41. Почему металлический кристалл имеет относительно большую теплопроводность?

Высокая теплопроводность металлов тоже объясняется наличием свободных электронов в межатомном пространстве - они легко "откликаются" на изменения энергии и способствуют ее быстрому переносу в кристалле.

42. Сформулируйте основные положения теории Дебая теплоемкости кристаллической решетки?

каждый ион действием своего электрического заряда поляризует окружение и образует вокруг себя некоторое преобладание ионов противоположного знака — так называемую ионную атмосферу.

В отсутствие внешнего электрического поля ионная атмосфера имеет сферическую симметрию, и её заряд равен по величине и противоположен по знаку заряду создающего её центрального иона. В этой теории не уделено почти никакого внимания образованию пар противоположно заряженных ионов путём непосредственного взаимодействия между ними

43. Как в теории Дебая вычисляется внутренняя энергия колебаний кристаллической решетки?

Внутренняя энергия пропорциональная четвертой степени температуры

U=aT^4

44. Что такое температура Дебая?

Дебая температура, физическая константа вещества, характеризующая многие свойства твёрдых тел — теплоёмкость, электропроводность, теплопроводность, уширение линий рентгеновских спектров, упругие свойства и т. п. Введена впервые П. Дебаем в его теории теплоёмкости. Д. т. определяется формулой:

QD = hvD /k,

где k — Больцмана постоянная, h — Планка постоянная, vD — максимальная частота колебаний атомов твёрдого тела. Д. т. приближённо указывает температурную границу, ниже которой начинают сказываться квантовые эффекты. При температурах Т>>QD теплоёмкость кристалла, состоящего из атомов одного сорта, при постоянном объёме CV = 6 кал (°С×моль)-1 в соответствии с законом Дюлонга и Пти. При T<<QD теплоёмкость пропорциональна (T/ QD)3 (закон T3 Дебая).

45. Учет ангармонизма колебаний атомов. Тепловое расширение.

http://nuclphys.sinp.msu.ru/solidst/physmet8.htm

46. Какие явления называются контактными?

КОНТАКТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ - неравновесные электронные явления, возникающие при прохождении электрич. тока через контакт полупроводника с металлом или электролитом или через контакт двух различных полупроводников (гетеропереход)либо через границу двух областей одного и того же полупроводника с разным типом носителей заряда (см. р - п-переход)и разной их концентрацией.

Приведение в контакт двух разл. материалов сопровождается перетеканием носителей (для определённости электронов) из одного в другой и образованием контактной разности потенциалов VK. Напряжённость поля контактной разности потенциалов плавно убывает в глубь полупроводника, вызывая приконтактный изгиб краёв энергетич. зон (валентной зоны и зоны проводимости). Направление изгиба и его величина зависят от знака и величины VK, определяемой разностью работ выхода, а также от знака и концентрации локализованных на поверхности раздела зарядов (адсорбированные ионы, заряженные поверхностные дефекты и др., см. ниже).