2. Практична частина

Під час складання схем варто пам’ятати, що вимірювання змінних та постійних вели-чин проводиться за допомогою переключення режимів вимірювання АС та DC, відповідно змінної та постійної складових.

Налаштування осцилографа проводиться за допомогою його панелі, де містяться харак-теристики каналів А та В, синхронізації та розгортки. Слід зазначити, що графіки можна ба-чити у трьох проекціях: Y/Т (розгортка в часі), А/В та В/А (один сигнал в залежності від іншого).

Під’єднання виводів потрібно здійснювати ретельно, без розривів. Адже тоді можлива неправильна робота схеми. Для зручності під’єднань можна застосовувати «крапку». Її вста-новлення на схемі у потрібних місцях дає можливість краще проектувати складні вузли.

2.1. Програма роботи та завдання.

2.1.1. Скласти схему мал. 2.1 за допомогою програми EWB 5 та встановити значення параметрів елементів відповідно до неї. Провести вимірювання змінних напруг та струмів на наявних амперметрі та вольтметрах.

2.1.2. Визначити за допомогою осцилографа різницю фаз вхідної та вихідної синусоїда-льних напруг.

2.1.3. Змінюючи частоту вхідного сигналу (60Гц, 120Гц), виконати пункти 2.1.1 та 2.1.2.

2.1.4. Виконати п.п. 2.1.1-2.1.3 для схеми мал. 2.2. Побудувати АЧХ та ФЧХ обох схем.

2.1.5. Для схеми мал. 2.3 знайти загальний опір кола (X= ) та резо-нансну частоту f_р. Змінюючи частоту вхідного сигналу (60Гц, 120Гц), провести вимірювання для U_R.

2.1.6. У звіт занести усі схеми, вихідні дані, вимірювані та розраховані дані. Відповісти письмово на контрольні питання.

Мал. 2.1

Мал. 2.2

Мал. 2.3

Контрольні питання:

1. Для чого призначений конденсатор? Основні характеристики конденсаторів.

2. Що таке резонансний контур? Які є види резонансних контурів?

3. Для чого призначений резистор? Основні характеристики резисторів.

Лабораторне заняття № 3

Тема: Статичні та динамічні характеристики напівпровідникових діодів.

Мета роботи. Навчитися будувати схеми для дослідження характеристик різних типів діодів в статиці (на постійному струмі) та динаміці (для синусоїдальної напруги та прямокут-них імпульсів різної частоти); дослідження напруги та струму діода при прямому та оберне-ному зміщеннях p-n- переходу; аналіз опору діода.

1. Теоретичні відомості

Однією з переваг системи Electronics Workbench є можливість моделювання ситуації, що виникає при різних рівнях оснащення приладами дослідника, і засвоєння методик, що відповідають цим рівням.

Розглянемо цю ситуацію на прикладі дослідження вольтамперної характеристики напів-провідникового діода.

Найпростіше виміряти напругу на діоді таким чином, як це показано на малюнку 3.1. Струм діода при цьому буде рівний: І_пр= (Е-U_пр)/R. Змінивши полярність включення діода, можна визначити зворотній струм діода І_зв= (Е-U_зв)/R. Вимірювання струму можна провести також за схемою, зображеною на малюнку 3.2.

Мал. 3.1

Набагато простіше можна визначити струм та напругу за допомогою вольтметра та ам-перметра так, як це показано на малюнку 3.3.

Вольтамперну характеристику можна отримати безпосередньо на екрані осцилографа (малюнок 3.4). При отриманні ВАХ діода за допомогою осцилографа на канал А замість на-пруги на діоді подається сума напруг на діоді та на резисторі 1Ом, похибка через це буде до-сить малою.

Через нелінійність діоду його не можна характеризувати сталою величиною опору, як постійний резистор. Відношення падіння напруги на діоді до струму, що проходить через нього, називають статичним опором.

Величина динамічного (диференційного) опору ( dU/dI ) також залежить і від постійної складової струму діода, що визначає його робочу точку.

Мал. 3.2

Мал. 3.3

Мал. 3.4