Старооскольский технологический институт

(филиал)

Московского государственного института стали и сплавов

(технологического университета)

Уварова Л.В.

Твердотельная электроника

Методические указания к выполнению лабораторных работ на тему:

«Исследование полупроводниковых приборов»

для студентов специальности

200400 – Промышленная электроника

(очная форма обучения)

Одобрено редакционно-издательским советом

Старый Оскол

2003

Рецензенты:

Главный инженер УАМ ОАО «ОЭМК» А.А. Кохтенко,

Зам начальника ЦЭТЛ ОАО «ОЭМК» С.И. Пономарев

Составитель:

Уварова Л.В.

Методические указания к выполнению лабораторных работ на тему: «Исследование полупроводниковых приборов» по курсу «Твердотельная электроника» для студентов специальности 200400 – Промышленная электроника.

© Уварова Л.В.

© СТИ МИСиС

Содержание

Введение 5

Требования по технике безопасности 5

6

Содержание отчета по лабораторным работам 6

Лабораторная работа №1 6

1.1 Цель работы: 6

1.2 Теоретическая часть 6

1.3 Описание работы 12

1.4 Порядок выполнения работы 12

1.4.1 Измерение напряжения и вычисления тока через диод 12

1.4.2 Измерение тока 12

1.4.3 Снятие вольтамперной характеристики диода 12

1.4.4 Получение ВАХ на экране осциллографа 13

1.5 Задание на лабораторную работу 13

1.6 Контрольные вопросы 14

Лабораторная работа №2 14

2.1 Цель работы: 14

2.2 Теоретическое введение 14

2.3 Описание работы: 17

2.4 Порядок выполнения работы: 17

2.4.1 Измерение напряжения и вычисления тока через стабилитрон 17

2.4.2 Получение нагрузочной характеристики параметрического стабилитрона 19

2.4.3 Получение ВАХ стабилитрона на экране осциллографа 19

Таблица 1 19

Таблица 2 19

2.5 Задание на лабораторную работу 20

2.6 Контрольные вопросы 20

Лабораторная работа №3 20

3.1 Цель работы 20

3.2 Теоретическая часть 20

3.3 Порядок выполнения работы 22

3.3.1 Определение статического коэффициента передачи тока транзистора 22

3.3.2 Измерение обратного тока коллектора 22

3.3.3 Получение выходной характеристики транзистора в схеме с ОЭ 22

3.3.4 Получение входной характеристики транзистора в схеме с ОЭ 23

3.3.5 Получение входной характеристики транзистора в схеме с общей базой 24

3.4 Контрольные вопросы 25

Лабораторная работа №4 25

4.1 Цель работы 25

4.2 Теоретическая часть 25

4.3 Порядок выполнения работы 33

4.3.1 Схема (ОИ) для исследования ВАХ полевого транзистора 33

с управляющим p – n переходом 33

4.3.2 Схема для исследования ВАХ МДП-транзистора 34

со встроенным каналом 34

4.4 Контрольные вопросы 35

Приложения 35

Лабораторная работа №5 36

5.1 Цель работы 36

5.2 Теоретическое введение 36

5.3 Описание работы с пакетом 41

5.4 Порядок выполнения работы 41

5.6 Контрольные вопросы 42

6. Литература 42

Введение

Данное методическое пособие разработано для практического понимания и закрепления теоретического материала по курсу «Твердотельная электроника».

Основная задача – помочь студентам разобраться с конструкцией, схемными решениями, методикой расчетов, ограничениями и другими вопросами, связанными с созданием и эксплуатацией основных классов полупроводниковых приборов – диодов, транзисторов и тиристоров.