- •1.1 Електричні кола постійного струму
- •Електричні кола постійного струму
- •1.1.1 Основні визначення і закони
- •1 Джерела електричної енергії (джерела живлення).
- •1.1.2 Розрахунок лінійних кіл постійного струму з одним джерелом живлення.
- •1.2 Електричні кола змінного струму
- •1.2.1 Поняття про змінний струм
- •1.2.2 Основні поняття синусоїдальної функції
- •1.2.3 Зображення синусоїдальної величини
- •Кутова частота і фазові співвідношення
- •Початковий фазовий кут, або початкова фаза.
- •1.2.4 Прості електричні кола змінного струму
- •1.1 Електронно-дірковий перехід
- •1.1.1 Загальні відомості.
- •1.1.2 Утворення переходу.
- •1.1.3 Контакт метал – напівпровідник.
- •1.2.1 Загальні відомості
- •Продовження таблиці 1.2
- •1.2.2 Характеристики, параметри, область застосування
- •1.3.1 Загальні відомості
- •1.3.2 Фізичні явища й принцип дії бт за схемою із загальним емітером
- •1.3.3 Транзистори Шотки
- •1.3.5 Розрахунок режиму спокою підсилювального каскаду на біполярному транзисторі
- •1.4.1 Загальні відомості
- •1.4.2 Фізичні явища та принцип дії пт
- •1.4.2.1 Польові транзистори з керуючим переходом
- •1.4.2.2 Польові транзистори з ізольованим затвором
- •1.4.3 Лізмон-транзистори
- •1.4.4 Мнон - транзистори
- •3.1 Загальна характеристика імпульсних сигналів і пристроїв
- •3.2 Ключовий режим роботи транзисторів
- •3.3.1 Загальні відомості
- •3.3.2 Логічні елементи в інтегральному виконанні
- •3.3.2.1 Діодно-транзисторні логічні елементи
- •3.3.2.2 Транзисторно логіка -транзисторна
- •3.3.2.3 Логічні елементи на мон-транзисторах
- •3.3.2.4 Логічні елементи на мен-транзисторах
- •3.3.2.5 Інтегральна інжекційна логіка
- •3.3.2.6 Логічні елементи емітерно-зв'язкової логіки
- •3.4.1 Загальні відомості
- •Продовження таблиці 3.3
- •3.4.2 Характерні явища для тригерів
- •Лекція 9 3.5 Компаратори і тригери шмітта, генератори імпульсів
- •3.5.1 Загальні відомості
- •3.5.2 Мультивібратори
- •3.5.3 Одновібратори
- •До пункту 3.5.2
- •3.6 Інтегруючі і диференціюючи rc-ланцюги
- •3.6.1 Інтегруючий rc-ланцюг
- •3.6.2 Диференціюючий rc-ланцюг
- •4.1 Загальні відомості
- •4.2 Однофазний однопівперіодний випрямляч
- •4.3 Однофазний двухпівперіодний випрямляч із нульовим виводом
- •4.4 Однофазний мостовий випрямляч
- •4.5 Випрямлячі - помножувачі напруги
- •4.6 Згладжуючи фільтри
- •4.7.1 Параметричні стабілізатори напруги
- •4.7.2 Компенсаційні стабілізатори напруги
- •Контрольні питання
3.3.2.3 Логічні елементи на мон-транзисторах
Схеми логічних елементів НІ на МОН-транзисторах показані на рис.3.7. У схемі елемента НІ на р-МОН-транзисторах застосовують навантажувальний транзистор VT1, стік якого підключається до негативного джерела живлення мінус (рис. 3.7,а). Напруга негативної полярності вхідної змінної надходить на затвор вхідного транзистора VT2. У цій схемі застосовують транзистори з індукованими каналами.
У схемі елемента НЕ на n-МОН-транзисторах використовують навантажувальний транзистор VT1 з убудованим каналом, що підключається до позитивного джерела живлення плюс UCC . Позитивна напруга вхідний змінної X надходить на затвор вхідного транзистора VT2 з індукованим каналом (рис. 3.7, б). Навантажувальні транзистори включені за схемою двухполюсника.
