- •1.1 Електричні кола постійного струму
- •Електричні кола постійного струму
- •1.1.1 Основні визначення і закони
- •1 Джерела електричної енергії (джерела живлення).
- •1.1.2 Розрахунок лінійних кіл постійного струму з одним джерелом живлення.
- •1.2 Електричні кола змінного струму
- •1.2.1 Поняття про змінний струм
- •1.2.2 Основні поняття синусоїдальної функції
- •1.2.3 Зображення синусоїдальної величини
- •Кутова частота і фазові співвідношення
- •Початковий фазовий кут, або початкова фаза.
- •1.2.4 Прості електричні кола змінного струму
- •1.1 Електронно-дірковий перехід
- •1.1.1 Загальні відомості.
- •1.1.2 Утворення переходу.
- •1.1.3 Контакт метал – напівпровідник.
- •1.2.1 Загальні відомості
- •Продовження таблиці 1.2
- •1.2.2 Характеристики, параметри, область застосування
- •1.3.1 Загальні відомості
- •1.3.2 Фізичні явища й принцип дії бт за схемою із загальним емітером
- •1.3.3 Транзистори Шотки
- •1.3.5 Розрахунок режиму спокою підсилювального каскаду на біполярному транзисторі
- •1.4.1 Загальні відомості
- •1.4.2 Фізичні явища та принцип дії пт
- •1.4.2.1 Польові транзистори з керуючим переходом
- •1.4.2.2 Польові транзистори з ізольованим затвором
- •1.4.3 Лізмон-транзистори
- •1.4.4 Мнон - транзистори
- •3.1 Загальна характеристика імпульсних сигналів і пристроїв
- •3.2 Ключовий режим роботи транзисторів
- •3.3.1 Загальні відомості
- •3.3.2 Логічні елементи в інтегральному виконанні
- •3.3.2.1 Діодно-транзисторні логічні елементи
- •3.3.2.2 Транзисторно логіка -транзисторна
- •3.3.2.3 Логічні елементи на мон-транзисторах
- •3.3.2.4 Логічні елементи на мен-транзисторах
- •3.3.2.5 Інтегральна інжекційна логіка
- •3.3.2.6 Логічні елементи емітерно-зв'язкової логіки
- •3.4.1 Загальні відомості
- •Продовження таблиці 3.3
- •3.4.2 Характерні явища для тригерів
- •Лекція 9 3.5 Компаратори і тригери шмітта, генератори імпульсів
- •3.5.1 Загальні відомості
- •3.5.2 Мультивібратори
- •3.5.3 Одновібратори
- •До пункту 3.5.2
- •3.6 Інтегруючі і диференціюючи rc-ланцюги
- •3.6.1 Інтегруючий rc-ланцюг
- •3.6.2 Диференціюючий rc-ланцюг
- •4.1 Загальні відомості
- •4.2 Однофазний однопівперіодний випрямляч
- •4.3 Однофазний двухпівперіодний випрямляч із нульовим виводом
- •4.4 Однофазний мостовий випрямляч
- •4.5 Випрямлячі - помножувачі напруги
- •4.6 Згладжуючи фільтри
- •4.7.1 Параметричні стабілізатори напруги
- •4.7.2 Компенсаційні стабілізатори напруги
- •Контрольні питання
1.4.3 Лізмон-транзистори
ЛІЗМОН-транзистор — це МОН-транзистор ( метал-оксид-напівпровідник) з індукованим каналом типу або . ЛІЗМОН-транзистори застосовуються для побудови пам'яті. На МНОН-транзисторах звичайно будують елемент пам'яті, що може працювати в таких режимах:
зберігання інформації;
зчитування інформації;
стирання інформації
програмування.
Такі транзистори мають один або кілька затворів. Структурна схема ЛІЗМОН-транзистора з одним затвором показана на рис. 1.22,а. Металевий затвор цього транзистора розміщений у діелектрику, що являє собою діоксид кремнію, і не має металевого виводу. Він відділений від кристала діелектриком товщиною 0,1 нм. Цей затвор називають плаваючим (ПЗ).
В
Iпр
В
а) б
хІ уІ X 1
Vt2 VT1
Vt1 Y1
в) г)
Рисунок 1.22 – Структурна схема ЛІЗМОН-транзистора:
а) з одним затвором;
б) із двома затворами;
в) умовне позначення ЛІЗМОН-транзистора з одним затвором;
г) умовне позначення ЛІЗМОН-транзистора з двома затвороми;
При подачі напруги на плаваючий затвор з'являється провідний канал і транзистор відкривається, відбувається записування логічної одиниці, при відсутності напруги транзистор закривається, у цьому випадку відбувається записування логічного нуля.
На структурній схемі (рис.1.22,б) показаний транзистор із двома затворами. У цьому випадку робота транзистора здійснюється в такий спосіб. Для забезпечення режиму програмування на стік і виток подається позитивний імпульс напруги амплітудою 25 В. При цьому на -переходах виток-підкладка й сток-підкладка спостерігається інжекція заряду. Частина електронів попадає на ПЗ, у результаті накладки на ПЗ негативного заряду гранична напруга на передатній характеристиці зміщається в область більш високого рівня. Це відповідає логічному нулю. Якщо заряд на ПЗ відсутній - це відповідає логічній одиниці.
Стирання записаної інформації складається у витисненні заряду із ПЗ, при чому дана операція здійснюється одним зі способів:
За допомогою імпульса напруги на затворі. У цьому випадку електрони на ПЗ витісняються в підкладку електричним полем і відновлюється стан логічної одиниці.
За допомогою ультрафіолетового випромінювання через прозоре скло в кришці корпуса. У цьому випадку ультрафіолетове випромінювання викликає посилення теплового руху й електрони розсмоктуються із ПЗ у підкладку.
ЛІЗМОН-транзистори в режимі зчитування працюють у такий спосіб. На затвор подається напруга зчитування, значення якої лежить між двома граничними рівнями. Якщо в елемент пам'яті записана логічна одиниця, то транзистор відкривається, якщо ж логічний нуль - закривається.
Забезпечення роботи транзистора в режимі зберігання інформації здійснюється за рахунок відсутності заряду на електродах ПЗ, що не допускає розпливу заряду в підложку.