Фотоприёмник.

К фотоприёмникам относятся: фото-резистор, диод, тиристор и т.д. Фоторезистор – это полупроводниковй прибор, действие которого основано на использавании фоторезистивного эффекта, который состоит в том, что при воздействии лучистой энергиии т.е. при при поглащении света происходит изменение величины сопротивления. Полупроводниковые фотоэлементы – это полупроводниковые приборы, действие которых основано на использовании фотогальвонического эффекта, т.е. возникновение фото ЭДС в результате поглащения излучения. К этим приборам относят: 1)Фотодиод – полупроводниковый прибор, обратный ток которого зависит от его освещённости, 2)Фототранзистор – это полупроводниковый прибор, с двумя "p-n" переходами, обладающий свойствами усиления при воздействии оптического излучения, 3)Фототиристор – это четырёхслойная структура, которая может управляться световым потоком.

Фоторезистор.

В этом приборе величина сопротивления изменяется под действием светового потока т.к. в результате поглащения солнечной энергии появляются дополнительные пары электрон-дырка и величина тока соответственно изменяется, что приводит к изменению величины сопротивления. Проводимость в фоторезисторе называется фотопроводимостью. Если фоторезистор находится в темноте и в нё мпротекает не большой по величине ток, то этот ток называется темновым. Полная величина тока проводимости равна сумме фототока и темнового тока. Световая характеристика представляет собой зависимость светового тока от светового потока. ВАХ представляет собой зависимость светового тока от напряжения при постоянном световом потоке. Основными параметрами являются: 1)Инегральная чувствительность – это отношение фототока к световому потоку, 2)Спектральная чевствительность – определяется значением фототока при освещенности его 1 светового потока. Фоторезисторы нашли широкое применение в схемах защиты, сортировки изделий по окраске и размерам, кино-фото аппаратуре, оптоэлектронной техники и т.д. Обозначаются буквами ФС за которыми стоят цифры, обозначающие состав материала полупроводника и его конструкторское оформление.

Фотодиод.

Э то полупроводниковый прибор, обратный ток которого в большой степени зависит от освещённости диода. При отсутствии освещённости в фотодиоде протекает маленький по величине темновой ток, который создаётся темновой генеразией носителей заряда. При наличии освещённости помимо темновой генерации возникают новые пары электрон-дырка за счёт светового освещения. При увеличении светового потока, количество пар электрон-дырка увеличивается и следовательно увеличивается ток в диоде. В результате, при воздействии светового потока, между выводами фотодиода возникает разность потенциалов, которая по отношению к "p-n" переходу фотодиода является прямым напряжением. Это напряжение понижает высоту потенциального барьера в "p-n" переходе. В результате, через "p-n" переход во внешнюю цепь потечёт фототок, который прямопропорционален световому потоку. Фотодиод может работать в 2 схемах: с внешним источником питания и без него. Режим работы фотодиода с внешним источником питания называется фотодиодным, а без него режимом генерации фото ЭДС. Ток, протекающий через "p-n" переход I=I_ф-I₀(е^еu\kT-1), где I_ф – фототок, I₀ – обратный ток неосновных носителей, е – основание натурального логарифма (е ≈ 2,718), е в степени – заряд электрона, к – постоянная Больцмана, Т – темпеатура, u – напряжение. Это уравнение ВАХ фотодиода, которая представляет собой зависимость фототока от напряжения, при I_ф=const. Световая характеристика представляет собой зависимость тока диода от светового потока при U=const. Параметры: 1)Интегральная чувствительность – это отношение фототока к световому потоку, 2)Рабочее напряжение приложенное фотодиоду, при котором обеспечиваются наминальные параметры, 3)Темновой ток - это ток, протекающий через фотодиод при отсутствии освещённости.