11Пример выполнения контрольной работы

Титульный лист контрольной работы

Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования

«ПСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ

ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ»

Кафедра «Вычислительная техника»

КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА

по дисциплине «Электроника»

Выполнил

Студент

Группа

Вариант

Проверил

Дата сдачи

Оценка

Псков

2011г

Исходные данные для расчетного задания.

Вар-т	Материал п/п	Температура T, K	Концентрация примесей		Площадь перехода S,
3	GaAs	170	3∙1019	28∙1020	3

Таблица 2.

Основные параметры

полупроводниковых материалов.

Материал полупроводника		Si	Ge	GaAs
Ширина запрещенной зоны при		1.17	0.744	1.519
Параметры для определения ширины запрещенной зоны		4.73∙10-4
		636	235	204
Параметры для определения подвижности носителей		2.42	1.66	1.0
		2.2	2.33	2.1
Подвижности носителей заряда при		0.15	0.39	0.85
		0.06	0.19	0.04
Эффективные массы носителей заряда		1.08	0.56	0.068
		0.56	0.35	0.45
Диэлектрическая проницаемость		11.8	16.0	13.2
Время жизни носителей заряда

Значения физических постоянных:

Заряд электрона

Масса электрона

Постоянная Больцмана

Постоянная Планка

Диэлектрическая постоянная

Задача 1.

Для собственного полупроводника, имеющего определенную температуру определить ширину запрещенной зоны; концентрацию носителей заряда; эффективные плотности состояний; положение уровня Ферми; подвижности носителей заряда; удельное электрическое сопротивление; отношение полного тока, протекающего через полупроводник к дырочному току.

Решение.

Ширина запрещенной зоны:

Полупроводник называется собственным или типа i (intrinsic), если в нем отсутствуют какие-либо примеси. В этом случае свободные электроны и дырки образуются попарно только за счет тепловой генерации и рекомбинируют также попарно. Следовательно, в собственном полупроводнике концентрация свободных электронов равна концентрации дырок. Поскольку ширина запрещенной зоны полупроводника зависит от температуры, определим ее, используя зависимость

Параметры GaAs возьмем из таблицы 2: , , . Для температуры 170 К ширина запрещенной зоны равна

Концентрация собственных носителей заряда

Концентрация собственных носителей заряда определяется как

, .

Согласно закону «действующих масс» , следовательно