Резисторный оптрон.

В качестве излучателя используется светодиод, сверхминиатюрная лампочка накаливания, дающая видимое или ИК излучение. Приёмником излучения является фоторезистор, который изготавливается из селенида или сульфида кадмия, для видимого излучения, а для ИК излучения из селенида или сульфида свинца. Для хорошей работы резисторного оптрона необходимо согласование излучателя и фоторезистора по спектральным характеристикам. В состав этого оптрона входит фоторезистор и светодиод. Выходная цепь питается от постоянного или переменного напряжения источника. Напряжение управления, подаваемое на светодиод, управляет током в цепи нагрузки. Основные параметры: 1)Максимальные токи и напряжения на входе и выходе, 2)Выходное сопротивление, 3)Темновое сопротивление, измеряемое при темновом токе в несколько мкА, 4)Сопротивление изоляции, 5)Время включения и выключения. ВАХ: R_вых=f(I_вх). Применяются для коммутации больших мощных источников, автоматической регулировки усиления, управления безконтактным делителем напряжения и т.д.

Диодный оптрон.

В этих оптронах обычно используется кремниевый фотодиод и ИК арсенида – галиевый светодиод. Фотодиод может работать в фотогенеративном режиме, создавая фото ЭДС доя 0,5В или в фотодиодном режиме. Изготавливаются по планарной технологии. Для повышения быстродействия в фотодиодах используется “p-i-n” переход. Основные параметры: 1)Входные и выходные токи и напряжения для непрерывного и импульсного режима, 2)Коофициент передачи тока, 3)Время нарастания и спада входного сигнала. Существуют конструкции многоканальных диодных оптронов, когда в 1 корпусе используется несколько оптопар. Применяются # на основе диодных оптронов изготавливаются импульсные трансформаторы, не имеющие обмоток. Разновидностью диодных оптронов, является оптрон, в котором в качестве фотоприёмнка используется фотоварикап.

Транзисторные оптопары.

В качестве излучателя обычно используется арсенидогалиевый светодиод, а в качестве приёмника биполярный, кремниевый фото транзистор, типа “n-p-n”. Основные параметры аналогичны диодным оптронам. Дополнительно указываются максимальные токи, напряжения, мощности, относящиеся к выходной цепи, а так же темновой ток и времы включения и выключения. Оптопары этого типа работают главным образом в ключевых режимах и применяются в коммутаторных схемах, устройствах связи, в качестве различных датчиков и измерительных блоков и т.д. Для увеличения чувствительности в оптопаре используются составной транзистор или диод с транзистором. Наибольшее быстродействие имеют оптопары, где используется сочетание диода и транзистора. Также в качестве приёмника используются однопереходные транзисторы и полевые фототранзисторы.

Тиристорные оптопары.

В качестве приёмника используется фототиристор. Применяются в схемах для формирования мощных импульсов, в схемах управления мощными тиристорами, а так же для коммутации различных устройств обладающих большими мощностями.

Оптоэлектронные интегральные микросхемы.

Имеют оптическую связь между отдельными узлами и компанентами микросхемы. Эти микросхемы изготавливаются на основе транзисторов и кроме излучателя и приёмника содержат устройства для обработки сигналов, полученных от излучателя. Особенностью фотомикросхем является то, что происходит однонаправленная передача сигнала и отсутствие обратной связи.