Якщо вхідна напруга то транзистор VT2 закритий, a VT1 — відкритий і на виході встановлюється рівень напруги, близький до значення UCC .
Рисунок 3.7 - Схеми логічних елементів НІ на МОН-транзисторах.
Якщо вхідне напруг , то обоє транзистора відкрита й вихідна напруга знімається з дільника, утвореного опором каналів
,
де RB і RH — опору каналів вхідного й навантажувального транзисторів. Граничні напруги для р-МОН , а для п – МОН .
Схеми елементів HE-АБО й НЕ-І на п – МОН транзисторах показані на рис. 3.8. Елемент АБО-HІ утвориться паралельним з'єднанням вхідних транзисторів (рис. 3.8,а елемент НЕ-І послідовним з'єднанням (рис. 3.8, б).
Рисунок 3.8 - Схеми елементів АБО- HІ й І- НІ на п – МОН транзисторах.
Значення балка. 0 відображається напругою , а балка. 1 — напругою На виході елемента АБО- HІ встановлюється інверсне значення логічної суми вхідних змінних, а на виході елемента І-НІ встановлюється інверсне значення логічного добутку вхідних змінних. Наприклад, на виході елемента АБО- HІ рівень балка. 0 установлюється при наявності хоча б на одному вході одиничного сигналу. На виході елемента І -НІ рівень балка. 0 установлюється при збігу високих рівнів напруг на двох входах, коли одночасно відкриваються транзистори VT2 і VT3.
У комплементарної МОН-структурі (логіка КМОН) використовуються одночасно р-і п-канальні транзистори. Елемент НІ в схемотехніці КМОН побудований на двох транзисторах з індукованими каналами: навантажувальному VT2 із каналом р-типу й вхідному VT1 із каналом n-типу (рис. 3.9,а). Виток транзистора VT2 підключений до витоку позитивного живлення , напруга вхідний змінної X надходить на затвори обох транзисторів; вихідна напруга знімається з об'єднаних стоків.
Рисунок 3.9 - Схеми МОН-структур
При вхідному рівні транзистор VTI відкритий, a VT2 — закритий, оскільки між його затвором і витоком є нульова напруга. На виході встановлюється рівень і струм у ланцюзі не протікає. При вхідному рівні транзистор VT1 закритий, a VT2 — відкритий, тому що між його затвором і витоком є напруга . На виході — рівень і струм у ланцюзі не протікає.
На рисунку 3.9, б показана схема КМОН елемента АБО - НІ, у якому вхідні транзистори VT1 і VT2 включені паралельно, а навантажувальні — VT3 і VT4 — послідовно. Якщо хоча б на одному із входів є рівень напруги , то даний транзистор відкривається, на виході встановлюється рівень , навантажувальні транзистори закриті, струм у ланцюзі не протікає. Якщо на обох входах є рівень напруги то транзистори VTI і VT2 закриті, a VT3 і VT4 — відкриті, на виході встановлюється напруга й струм у ланцюзі не протікає.
На рис. 3.9 показана схема КМОН-елемента І-НІ, в якій вхідні транзистори VT1 і VT2 включені послідовно, а навантажувальні VT3 і VT4 — паралельно. Якщо на затвори вхідних транзисторів одночасно надходять сигнали , то транзистори VT1 і VT2 відкриваються, вихідний рівень дорівнює , навантажувальні транзистори закриті, струм у ланцюзі не протікає. Якщо хоча б на одному із входів є рівень напруги , то транзистори VTI і VT2 закриті, відкривається один з навантажувальних транзисторів VT3 або VT4. На виході встановлюється рівень і струм у ланцюзі не протікає.
Таким чином, у схемах КМОН у статичному стані протікає дуже малий робочий струм, оскільки при відкритих вхідних транзисторах закриті навантажувальні й навпаки. Сумарна потужність споживання в основному визначається енергією, що витрачається на перезаряд паразитних ємностей.
Промисловість випускає наступні серії КМОН: 176, 564, 561, КР1561 і КР1554. Мікросхеми швидкодіючої серії КР1554 мають функціональну й технічну повноту й включають логічні елементи, тригери, регістри, лічильники, дешифратори, мультиплексори й ін.