4.3 Порядок выполнения работы

По аналогии с биполярными транзисторами различают три схемы включения полевых транзисторов: с общим затвором (ОЗ), с общим истоком (ОИ) и с общим стоком (ОС).

4.3.1 Схема (ои) для исследования вах полевого транзистора с управляющим p – n переходом

Где: Ug – источник напряжения затвор – исток.

Ucc – напряжение источника питания.

вольтметр Ud для контроля напряжения сток – исток.

Амперметр Id для измерения тока стока.

Выходная ВАХ снимается при фиксированных значениях Ug путем изменения напряжения Ud и измерения тока стока Id. Напряжение Ug, при котором ток Id имеет близкое к нулю значение, называется напряжением отсечки.

Исследование полевого транзистора с управляющим p-n переходом

Измеренные данные занести в таблицу 1

Таблица 1

Uзи = 0 В		Uзи = -0.3 В		Uзи = -0.5 В		Uзи = -1 В
Uис , В	Iс , мА	Uис , В	Iс , мА	Uис , В	Iс , мА	Uис , В	Iс , мА
0.1		0.1		0.1		0.1
0.2		0.2		0.2		0.2
0.3		0.3		0.3		0.3
0.4		0.4		0.4		0.4
0.5		0.5		0.5		0.5
1		1		1		1
3		3		3		3
5		5		5		5
10		10		10		10
20		20		20		20

Построить с использованием данных таблицы 1 семейство стоковых характеристик и стоко-затворную характеристику полевого транзистора с p-n переходом и определить основные параметры.

4.3.2 Схема для исследования вах мдп-транзистора со встроенным каналом

Для исследования семейства выходных ВАХ полевого транзистора в схеме с ОИ используется вышеуказанная схема. Она содержит:

источник напряжения затвор-исток Ug

источник питания Ucc

вольтметр Ud для контроля напряжения сток-исток

амперметр Id для измерения тока стока

Выходная ВАХ снимается при фиксированных значениях Ug путем изменения тока стока Id. Напряжение Ug, при котором ток Id имеет близкое к нулю значение, называется напряжением отсечки.