10Контрольная работа.

3.1.Методические указания к выполнению контрольной работы.

Перед выполнением контрольной работы необходимо ознакомиться с разделом 1 материалов курса.

4.1.Оформление отчета по контрольной работе.

Отчет по контрольной работе оформляется в ученической тетради объемом 12 листов, либо на стандартных листах формата А4. Он может быть выполнен как в рукописном виде, так и с использованием компьютера. Отчет должен содержать титульный лист, на котором располагаются: название факультета, кафедры, специальности, предмета, номер варианта задания по контрольной работе, фамилия, имя, отчество студента номер группы, номер зачетной книжки, фамилия, инициалы преподавателя, год обучения. На первой странице отчета помещается развернутое описание задания, далее приводятся все необходимые выкладки для решения поставленной задачи и принципиальные схемы разработанных устройств.

Все студенты должны выполнить одинаковое задание, состоящее из нескольких задач, исходные данные для расчетов, то есть номер варианта задания определяется в соответствии с последними двумя цифрами (шифром) зачетной книжки.

Шифр	Номер варианта	Шифр	Номер варианта	Шифр	Номер варианта
01,31,61,91	1	11,41,71	11	21,51,81	21
02,32,62,92	2	12,42,72	12	22,52,82	22
03,33,63,93	3	13,43,73	13	23,53,83	23
04,34,64,94	4	14,44,74	14	24,54,84	24
05,35,65,95	5	15,45,75	15	25,55,85	25
06,36,66,96	6	16,46,76	16	26,56,86	26
07,37,67,97	7	17,47,77	17	27,57,87	27
08,38,68,98	8	18,48,78	18	28,58,88	28
09,39,69,99	9	19,49,79	19	29,59,89	29
10,40,70,00	10	20,50,80	20	30,60,90	30

5.1.Задание.

1. Для собственного полупроводника, имеющего определенную температуру определить ширину запрещенной зоны; концентрацию носителей заряда; эффективные плотности состояний; положение уровня Ферми; подвижности носителей заряда; удельное электрическое сопротивление; отношение полного тока, протекающего через полупроводник к дырочному току.

2. Для полупроводника p-типа с концентрацией акцепторных примесей N_a определить концентрацию основных и неосновных носителей заряда; положение уровня Ферми; удельное электрическое сопротивление; отношение полного тока, протекающего через полупроводник к дырочному току.

3. Для полупроводника n-типа с концентрацией донорных примесей N_d определить концентрацию основных и неосновных носителей заряда; положение уровня Ферми; удельное электрическое сопротивление; отношение полного тока, протекающего через полупроводник к дырочному току.

4. Считая, что из полупроводников p- и n-типа изготовлен p-n-переход, определить контактную разность потенциалов; ширину обедненных областей и ширину области пространственного заряда; величину заряда на единицу площади; величину барьерной емкости без внешнего напряжения и при обратном напряжении . Построить вольт-фарадную характеристику перехода.

Данные для расчета приведены в таблице 1. Параметры полупроводников, необходимые для расчета, сведены в таблицу 2.

При выполнении контрольной работы целесообразно пользоваться книгами из списка основной рекомендованной литературы.

Значения физических постоянных:

Заряд электрона

Масса электрона

Постоянная Больцмана

Постоянная Планка

Диэлектрическая постоянная

Таблица 1.

Исходные данные для расчетного задания.

Вар-т	Материал п/п	Температура T, K	Концентрация примесей		Площадь перехода S,
1	Si	150	1∙1019	30∙1020	1
2	Ge	160	2∙1020	29∙1021	2
3	GaAs	170	3∙1019	28∙1020	3
4	Si	180	4∙1020	27∙1021	4
5	Ge	190	5∙1019	26∙1020	5
6	GaAs	200	6∙1020	25∙1021	6
7	Si	210	7∙1019	24∙1020	7
8	Ge	220	8∙1020	23∙1021	8
9	GaAs	230	9∙1019	22∙1020	9
10	Si	240	10∙1020	21∙1021	10
11	Ge	250	11∙1021	20∙1020	1
12	GaAs	260	12∙1020	19∙1021	2
13	Si	270	13∙1021	18∙1020	3
14	Ge	280	14∙1020	17∙1021	4
15	GaAs	290	15∙1021	16∙1020	5
16	Si	300	16∙1020	15∙1021	6
17	Ge	310	17∙1021	14∙1020	7
18	GaAs	320	18∙1020	13∙1021	8
19	Si	330	19∙1021	12∙1020	9
20	Ge	340	20∙1020	11∙1021	10
21	GaAs	350	21∙1021	10∙1020	1
22	Si	360	22∙1020	9∙1021	2
23	Ge	370	23∙1021	8∙1019	3
24	GaAs	380	24∙1020	7∙1021	4
25	Si	390	25∙1021	6∙1019	5
26	Ge	400	26∙1020	5∙1021	6
27	GaAs	410	27∙1021	4∙1019	7
28	Si	420	28∙1020	3∙1021	8
29	Ge	430	29∙1021	2∙1019	9
30	GaAs	440	30∙1020	1∙1021	10

Таблица 2.

Основные параметры

полупроводниковых материалов.

Материал полупроводника		Si	Ge	GaAs
Ширина запрещенной зоны при		1.17	0.744	1.519
Параметры для определения ширины запрещенной зоны		4.73∙10-4
		636	235	204
Параметры для определения подвижности носителей		2.42	1.66	1.0
		2.2	2.33	2.1
Подвижности носителей заряда при		0.15	0.39	0.85
		0.06	0.19	0.04
Эффективные массы носителей заряда		1.08	0.56	0.068
		0.56	0.35	0.45
Диэлектрическая проницаемость		11.8	16.0	13.2
Время жизни носителей заряда