- •Строение атома.
- •Собственный полупроводник.
- •Примесный полупроводник n-типа.
- •Примесный полупроводник p-типа.
- •Германий.
- •Кремний.
- •Арсенид Галия.
- •Кристаллическая решётка.
- •Диффекты кристаллических решёток.
- •Вырожденный и компенсированный полупроводник.
- •Движение зарядов в полупроводниках.
- •Образование “p-n” перехода.
- •История создания "p-n" перехода.
- •Прямое и обратное включение p-n перехода.
- •Вольтамперная характеристика “p-n” перехода (вах).
- •Пробои “p-n” перехода.
- •Температурные и частотные свойства “p-n” перехода.
- •Контакт металл – полупроводник. Омический не выпрямляющий контакт.
- •Гиперпереходы.
- •Полупроводниковые приборы. Классификация и системы обозначений.
- •Выпрямительный диод. Vd.
- •В ах выпрямительного диода.
- •Варикап.
- •Стабилитрон.
- •Т уннельный диод.
- •Диод Ганна.
- •Лавинно-пролётные диоды.
- •Обращённый диод.
- •Транзисторы. Vt.
- •4 Режима работы транзистора.
- •Принцип работы транзистора.
- •Схемы включения транзистора.
- •Статические характеристики транзистора.
- •Транзистор, как активный четырёхполюсник.
- •Частотные свойства транзистора.
- •Температурные свойства транзисторов.
- •Динамический режим работы транзистора.
- •Составной транзистор.
- •Высоковольтные транзисторы.
- •Мощные транзисторы.
- •Собственные шумы транзистора.
- •Эксплуатационные параметры транзистора.
- •П олевые транзисторы.
- •Полевой транзистор с "p-n" переходом.
- •Полевой транзистор с изолированным затвором.
- •Характеристики полевых транзисторов.
- •Основные параметры полевых транзисторв.
- •Однопереходные транзисторы.
- •Тиристоры.
- •Семисторы.
- •Оптоэлектронные приборы.
- •Светоизлучающие диоды (светодиоды).
- •Фотоприёмник.
- •Фоторезистор.
- •Фотодиод.
- •Фототранзистор.
- •Фототиристоры.
- •Оптрон (vu).
- •Резисторный оптрон.
- •Диодный оптрон.
- •Транзисторные оптопары.
- •Тиристорные оптопары.
- •Оптоэлектронные интегральные микросхемы.
- •Когерентная оптоэлектроника. Принцип работы лазера.
- •Свойства лазерного излучения.
- •Основные типы лазеров.
- •Области применения лазера.
- •Микроэлектронника. Виды интегральных схем.
- •Технологические процессы изготовления мсх.
- •Виды изоляции элементов.
- •Полупроводниковые интегральные схемы.
- •Интегральный “n-p-n” транзистор.
- •Разновидности “n-p-n” транзистора.
- •Интегральный “p-n-p” транзистор.
- •Интегральные диоды.
- •Электровакуумные приборы.
- •Виды электронной эмиссии.
- •Вакуумный диод.
- •Усилитель нч на триоде.
- •Паразитные ёмкости триода.
- •Тетрод и пентод.
- •Осцилографическая трубка.
- •И ндикаторные трубки.
- •Кинескоп.
- •Получение цветного изображения.
Микроэлектронника. Виды интегральных схем.
О сновные этапы миниатюризации и микроминиатюризации в РЭА: 1)Миниатюризация дискретных элементов, 2)Печатный монтаж, 3)Модули и микромодули. Модули и микромодули бывают плоские, где элементы распологаются в 1 лоскости и объёмные, где элементы располагаются по всему объёму. Разновидностью объёмных модулей являются этажерочные модули, в которых элементы располагаются на специальных микроплатах. Элементы на микроплатах могут устанавливаться по 3 вариантам, один из них (цифры-номера выводов): резисторы-1,4; конденсаторы-1,5; транзисторы-2,6,8. 4)Интегральные схемы. Микросхема –это миниатюрное иззделие, имеющая эквивалентную плотность монтажа, не менее 5 элементов в единице объёма, и рассматривающиеся как единое целое. По конструктивно-технологическому признаку микросхемы бывают: 1)Полупроводниковые – это МСХ, элементы которых выполнены в объёме или на поверхности полупроводника, 2)Плёночные МСХ – это МСХ, элементы которых выполнены в виде плёнок. Плёночные МСХ бывают тонко- и толстоплёночые. Тонкоплёночные МСХ – это МСХ, с толщиной плёнки до 1мкМ, свыше – толстоплёночные. В качестве плёночных элементов используют только пассивные элементы: резисторы, конденсаторы, индуктивности. Активные элементы в виде плёнок не изготавливаются, т.к. плёночные транзисторы имеют очень плохие параметры, 3)Гибридные МСХ – это МСХ, у которых активные элементы изготавливаются в виде полупроводниковых МСХ, а пассивные в виде плёнок, 4)Совмещённые МСХ – это МСХ, в которых активные элементы устанавливаются на поверхности пассивных и наоборот, через слой диэлектрика. По функциональному назначению МСХ бывают цифровые и аналоговые. Условные обозначения МСХ состоит из 4 элементов: 1)Цифра, указывающая конструктивно технологическую группу: 1,5,7 – полупроводниковые МСХ, 2,4,6,8 – гибридные, 3 – плёночные, керамические, вакуумные, 2) 2-3 цифры указывающие порядковый номер разработки, присвоенной данной серии; объединённые 1 и 2 элементы обозначают серию МСХ, 3) 2 буквы: 1)Подгруппа, 2)Вид МСХ по функциональному назначению, 4)Порядковый номер разработки по функциональному признаку данной серии. Этот элемент может состоять из одного или нескольких цифр, иногда, в конце условного обозначения, ставятся буквы от А до Я, которые характеризуют технологический разброс параметров. В МСХ широкого применения перед началом серии ставится буква К. Экспортый вариант в условном обозначении имеет буквы Э, перед буквой К, он выпускается с шагом вывода корпуса 2,54мм. МСХ разработанные до 1973г, конструктивно-технологическая группа отделялась от порядкового номера серии, буквенным шифром серии. (#К155ЛА3, после 1973г; К1ЛА553 до 1973г.) Достоинства МСХ: Высокая надёжность, малые габариты, небольшая масса, плотность активных элементов в больших интегральных схемах (БИС) составляет 105-106 элементов\см3, по отношению к аналогичной печатной плате, МСХ увеличивает плотность монтажа в 50-100 раз, в МСХ очень маленькие паразитные ёмкости и индуктивности, что позволяет использовать МСХ до 3ГГц с временем задержки до 0,1нСек = 0,1 10-9Сек, МСХ экономичны, т.к. потребляют мощность не более 200мВт. Основным недостатком МСХ яаляется малая выходная мощность.