- •Строение атома.
- •Собственный полупроводник.
- •Примесный полупроводник n-типа.
- •Примесный полупроводник p-типа.
- •Германий.
- •Кремний.
- •Арсенид Галия.
- •Кристаллическая решётка.
- •Диффекты кристаллических решёток.
- •Вырожденный и компенсированный полупроводник.
- •Движение зарядов в полупроводниках.
- •Образование “p-n” перехода.
- •История создания "p-n" перехода.
- •Прямое и обратное включение p-n перехода.
- •Вольтамперная характеристика “p-n” перехода (вах).
- •Пробои “p-n” перехода.
- •Температурные и частотные свойства “p-n” перехода.
- •Контакт металл – полупроводник. Омический не выпрямляющий контакт.
- •Гиперпереходы.
- •Полупроводниковые приборы. Классификация и системы обозначений.
- •Выпрямительный диод. Vd.
- •В ах выпрямительного диода.
- •Варикап.
- •Стабилитрон.
- •Т уннельный диод.
- •Диод Ганна.
- •Лавинно-пролётные диоды.
- •Обращённый диод.
- •Транзисторы. Vt.
- •4 Режима работы транзистора.
- •Принцип работы транзистора.
- •Схемы включения транзистора.
- •Статические характеристики транзистора.
- •Транзистор, как активный четырёхполюсник.
- •Частотные свойства транзистора.
- •Температурные свойства транзисторов.
- •Динамический режим работы транзистора.
- •Составной транзистор.
- •Высоковольтные транзисторы.
- •Мощные транзисторы.
- •Собственные шумы транзистора.
- •Эксплуатационные параметры транзистора.
- •П олевые транзисторы.
- •Полевой транзистор с "p-n" переходом.
- •Полевой транзистор с изолированным затвором.
- •Характеристики полевых транзисторов.
- •Основные параметры полевых транзисторв.
- •Однопереходные транзисторы.
- •Тиристоры.
- •Семисторы.
- •Оптоэлектронные приборы.
- •Светоизлучающие диоды (светодиоды).
- •Фотоприёмник.
- •Фоторезистор.
- •Фотодиод.
- •Фототранзистор.
- •Фототиристоры.
- •Оптрон (vu).
- •Резисторный оптрон.
- •Диодный оптрон.
- •Транзисторные оптопары.
- •Тиристорные оптопары.
- •Оптоэлектронные интегральные микросхемы.
- •Когерентная оптоэлектроника. Принцип работы лазера.
- •Свойства лазерного излучения.
- •Основные типы лазеров.
- •Области применения лазера.
- •Микроэлектронника. Виды интегральных схем.
- •Технологические процессы изготовления мсх.
- •Виды изоляции элементов.
- •Полупроводниковые интегральные схемы.
- •Интегральный “n-p-n” транзистор.
- •Разновидности “n-p-n” транзистора.
- •Интегральный “p-n-p” транзистор.
- •Интегральные диоды.
- •Электровакуумные приборы.
- •Виды электронной эмиссии.
- •Вакуумный диод.
- •Усилитель нч на триоде.
- •Паразитные ёмкости триода.
- •Тетрод и пентод.
- •Осцилографическая трубка.
- •И ндикаторные трубки.
- •Кинескоп.
- •Получение цветного изображения.
Частотные свойства транзистора.
П ри увиличении частоты, коофициенты усиления схем включения транзистора уменьшаются. Происходит это по следующим причинам: 1) С увеличением частоты уменьшается реактивное сопротивление переходов транзистора. Xc=1\ωc=1\2πfc. ω=2πf. Емкостное сопротивление эммитерного перехода оказывает меньшее влияние на работу транзистора т.к. в активном режиме эммитерный переход открыт. А большее влияние оказывает на сопротивление коллекторного перехода т.к. он заперт, потому, что при увеличении частоты емкостное сопротивление становиться маленьким и оно шунтирует активное большое сопротивление запертого коллекторного перехода. Что в итоге может привести к выходу транзистора из строя. 2) При увеличении частоты появляется сдвиг фаз между переменными составляющими тока коллектора и эммитера. На низкой частоте сдвига фаз не наблюдается и ток базы минимален. На средних частотах появляется угол сдвига фаз между током коллектора и эммитера, что приводит к увеличению тока базы. На высоких частотах угол сдвига фаз становиться большим, что приводит к резкому увеличению тоа базы. А из формул коофициентов усиления токов α=Iк\Iэ, β=Iк\Iб видно, что β уменьшается быстрее, чем α т.к сдвиг фаз между переменными оставляющими тока эмитера и тока коллектора приводит к уменьшению тока коллектора и росту тока базы. Поэтому, схема с ОЭ практически не применяется на ВЧ. Для определения коофициента усиления на любой частоте, пользуются следующими формулами. α=α0\√(1+f\fα), β=β0\√(1+f\fβ), где α0 и β0 – коофициенты усиления на нулевой частоте, fβ и fα – предельныечастоты транзистора. Для расширения частотных возможностей транзистора необходимо увеличить скорость пролёта носителей из эммитера в коллектор и уменьшить толщину базы.
Температурные свойства транзисторов.
Влияние температуры в транзисторах сказывается так же, как и в полупроводниковых диодах. Охлаждение в меньшей степени влияет на параметры транзистора, чем нагрев. Экспириментальным путём было обнаружено, что при увеличении температуры от 20 до 50 градусов по Цельсию, параметры трнзистора изменяются следующим образом: сопротивление коллектора уменьшается в 2 раза, сопротивление базы и эммитера уменьшается на 15-20 процентов. Кроме изменений этих параметров, нагрев вызывает смещение выходных характеристик и изменения угла их наклона, что так же нарушает нормальную работу транзистора. Особенно нагрев влияет на величину обратного тока. Приближённое значение обратного тока при нагреве можно определить по следующей фомуле: Iобрt=I обр нуt e 0,007∆t , где e=2,718. Для практических расчётов считают, что при увеличении температуры на 10 градусов по Цельсию, оьратный ток возрастёт в 2 раза. При повышенных температурах используют кремниевый транзистор, работающий до 150 градусов по Цельсию. А германиевый до 90-150 градусов по Цельсию. Но так же с этой целью в качестве материала используют корбит кремния, позволяющий эксплуатировать транзистор до 600 градусов по Цельсию.