1. Технология медной металлизации

В 1997 году IBM объявила о том, что ей удалось решить многолетнюю проблему рентабельного производства интегральных микросхем с медной металлизацией (электропроводность меди значительно выше, чем у алюминия), что позволило еще существеннее сократить размеры и увеличить быстродействие чипов.

Для IBM наконец окупились 25 лет исследований: компания создала чипы с медными проводниками, став лидером в разработке полупроводниковых микросхем нового поколения.

Спустя два года после начала промышленного производства микросхем с медной металлизацией IBM отгрузила уже более 2 млн. таких чипов. Сегодня только Motorola и еще несколько конкурирующих с IBM компаний объявили о готовности к серийному производству микросхем с медной металлизацией.

В 2002 году технология медной металлизации IBM позволила Web-серверу IBM RS/6000 S80 на платформе UNIX обойти по продажам своего самого сильного конкурента — 64-процессорный сервер Е10000, являющийся флагманом серверной линейки компании Sun.

2. Технология soi («кремний-на-изоляторе»)

Е ще один технологический прорыв IBM — технология SOI («кремний-на-изоляторе»), разработанная в 1998 году. Как и в случае с медными проводниками, IBM в течение нескольких десятилетий работала над изобретением способа усовершенствования кремниевой технологии с целью повышения производительности компьютеров. Технология SOI позволяет изолировать транзисторы, помещая их на кремниевую пленку, нанесенную поверх утопленного слоя оксида кремния по всей поверхности кремниевой пластины. С помощью технологии SOI транзисторы можно размещать вертикально. Несмотря на то, что принципы технологии были разработаны IBM и другими компаниями значительно раньше, именно IBM стала первой, кому удалось применить ее на практике — для серийного выпуска микропроцессоров в промышленных масштабах. Технология SOI позволяет производить компактные компьютерные чипы, потребляющие минимум электроэнергии, что является одним из основных требований в производстве карманных компьютеров, портативной электроники и сложных интегрированных процессоров. IBM устанавливает процессоры с технологией медной металлизации и SOI на серверы семейств iSeries и pSeries.

3. Технология Low-k dielectric

Заставьте чип работать...

В апреле 2000 года IBM объявила о разработке фирменной технологии производства микро­схем — Low-k dielectric. Суть изобретения в том, что особый, похожий на пластик материал ис­пользуется для снижения уровня наводок (ин­терференции) между проводниками в составе кристалла, которые пагубно сказываются на производительности и энергопотреблении.

Сочетание медных проводников и техноло­гии Low-k dielectric способно повысить произ­водительность более чем на 30%, что особенно важно для высокопроизводительных Internet-серверов, сотовых телефонов и со­временного коммуникационного оборудования. Для того чтобы стимулировать разработку устройств на основе нового производственного процесса, IBM выпус­тила специализированный чип CU-11 (http://www.chips.ibm.com/products/asics/), толщина путей у которого в 900 раз тоньше человеческого волоса, а тактовая ча­стота составляет 1,8 ГГц. Девиз полупроводниковой индустрии можно сформули­ровать как «быстрее, меньше, дешевле», а микросхема CU-11 является его велико­лепным подтверждением. Технология Low-k dielectric будет применяться в микро­схемах P0WER4 следующего поколения.