![](/user_photo/2706_HbeT2.jpg)
- •Строение атома.
- •Собственный полупроводник.
- •Примесный полупроводник n-типа.
- •Примесный полупроводник p-типа.
- •Германий.
- •Кремний.
- •Арсенид Галия.
- •Кристаллическая решётка.
- •Диффекты кристаллических решёток.
- •Вырожденный и компенсированный полупроводник.
- •Движение зарядов в полупроводниках.
- •Образование “p-n” перехода.
- •История создания "p-n" перехода.
- •Прямое и обратное включение p-n перехода.
- •Вольтамперная характеристика “p-n” перехода (вах).
- •Пробои “p-n” перехода.
- •Температурные и частотные свойства “p-n” перехода.
- •Контакт металл – полупроводник. Омический не выпрямляющий контакт.
- •Гиперпереходы.
- •Полупроводниковые приборы. Классификация и системы обозначений.
- •Выпрямительный диод. Vd.
- •В ах выпрямительного диода.
- •Варикап.
- •Стабилитрон.
- •Т уннельный диод.
- •Диод Ганна.
- •Лавинно-пролётные диоды.
- •Обращённый диод.
- •Транзисторы. Vt.
- •4 Режима работы транзистора.
- •Принцип работы транзистора.
- •Схемы включения транзистора.
- •Статические характеристики транзистора.
- •Транзистор, как активный четырёхполюсник.
- •Частотные свойства транзистора.
- •Температурные свойства транзисторов.
- •Динамический режим работы транзистора.
- •Составной транзистор.
- •Высоковольтные транзисторы.
- •Мощные транзисторы.
- •Собственные шумы транзистора.
- •Эксплуатационные параметры транзистора.
- •П олевые транзисторы.
- •Полевой транзистор с "p-n" переходом.
- •Полевой транзистор с изолированным затвором.
- •Характеристики полевых транзисторов.
- •Основные параметры полевых транзисторв.
- •Однопереходные транзисторы.
- •Тиристоры.
- •Семисторы.
- •Оптоэлектронные приборы.
- •Светоизлучающие диоды (светодиоды).
- •Фотоприёмник.
- •Фоторезистор.
- •Фотодиод.
- •Фототранзистор.
- •Фототиристоры.
- •Оптрон (vu).
- •Резисторный оптрон.
- •Диодный оптрон.
- •Транзисторные оптопары.
- •Тиристорные оптопары.
- •Оптоэлектронные интегральные микросхемы.
- •Когерентная оптоэлектроника. Принцип работы лазера.
- •Свойства лазерного излучения.
- •Основные типы лазеров.
- •Области применения лазера.
- •Микроэлектронника. Виды интегральных схем.
- •Технологические процессы изготовления мсх.
- •Виды изоляции элементов.
- •Полупроводниковые интегральные схемы.
- •Интегральный “n-p-n” транзистор.
- •Разновидности “n-p-n” транзистора.
- •Интегральный “p-n-p” транзистор.
- •Интегральные диоды.
- •Электровакуумные приборы.
- •Виды электронной эмиссии.
- •Вакуумный диод.
- •Усилитель нч на триоде.
- •Паразитные ёмкости триода.
- •Тетрод и пентод.
- •Осцилографическая трубка.
- •И ндикаторные трубки.
- •Кинескоп.
- •Получение цветного изображения.
Тиристоры.
Т
иристор-это
полупроводниковый прибор, который имеет
структуру p-n-p-n
или n-p-n-p.
Если от одной из средней области делается
вывод, то данный ти тиристоров называется
тринисторами. На рисунке показаны
динисторы. Тиристоры имеют 3 "p-n"
перехода, крайние области такой структуры
называются эммиторами, а внутренние
области базами. Эммитерные электроды
(анод и катод) являются силовыми
электродами. Крайние "p-n" переходы
называются эммиторными, а внутренние
коллекторными. Если на n-p-n-p
структуру подать напряжение, то эммитерные
переходы будут открыты, т.е. смещены в
прямом направлении, а коллекторный
переход закрыт, т.е. смещён в обратном
направлении, т.е. сопротивление эммитерных
переходов мало, а коллекторных очень
велико. ВАХ: На ВАХ имеются следующие
участки:1-открытое состояние, которое
характеризуется большим током, при
маленьком напряжении, 2-область с
отрицательным сопротивлением, в которой
при уменьшении напряжения ток растёт,
что противоречит закону Ома.3-область
перехода из открытого состояния в
закрытое, 4-закрытое состояние,
характеризуется маленьким током при
большом напряжении, 5-область обратных
токов, 6-область пробоя. Из ВАХ видно,
что тиристоры имеют 2 устойчивых
состояния, открытое (1) и закрытое (4), это
позволяет использовать тиристоры в
переключающих устройствах. Тиристоры
обладают высоким коофициентом усиления
по току т.к. любой тиристор можно
рассматривать как 2 транзистора включённых
по схеме с общим эммитером. Для анализа
работы тиристора, четырёхслойную
структуру целесообразно представить
в виде 2 транзисторов (n-p-n
и p-n-p).
Таким образом, что IбVT2=IкVT1,
т.е. Iб2=Iк1,
Iб1=Iк2.
При увеличении питания источника Е,
основные носители, инжектированные
одним из эммитеров, попадают в базу, где
они являются не основными носителями,
частично рекомбинируют в ней. Не
рекомбинированные носители проходя
через коллекторный переход попадают в
область, в которой они являются основными
носителями и одновременно в базу
сопряжённого транзистора, понижая при
этом высоту потенциального барьера,
улучшая тем самым инжекцию носителей
в сопряжённом транзисторе. Это приводит
к увеличению общего тока тиристора.
β∑=β1β2≈10000
(т.к.β до100). Основные параметры: 1)Напряжение
включения – это основное напряжение,
при котором ток в приборе резко возрастает,
2)Ток включения – это значение тока в
точке напряжения включения, 3)Ток
удержания – основной ток, необходимый
для поддерживания тиристора в открытом
сотстоянии, 4)Время включения – интервал
времени между моментом в начале
отпирающего импульса, который составляет
0,1 его амплитуды и моментом, когда
основное напряжение падает до одной
десятой значения разности напряжений
в закрытом и открытом состоянии тиристора,
5)Время выключения – время в течении
которого основной ток уменьшиться до
0, при переходе тиристора из открытого
состояния в закрытое. Обозначаются
тиристоры буквой Н (неупр.электрод),
буквой У (упр.электрод). Применяются в
усилительных схемах и автогенераторах
релаксационных колебаний.