- •Предисловие
- •1. Расчет концентрационных профилей
- •Введение
- •Механизмы диффузии
- •Уравнения диффузии
- •Диффузия из постоянного источника
- •Часто вместо выражения (1.15) используют
- •Диффузия из слоя конечной толщины (из непостоянного источника)
- •Диффузия из равномерно насыщенного тела
- •Диффузия из “концентрационной ступеньки”
- •1.4. Методы исследования диффузии в полупроводниках
- •1.4.1. Радиоактивные методы
- •1.4.2. Микрозондовые методы
- •1.4.3. Электрические методы
- •1.4.4. Емкостные методы
- •1.5. Последовательность выполнения работы
- •1.5.1. Диффузия из постоянного источника
- •1.5.2. Диффузия из равномерно насыщенного тела
- •1.5.3.Диффузия из слоя конечной толщины
- •1.5.4.Диффузия из «концентрационной ступеньки»
- •2. Расчет основных параметров легированного полупроводника
- •2.1. Закон действующих масс
- •2.2.Уровень Ферми
- •2.4. Последовательность выполнения работы
- •2.4.1. Необходимо определить
- •2.4.2. Пример расчета
- •3. Расчет основных параметров и характеристик p-n-перехода
- •3.1. Эффект поля
- •3.2. Концентрация электронов и дырок в области пространственного заряда
- •3.3. Образование и зонная диаграмма р-n перехода
- •Распределение свободных носителей в p‑n переходе
- •Поле и потенциал в p‑n переходе
- •Вольт‑амперная характеристика р‑n-перехода
- •Емкость p‑n перехода
- •3.8. Последовательность выполнения работы
Диффузия из постоянного источника
Этот случай обычно реализуется в опытах по диффузии примесных атомов из газовой фазы или из нанесенного на поверхность образца толстого слоя, когда на границе образца в течение всего диффузионного отжига поддерживается постоянная концентрация примеси. Начальные и граничные условия
(1.14)
Решением уравнения (1.13) при диффузии из постоянного источника является
(1.15)
где - функция ошибок (error function; встречаются также термины: гауссовский интеграл, интеграл вероятности, функция Крампа).
Часто вместо выражения (1.15) используют
(1.16)
Здесь – дополнительная функция ошибок.
На рис. 1.2 приведена графическая интерпретация уравнений (1.15) и (1.16) в виде зависимости относительной концентрации диффундирующей примеси из постоянного источника от глубины диффузии для трех различных значений времени диффузии .
Рис. 1.2. Зависимость относительной концентрации диффундирующей примеси из постоянного источника от глубины диффузии (t3>(t2>tl)
Функция ошибок обладает свойствами, которые иногда бывает полезно знать при анализе концентрационных профилей примесных атомов:
(1.17)
Функции erf z и erfc z можно представить в виде рядов
(1.18)
(1.19)
а приближенные значения этих функций можно оценить соответственно по формулам:
(1.20)
(1.21)
Диффузия из слоя конечной толщины (из непостоянного источника)
Начальные условия
(1.26)
а решение уравнения (1.13) для диффузии из ограниченного источника определяется выражением
. (1.27)
Рис. 1.3. Зависимость относительной концентрации диффундирующей примеси из непостоянного источника от глубины диффузии (t3>(t2>tl)
На рис. 1.3 приведена графическая интерпретация уравнения (1.27) в виде зависимости относительной концентрации диффундирующей примеси из непостоянного источника от глубины диффузии для трех различных значений времени диффузии .
Диффузия из равномерно насыщенного тела
Такой случай обратной диффузии встречается при испарении атомов из равномерно легированного материала. Начальные и граничные условия и решение уравнения диффузии (1.13) имеют вид
(1.22)
(1.23)
Диффузия из “концентрационной ступеньки”
Пусть в начальный момент концентрация атомов при x<0 постоянна, а при х>0 равна нулю, т.е. N(-х, 0)=N1 и N(x, 0)=0. В этом случае концентрационное распределение атомов описывается выражением
(1.24)
Если в начальный момент времени концентрация при х>0 отлична от нуля и постоянна, N(x, 0)=N2, то концентрационный профиль, возникающий в результате диффузионного перераспределения, подчиняется соотношению
. (1.25)
График этой функции представлен на рис. 1.4.
Рис. 1.4. Концентрационный профиль примеси (штриховая линия), возникающий при диффузии из «концентрационной ступеньки» (сплошная линия).
В начальный момент времени зависимость N(x,0) представляет собой «концентрационную ступеньку» (сплошная линия). С течением времени «ступенька» все более «размывается» (штриховая линия), стремясь выровнять концентрации N1 и N2.