Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Твердотельн. э-ка,л.р..doc
Скачиваний:
1
Добавлен:
02.05.2019
Размер:
8.25 Mб
Скачать
    1. Задание на лабораторную работу

Марка исследуемого стабилитрона для каждой бригады выдается преподавателем.

2.6 Контрольные вопросы

  1. Сравните относительное изменение напряжения на стабилитроне с относительным изменением питающего напряжения. Оцените степень стабилизации.

  2. Влияет ли значение сопротивления нагрузки на степень стабилизации выходного напряжения стабилизатора?

  3. Как изменяется напряжение стабилитрона , когда ток стабилитрона становится ниже 20 мА?

  4. Как изменяется напряжение на выходе стабилизатора, при уменьшении сопротивления R?

Лабораторная работа №3 «Исследование биполярного транзистора»

3.1 Цель работы

1. Исследование зависимости тока коллектора от тока базы и напряжения база-эмиттер.

2. Анализ зависимости коэффициента усиления по постоянному току от тока коллектора.

3. Исследование работы биполярного транзистора в режиме отсечки.

4. Получение входных и выходных характеристик транзистора.

5. Определение коэффициента передачи по переменному току.

6. Исследование динамического входного сопротивления транзистора.

3.2 Теоретическая часть

Исследуемая схема показана на рис.1 .статический коэффициент передачи тока определяется как отношение тока коллектора Ik к току базы IБ :

Коэффициент передачи тока АС определяется отношением приращения IK коллекторного тока к вызывающему его приращению IБ базового тока:

Дифференциальное входное сопротивление rВХ транзистора в схеме с общим эмиттером (ОЭ) определяется при фиксированном значении напряжения коллектор-эмиттер. Оно может быть найдено как отношение приращения напряжения база-эмиттер к вызванному им приращению IБ тока базы:

Дифференциальное входное сопротивление rВХ транзистора в схеме с ОЭ через параметры транзистора определяется следующим выражением:

,

где rБ – распределенное сопротивление базовой области полупроводника,

rЭ – дифференциальное сопротивление перехода база-эмиттер, определяемое из выражения: rЭ=25/IЭ, где IЭ – постоянный ток эмиттера в миллиамперах.

Первое слагаемое rБ в выражении много меньше второго, поэтому им можно пренебречь:

Дифференциальное сопротивление rЭ перехода база-эмиттер для биполярного транзистора сравнимо с дифференциальным входным сопротивлением rВХОБ транзистора в схеме с общей базой, которое определяется при фиксированном значении напряжения база-коллектор. Оно может быть найдено как отношение приращения UБЭ к вызванному им приращению IЭ тока эмиттера:

.

Через параметры транзистора это сопротивление определяется выражением:

.

Первым слагаемым в выражении можно пренебречь, поэтому можно считать, что дифференциальное сопротивление перехода база-эмиттер приблизительно равно:

.

3.3 Порядок выполнения работы

Приборы и элементы: биполярный транзистор 2N3904, источники постоянной ЭДС, источники переменной ЭДС, амперметры, вольтметры, осциллограф, диод, резисторы.

3.3.1 Определение статического коэффициента передачи тока транзистора

а) Собрать схему изображенную на рис.1. Включить схему. Записать результаты измерения тока коллектора , тока базы и напряжения коллектор-эмиттер.

б) Изменить номинал источника ЭДС ЕБ до 2.68 В. Включить схему. Записать результаты измерения тока коллектора, тока базы и напряжения коллектор-эмиттер. По полученным результатам подсчитать коэффициент DC. Записать ответ.

в) Изменить номинал источника ЭДС ЕК до 5 В. Включить схему. Записать результаты измерения тока коллектора, тока базы и напряжения коллектор- эмиттер. По полученным результатам подсчитать статический коэффициент передачи транзистора DC . Записать ответ. Затем установить номинал ЕК равным 10В.

рис.1

Тут вы можете оставить комментарий к выбранному абзацу или сообщить об ошибке.

Оставленные комментарии видны всем.