- •Строение атома.
- •Собственный полупроводник.
- •Примесный полупроводник n-типа.
- •Примесный полупроводник p-типа.
- •Германий.
- •Кремний.
- •Арсенид Галия.
- •Кристаллическая решётка.
- •Диффекты кристаллических решёток.
- •Вырожденный и компенсированный полупроводник.
- •Движение зарядов в полупроводниках.
- •Образование “p-n” перехода.
- •История создания "p-n" перехода.
- •Прямое и обратное включение p-n перехода.
- •Вольтамперная характеристика “p-n” перехода (вах).
- •Пробои “p-n” перехода.
- •Температурные и частотные свойства “p-n” перехода.
- •Контакт металл – полупроводник. Омический не выпрямляющий контакт.
- •Гиперпереходы.
- •Полупроводниковые приборы. Классификация и системы обозначений.
- •Выпрямительный диод. Vd.
- •В ах выпрямительного диода.
- •Варикап.
- •Стабилитрон.
- •Т уннельный диод.
- •Диод Ганна.
- •Лавинно-пролётные диоды.
- •Обращённый диод.
- •Транзисторы. Vt.
- •4 Режима работы транзистора.
- •Принцип работы транзистора.
- •Схемы включения транзистора.
- •Статические характеристики транзистора.
- •Транзистор, как активный четырёхполюсник.
- •Частотные свойства транзистора.
- •Температурные свойства транзисторов.
- •Динамический режим работы транзистора.
- •Составной транзистор.
- •Высоковольтные транзисторы.
- •Мощные транзисторы.
- •Собственные шумы транзистора.
- •Эксплуатационные параметры транзистора.
- •П олевые транзисторы.
- •Полевой транзистор с "p-n" переходом.
- •Полевой транзистор с изолированным затвором.
- •Характеристики полевых транзисторов.
- •Основные параметры полевых транзисторв.
- •Однопереходные транзисторы.
- •Тиристоры.
- •Семисторы.
- •Оптоэлектронные приборы.
- •Светоизлучающие диоды (светодиоды).
- •Фотоприёмник.
- •Фоторезистор.
- •Фотодиод.
- •Фототранзистор.
- •Фототиристоры.
- •Оптрон (vu).
- •Резисторный оптрон.
- •Диодный оптрон.
- •Транзисторные оптопары.
- •Тиристорные оптопары.
- •Оптоэлектронные интегральные микросхемы.
- •Когерентная оптоэлектроника. Принцип работы лазера.
- •Свойства лазерного излучения.
- •Основные типы лазеров.
- •Области применения лазера.
- •Микроэлектронника. Виды интегральных схем.
- •Технологические процессы изготовления мсх.
- •Виды изоляции элементов.
- •Полупроводниковые интегральные схемы.
- •Интегральный “n-p-n” транзистор.
- •Разновидности “n-p-n” транзистора.
- •Интегральный “p-n-p” транзистор.
- •Интегральные диоды.
- •Электровакуумные приборы.
- •Виды электронной эмиссии.
- •Вакуумный диод.
- •Усилитель нч на триоде.
- •Паразитные ёмкости триода.
- •Тетрод и пентод.
- •Осцилографическая трубка.
- •И ндикаторные трубки.
- •Кинескоп.
- •Получение цветного изображения.
Фотоприёмник.
К фотоприёмникам относятся: фото-резистор, диод, тиристор и т.д. Фоторезистор – это полупроводниковй прибор, действие которого основано на использавании фоторезистивного эффекта, который состоит в том, что при воздействии лучистой энергиии т.е. при при поглащении света происходит изменение величины сопротивления. Полупроводниковые фотоэлементы – это полупроводниковые приборы, действие которых основано на использовании фотогальвонического эффекта, т.е. возникновение фото ЭДС в результате поглащения излучения. К этим приборам относят: 1)Фотодиод – полупроводниковый прибор, обратный ток которого зависит от его освещённости, 2)Фототранзистор – это полупроводниковый прибор, с двумя "p-n" переходами, обладающий свойствами усиления при воздействии оптического излучения, 3)Фототиристор – это четырёхслойная структура, которая может управляться световым потоком.
Фоторезистор.
В этом приборе величина сопротивления изменяется под действием светового потока т.к. в результате поглащения солнечной энергии появляются дополнительные пары электрон-дырка и величина тока соответственно изменяется, что приводит к изменению величины сопротивления. Проводимость в фоторезисторе называется фотопроводимостью. Если фоторезистор находится в темноте и в нё мпротекает не большой по величине ток, то этот ток называется темновым. Полная величина тока проводимости равна сумме фототока и темнового тока. Световая характеристика представляет собой зависимость светового тока от светового потока. ВАХ представляет собой зависимость светового тока от напряжения при постоянном световом потоке. Основными параметрами являются: 1)Инегральная чувствительность – это отношение фототока к световому потоку, 2)Спектральная чевствительность – определяется значением фототока при освещенности его 1 светового потока. Фоторезисторы нашли широкое применение в схемах защиты, сортировки изделий по окраске и размерам, кино-фото аппаратуре, оптоэлектронной техники и т.д. Обозначаются буквами ФС за которыми стоят цифры, обозначающие состав материала полупроводника и его конструкторское оформление.
Фотодиод.
Э то полупроводниковый прибор, обратный ток которого в большой степени зависит от освещённости диода. При отсутствии освещённости в фотодиоде протекает маленький по величине темновой ток, который создаётся темновой генеразией носителей заряда. При наличии освещённости помимо темновой генерации возникают новые пары электрон-дырка за счёт светового освещения. При увеличении светового потока, количество пар электрон-дырка увеличивается и следовательно увеличивается ток в диоде. В результате, при воздействии светового потока, между выводами фотодиода возникает разность потенциалов, которая по отношению к "p-n" переходу фотодиода является прямым напряжением. Это напряжение понижает высоту потенциального барьера в "p-n" переходе. В результате, через "p-n" переход во внешнюю цепь потечёт фототок, который прямопропорционален световому потоку. Фотодиод может работать в 2 схемах: с внешним источником питания и без него. Режим работы фотодиода с внешним источником питания называется фотодиодным, а без него режимом генерации фото ЭДС. Ток, протекающий через "p-n" переход I=Iф-I0(ееu\kT-1), где Iф – фототок, I0 – обратный ток неосновных носителей, е – основание натурального логарифма (е ≈ 2,718), е в степени – заряд электрона, к – постоянная Больцмана, Т – темпеатура, u – напряжение. Это уравнение ВАХ фотодиода, которая представляет собой зависимость фототока от напряжения, при Iф=const. Световая характеристика представляет собой зависимость тока диода от светового потока при U=const. Параметры: 1)Интегральная чувствительность – это отношение фототока к световому потоку, 2)Рабочее напряжение приложенное фотодиоду, при котором обеспечиваются наминальные параметры, 3)Темновой ток - это ток, протекающий через фотодиод при отсутствии освещённости.