- •1.1 Електричні кола постійного струму
- •Електричні кола постійного струму
- •1.1.1 Основні визначення і закони
- •1 Джерела електричної енергії (джерела живлення).
- •1.1.2 Розрахунок лінійних кіл постійного струму з одним джерелом живлення.
- •1.2 Електричні кола змінного струму
- •1.2.1 Поняття про змінний струм
- •1.2.2 Основні поняття синусоїдальної функції
- •1.2.3 Зображення синусоїдальної величини
- •Кутова частота і фазові співвідношення
- •Початковий фазовий кут, або початкова фаза.
- •1.2.4 Прості електричні кола змінного струму
- •1.1 Електронно-дірковий перехід
- •1.1.1 Загальні відомості.
- •1.1.2 Утворення переходу.
- •1.1.3 Контакт метал – напівпровідник.
- •1.2.1 Загальні відомості
- •Продовження таблиці 1.2
- •1.2.2 Характеристики, параметри, область застосування
- •1.3.1 Загальні відомості
- •1.3.2 Фізичні явища й принцип дії бт за схемою із загальним емітером
- •1.3.3 Транзистори Шотки
- •1.3.5 Розрахунок режиму спокою підсилювального каскаду на біполярному транзисторі
- •1.4.1 Загальні відомості
- •1.4.2 Фізичні явища та принцип дії пт
- •1.4.2.1 Польові транзистори з керуючим переходом
- •1.4.2.2 Польові транзистори з ізольованим затвором
- •1.4.3 Лізмон-транзистори
- •1.4.4 Мнон - транзистори
- •3.1 Загальна характеристика імпульсних сигналів і пристроїв
- •3.2 Ключовий режим роботи транзисторів
- •3.3.1 Загальні відомості
- •3.3.2 Логічні елементи в інтегральному виконанні
- •3.3.2.1 Діодно-транзисторні логічні елементи
- •3.3.2.2 Транзисторно логіка -транзисторна
- •3.3.2.3 Логічні елементи на мон-транзисторах
- •3.3.2.4 Логічні елементи на мен-транзисторах
- •3.3.2.5 Інтегральна інжекційна логіка
- •3.3.2.6 Логічні елементи емітерно-зв'язкової логіки
- •3.4.1 Загальні відомості
- •Продовження таблиці 3.3
- •3.4.2 Характерні явища для тригерів
- •Лекція 9 3.5 Компаратори і тригери шмітта, генератори імпульсів
- •3.5.1 Загальні відомості
- •3.5.2 Мультивібратори
- •3.5.3 Одновібратори
- •До пункту 3.5.2
- •3.6 Інтегруючі і диференціюючи rc-ланцюги
- •3.6.1 Інтегруючий rc-ланцюг
- •3.6.2 Диференціюючий rc-ланцюг
- •4.1 Загальні відомості
- •4.2 Однофазний однопівперіодний випрямляч
- •4.3 Однофазний двухпівперіодний випрямляч із нульовим виводом
- •4.4 Однофазний мостовий випрямляч
- •4.5 Випрямлячі - помножувачі напруги
- •4.6 Згладжуючи фільтри
- •4.7.1 Параметричні стабілізатори напруги
- •4.7.2 Компенсаційні стабілізатори напруги
- •Контрольні питання
1.1.2 Утворення переходу.
Розглянемо схематично утворення переходу при зіткненні двох напівпровідників з різними типами провідності (рис. 1.2).До дотику в обох напівпровідниках електрони, дірки й нерухливі іони були розподілені рівномірно (рис.1.2 а,б).
При дотику напівпровідників у граничному шарі відбувається рекомбінація (з'єднання) електронів і дірок.
Вільні електрони із зони напівпровідника n-типу займають вільні рівні у валентній зоні напівпровідника р-типа. У результаті поблизу границі двох напівпровідникових областей утвориться шар, що не містить носіїв, що рухаються, зарядів і тому має високий електричний опір, - так званий запірний шар (рис. 1.2,в). Товщина запірного шару, як правило, не перевищує кілька міліметрів.
Розширенню запірного шару перешкоджають нерухливі іони донорних і акцепторних домішок, які утворять на границі напівпровідника подвійний електричний шар.
Цей шар має контактну різницю потенціалів (потенційний бар'єр) , на границі напівпровідників. Різниця потенціалів, що з'явилася, створюючи в запірному шарі електричне поле, перешкоджаючи переходу електронів з напівпровідника -типу в напівпровідник -типу, так і переходу дірок у напівпровідника -типу. У той же час електрони можуть вільно рухатися з напівпровідника -типу в напівпровідника -типу, так само, як і дірки з напівпровідника -типу в напівпровідник -типу.
- електрони; - дірки
а) негативні б) позитивні в) -перехід іони іони
Рисунок 1.2 - Утворення переходу
Таким чином, контактна різниця потенціалів перешкоджає руху основних носіїв заряду. Однак при русі через перехід не основних носіїв відбувається зниження контактної різниці потенціалів , що дозволяє деякій частині основних носіїв, які мають досить енергії, щоб перебороти потенційний бар'єр, обумовлений контактною різницею потенціалів . З'являється дифузійний струм , що спрямований назустріч дрейфовому струму , тобто з'являється динамічна рівність, при якому .
До основних носіїв заряду належать ті заряди, яких більше в напівпровіднику. У напівпровідниках р-типу -дірки, n-типу — електрони. А ті заряди, яких менше, називають неосновними.
Якщо до переходу прикласти зовнішню напругу, що утворить у запірному шарі електричне поле напруженістю , напрямок якого збігається з напрямком поля нерухливих іонів напруженістю , то це приведе тільки до розширення запірного шару, тому що відводить від контактної зони й позитивні, і негативні носії заряду (дірки й електрони). При цьому опір переходу велике, струм через нього маленький - він обумовлений рухом неосновних носіїв заряду. У цьому випадку струм називають зворотним, а перехід закритим. При протилежній полярності джерела напруги зовнішнє електричне поле спрямоване назустріч полю подвійного електричного шару, товщина запірного шару зменшується й при напрузі 0,3-0,5 В. Запірний опір зникає. Опір переходу різко знижується й з'являється порівняно великий струм. Струм при цьому називається прямим, а перехід відкритим.
На рис.1.3 показані вольтамперні характеристики (ВАХ) відкритого й закритого переходів. Як видно ці характеристики є нелінійними. На ділянці 1 і прямий струм малий. На ділянці 2 , запірний шар відсутній, струм утвориться рухом неосновних носіїв заряду.
Рисунок 1. 3 - Пряме й зворотне включення переходу
Вигин вольтамперної характеристики на початку координат обумовлений різними масштабами струмів і напруг при прямому й зворотному напрямках напруги, прикладеного до переходу. І, нарешті, на ділянці 4 відбувається пробій переходу, і зворотний струм швидко зростає. Це пов'язане з тим, що при русі через перехід під дією електричного поля не основні носії заряду одержують енергію, достатню для ударної іонізації атомів напівпровідника. У переході починається лавиноподібне розмноження носіїв заряду - електронів і дірок, що приводить до різкого збільшення зворотного струму через перехід при майже незмінній зворотній напрузі. Цей вид електричного пробою називається лавинним. Звичайно він розвивається в порівняно широких переходах, які утворюються в слабко легованих напівпровідниках.