- •Методические указания к выполнению лабораторных работ на тему:
- •Содержание
- •2.1 Цель работы: 14
- •2.5 Задание на лабораторную работу 20
- •3.1 Цель работы 20
- •4.1 Цель работы 25
- •4.4 Контрольные вопросы 35
- •5.1 Цель работы 36
- •Введение
- •Требования по технике безопасности
- •«Полупроводниковые диоды»
- •1.3 Описание работы
- •1.4.4 Получение вах на экране осциллографа
- •2.3 Описание работы:
- •2.4 Порядок выполнения работы:
- •2.4.1 Измерение напряжения и вычисления тока через стабилитрон
- •2.4.2 Получение нагрузочной характеристики параметрического стабилитрона
- •2.4.3 Получение вах стабилитрона на экране осциллографа
- •Задание на лабораторную работу
- •2.6 Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа №3 «Исследование биполярного транзистора»
- •3.1 Цель работы
- •3.2 Теоретическая часть
- •3.3 Порядок выполнения работы
- •3.3.1 Определение статического коэффициента передачи тока транзистора
- •3.3.2 Измерение обратного тока коллектора
- •3.3.3 Получение выходной характеристики транзистора в схеме с оэ
- •3.3.4 Получение входной характеристики транзистора в схеме с оэ
- •3.3.5 Получение входной характеристики транзистора в схеме с общей базой
- •3.4 Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа №4 «Полевые транзисторы»
- •4.1 Цель работы
- •4.2 Теоретическая часть
- •Параметры полевых транзисторов с р-п переходом
- •Мдп транзисторы
- •4.3 Порядок выполнения работы
- •4.3.1 Схема (ои) для исследования вах полевого транзистора с управляющим p – n переходом
- •4.3.2 Схема для исследования вах мдп-транзистора со встроенным каналом
- •Исследование характеристик мдп – транзистора
- •4.4 Контрольные вопросы
- •Приложения
- •Лабораторная работа №5 «Триодный тиристор»
- •5.1 Цель работы
- •5.2 Теоретическое введение
- •5.3 Описание работы с пакетом
- •5.4 Порядок выполнения работы
- •Обработка результатов измерений:
- •5.6 Контрольные вопросы
- •6. Литература
Исследование характеристик мдп – транзистора
Измеренные данные занести в таблицу 2
Таблица 2
Uзи = 1 В |
Uзи = 0 В |
Uзи = -1 В |
Uзи = -2 В |
||||
Uис , В |
Iс , мА |
Uис , В |
Iс , мА |
Uис , В |
Iс , мА |
Uис , В |
Iс , мА |
0.1 |
|
0.1 |
|
0.1 |
|
0.1 |
|
0.3 |
|
0.3 |
|
0.3 |
|
0.3 |
|
0.5 |
|
0.5 |
|
0.5 |
|
0.5 |
|
1 |
|
1 |
|
1 |
|
1 |
|
2 |
|
2 |
|
2 |
|
2 |
|
3 |
|
3 |
|
3 |
|
3 |
|
4 |
|
4 |
|
4 |
|
4 |
|
5 |
|
5 |
|
5 |
|
5 |
|
7 |
|
7 |
|
7 |
|
7 |
|
10 |
|
10 |
|
10 |
|
10 |
|
Построить с использованием данных таблицы 2 семейство стоковых характеристик и стоко-затворную характеристику МДП-транзистора со встроенным каналом и определить основные параметры.
4.4 Контрольные вопросы
Объяснить принцип действия каждого вида полевых транзисторов.
Как определяются по характеристикам основные параметры полевых транзисторов?
Объяснить стоковые характеристики каждого вида полевых транзисторов?
Отличия стоко-затворных характеристик МДП-транзисторов со встроенным и индуцированным каналом.
Условные графические обозначения полевых транзисторов.
Приложения
Диалоговые окна для корректировки параметров МДП-транзистора со встроенным каналом.
Выбрать
Edit
для редактирования