- •1.1 Електричні кола постійного струму
- •Електричні кола постійного струму
- •1.1.1 Основні визначення і закони
- •1 Джерела електричної енергії (джерела живлення).
- •1.1.2 Розрахунок лінійних кіл постійного струму з одним джерелом живлення.
- •1.2 Електричні кола змінного струму
- •1.2.1 Поняття про змінний струм
- •1.2.2 Основні поняття синусоїдальної функції
- •1.2.3 Зображення синусоїдальної величини
- •Кутова частота і фазові співвідношення
- •Початковий фазовий кут, або початкова фаза.
- •1.2.4 Прості електричні кола змінного струму
- •1.1 Електронно-дірковий перехід
- •1.1.1 Загальні відомості.
- •1.1.2 Утворення переходу.
- •1.1.3 Контакт метал – напівпровідник.
- •1.2.1 Загальні відомості
- •Продовження таблиці 1.2
- •1.2.2 Характеристики, параметри, область застосування
- •1.3.1 Загальні відомості
- •1.3.2 Фізичні явища й принцип дії бт за схемою із загальним емітером
- •1.3.3 Транзистори Шотки
- •1.3.5 Розрахунок режиму спокою підсилювального каскаду на біполярному транзисторі
- •1.4.1 Загальні відомості
- •1.4.2 Фізичні явища та принцип дії пт
- •1.4.2.1 Польові транзистори з керуючим переходом
- •1.4.2.2 Польові транзистори з ізольованим затвором
- •1.4.3 Лізмон-транзистори
- •1.4.4 Мнон - транзистори
- •3.1 Загальна характеристика імпульсних сигналів і пристроїв
- •3.2 Ключовий режим роботи транзисторів
- •3.3.1 Загальні відомості
- •3.3.2 Логічні елементи в інтегральному виконанні
- •3.3.2.1 Діодно-транзисторні логічні елементи
- •3.3.2.2 Транзисторно логіка -транзисторна
- •3.3.2.3 Логічні елементи на мон-транзисторах
- •3.3.2.4 Логічні елементи на мен-транзисторах
- •3.3.2.5 Інтегральна інжекційна логіка
- •3.3.2.6 Логічні елементи емітерно-зв'язкової логіки
- •3.4.1 Загальні відомості
- •Продовження таблиці 3.3
- •3.4.2 Характерні явища для тригерів
- •Лекція 9 3.5 Компаратори і тригери шмітта, генератори імпульсів
- •3.5.1 Загальні відомості
- •3.5.2 Мультивібратори
- •3.5.3 Одновібратори
- •До пункту 3.5.2
- •3.6 Інтегруючі і диференціюючи rc-ланцюги
- •3.6.1 Інтегруючий rc-ланцюг
- •3.6.2 Диференціюючий rc-ланцюг
- •4.1 Загальні відомості
- •4.2 Однофазний однопівперіодний випрямляч
- •4.3 Однофазний двухпівперіодний випрямляч із нульовим виводом
- •4.4 Однофазний мостовий випрямляч
- •4.5 Випрямлячі - помножувачі напруги
- •4.6 Згладжуючи фільтри
- •4.7.1 Параметричні стабілізатори напруги
- •4.7.2 Компенсаційні стабілізатори напруги
- •Контрольні питання
3.3.2.4 Логічні елементи на мен-транзисторах
Варіанти схем логічних елементів НІ, АБО-НІ на МЕН-транзисторах показані на рис. 3.10.
Схема НІ (рис. 3.10,а) містить пасивний транзистор VT1 (нормально відкритий) і вхідний активний транзистор VT2 (нормально закритий). Пасивний транзистор VT1 включений за схемою двухполюсника й виконує роль джерела стокового струму, значення якого практично не змінюється в широкому діапазоні зміни напруги між стоком і витоком.
До виходу елемента НІ підключається аналогічний інвертор. Він у статичному режимі представлений еквівалентною схемою з послідовно включених діода Шотки (бар'єра метал-напівпровідник) і опору між затвором і джерелом . Напруга джерела живлення в схемі В; усереднені значення граничних напруг для транзисторів VTI і VT2 відповідно рівні й .
