работы схемы, ток, напряжение, мощность, не рекомендуется использовать свыше 70% от их наибольших допустимых значений. 4)Предельная частота усиления по току fα и fβ. Частота, при которой коофициент усиления по току α или β уменьшается до 0,707 т.е на √2 раз от своего значения на НЧ. Эти переменные параметры являются основными, но так же существуют следующие параметры: максимально допустимый ток базы, максимально допустимый импульсный коллекторный ток, напряжение насыщения коллектор-эммитер, ёмкость коллекторного прехода, максимальная температура работы транзистора.

П олевые транзисторы.

Полевой транзистор – это полупроводниковый прибор, ток в котором сохдаётся основными носителями заряда, под действием продольного электрического поля, а упрвление этим током осуществляется поперечным полем, которое создаётся с помощью управляющего электрода. Управляющий электрод называют затвором, электрод, откуда вылетают носители заряда называют истоком, электрод, куда стекают носители заряда называют стоком, т.е. полевой транзистор работает на эффекте электрического поля, т.е. взаимодействии двух полей. Полевые транзисторы делятся на 1)Полевые транзисторы с "p-n" переходом (канальные), 2)Полевые транзисторы с изолированным затвором (МДП,МОП). МДП-металл-диэлектрик-полупроводник, МОП-маталл-окисел-полупроводник. Полевые транзисторы имеют следующие преимущества перед биполярными: 1) Высокое входное сопротивление. В полевых транзисторах с "p-n" переходом входное сопротивление составляет 10⁶-10⁹Ом. В полевых транзисторах с изолированным затвором 10¹³-10¹⁵Ом. Такие высокие входные сопротивления обусловлены тем, что в полевых транзисторах с "p-n" переходом входное сопротивление определяется сопротивлением запертого "p-n" перехода, а а полевых транзисторах с изолированным затвором входное сопротивление определяется сопротивлением диэлектрика, который отделяет затвор от канала. 2) Малый уровень собственных шумов т.к. отсутствуют шумы рекомбинационного типа потому, что в полевых транзисторах используют только основные носители заряда. 3)Высокая устойчивость к радиационным воздействиям и высокая термоустойчивость. 4)Высокая плотность расположения элементов на печатной плате т.к. габориты полевых транзисторов меньше, чем биполярных.