Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
TeorMin4Sem мой.doc
Скачиваний:
19
Добавлен:
21.09.2019
Размер:
1.26 Mб
Скачать
  1. Чем различается заполнение энергетических зон электронами в проводниках, полупроводниках и изоляторах?

http://allphysics.ru/kurs-fiziki/dielektriki-poluprovodniki-i-provodniki

  1. Что такое работа выхода для данного вещества? Покажите ее на энергетической схеме?

Работа выхода, энергия, затрачиваемая на удаление электрона из твёрдого тела или жидкости в вакуум. Переход электрона из вакуума в конденсированную среду сопровождается выделением энергии, равной Р. в.Р ис. 1. Форма кристаллического потенциала U вдоль линии расположения ионов в кристалле и в приповерхностной области кристалла: положения ионов отмечены точками на горизонтальной линии; φ=-U/е – потенциал работы выхода; ЕF – энергия Ферми (отрицательная); ЕC – энергия дна зоны проводимости; WO – термодинамическая работа выхода; Wa – внешняя работа выхода; заштрихованная область условно изображает заполненные электронные состояния

  1. Как распределены электроны по энергиям в зоне проводимости металла?

Распределение электронов по уровням валентной зоны и зоны проводимости описывается функцией Ферми-Дирака <ni>=1/[exp{(Ei-EF)/kT}+1].

  1. Что такое уровень Ферми?

Уровень Ферми или электрохимический потенциал - это энергетический уровень, вероятность нахождения на котором для электрона равна 0.5 при любой температуре вещества. Численно уровень Ферми равен максимальной энергии электронов при температуре абсолютного нуля T = OK.

  1. Как вычислить уровень Ферми для данного вещества?

ΔEg/2-0.75kT*ln(m*p/m*n)

  1. Каким свойствами обладает уровень Ферми в металлах при низкой температуре? Как он зависит от температуры и от концентрации свободных электронов?

В полупроводниках при очень низких температурах уровень Ферми лежит посередине между дном зоны проводимости и потолком валентной зоны.

ΔEg/2-0.75kT*ln(m*p/m*n)

  1. Где находится и как зависит от температуры уровень Ферми в чистых полупроводниках?

Уровень Ферми для чистых полупроводников лежит посередине запрещенной зоны EF=ΔE/2.

в чистом полупроводнике концентрации носителей зарядов зависят от ширины запрещенной зоны и при увеличении температуры возрастают приблизительно по экспоненциальному закону (температурные изменения А играют незначительную роль). Равенство концентраций ni и pi показывает, что такой полупроводник обладает одинаковыми электронной и дырочной электропроводностями и называется полупроводником с собственной электропроводностью.

  1. Где находится и как зависит от температуры уровень Ферми в примесных полупроводниках?

Наличие примесных уровней в полупроводниках существенно изменяет положение уровня Ферми ЕF. Расчеты показывают, что в случае полупроводников n-типа уровень Ферми ЕF0 при 0 К расположен посередине между дном зоны проводимости и донорным уровнем (рис. 321), С повышением температуры все большее число электронов переходит из донорных состояний в зону проводимости, но, помимо этого, возрастает и число тепловых флуктуаций, способных возбуждать электроны из валентной зоны и перебрасывать их через запрещенную зону энергий. Поэтому при высоких температурах уровень Ферми имеет тенденцию смещаться вниз (сплошная кривая) к своему предельному положению в центре запрещенной зоны, характерному для собственного полупроводника.

Уровень Ферми в полупроводниках р-типа при 0 К ЕF0 располагается посередине между потолком валентной зоны и акцепторным уровнем (рис. 322). Сплошная кривая опять-таки показывает его смещение с температурой. При температурах, при которых примесные атомы оказываются полностью истощенными и увеличение концентрации носителей происходит за счет возбуждения собственных носителей, уровень Ферми располагается посередине запрещенной зоны, как в собственном полупроводнике.

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]