При транзистор VT2 закритий, струм стоку й на виході встановлюється рівень напруги . Струм відкритого транзистора VT1 перемикається в затвор інвертора навантаження. Оскільки струм становить одиниці міліамперів, а опір виміряється десятками Ом, то вихідний рівень практично визначається прямою напругою на діоді VD рівним 0,6 В.
Схема двухвхідного елемента АБО-НІ містить нормально відкритий пасивний транзистор VT1, вхідні нормально закриті транзистори VT2 і VT3, включені паралельно (рис. 3.10,б).
Рисунок 3.10 - Варіанти схем логічних елементів НІ, АБО HІ на МЕН-транзисторах
При транзистори VT2 і VT3 закриті, на виході У встановлюється високий рівень напруги . Якщо на одному із входів або на обох діє напруга то відповідний транзистор (або обоє) відкриваються й на виході встановлюється рівень .
Параметри елемента АБО-НІ аналогічні схемам, зображеним на рис. 3.11, а.
Схема двухвхідового елемента АБО-НІ з підвищеною завадостійкістю показана на рисунку 8,в. Вхідні діоди Шотки VD1 і VD2 реалізують операцію АБО, транзистори VT1 і VT2 створюють інвертор, а транзистор VT3 разом з діодами — це ланцюг зсуву рівня порога транзистора VT2.
3.3.2.5 Інтегральна інжекційна логіка
Різновидом транзисторних схем є елементи інтегральної інжекційної логіки (АБО або И2Л). Схемотехніку И2Л використовують для побудови мікропроцесорних і запам'ятовувальний ВІС (серії ДО582, ДО583, ДО584 і ін.).
Схема логічного елемента И2Л показана на рис. 3.11.
Рисунок 3.11 - Схема логічного елемента И2Л
Схема включає інжекційні транзистори VT1, VT2, включені за схемою із загальною базою, і вхідні багатоколекторні транзистори VT3, VT4, включені за схемою із загальним емітером. Емітери транзисторів VT1, VT2 називаються інжекторами, протікає через них дірковий струм — інжекційним. Кожний із транзисторів VT1, VT2 утворить разом із джерелом живлення й зовнішнім резистором джерело струму, що живить індивідуальним струмом входи транзисторів VT3, VT4.
Особливостями елементів И2Л є:
"безрезисторність", характерна для МОН-структур, що вперше була реалізована в схемотехніці И2Л;
з'єднання областей бази й колектора інжекційних р-п-р транзисторів відповідно з областями емітера й колектора вхідних п-р-п транзисторів, а також мале число схемних компонентів і з'єднань між ними;
низький рівень напруги В знімається з колектора насиченого транзистора, а високий рівень напруги В — з колектора закритого транзистора, причому цей рівень обмежується напругою бази насиченого транзистора навантаження; використовується режим мікрострумів, у якому струми колектора змінюються від десятків до сотень мікроамперів; працездатність елементів зберігається при зміні значення струму в них на кілька порядків;
на колекторах вхідного транзистора реалізується інверсія змінної, а на з'єднаних колекторах транзисторів VT3, VT4 виконуються операції АБО-НІ.
Вхідні транзистори управляються перемиканням струму на їхніх входах. Якщо до входу Х1 підключений колектор лівого насиченого транзистора, то струм замикається на нього й не надходить у базу транзистора VT3, що закривається й створює на своїх колекторах режим розімкнутих контактів. Якщо до входу підключений колектор лівого закритого транзистора, то струм надходить до бази VT3, насичує його та забезпечує на колекторах режим замкнутих контактів.
Затримка поширення сигналу в елементі И2Л при струмі 100 мкА становить приблизно 5-10 нс, потужність «споживання» — до 20 мкВт. Відзначені властивості елементів И2Л и ВІС на їхній основі надають їм технологічність і компактність, вони мають невисоку вартість при великій швидкодії.