18. Чем определяется напряжение питания в этих схемах, и зависит ли оно от входного вентиля (моп-вентили или-не и и-не)?

МОП вентиль И-НЕ.

А	В	Т1	Т2	Т3	Выход		Прим.
0	0	закрыт	закрыт	открыт	Е	1
0	1	закрыт	открыт по U закрыт по I	открыт	Е	1
1	0	закрыт по току	закрыт	открыт	Е	1
1	1			открыт	 ground	0	G3 << (G1+G2)

Недостаток схемы: Напряжение питания зависит от количества аргументов.

МОП вентиль ИЛИ-НЕ.

Т₁-Т₂ – логическая часть

Т₃ – нагрузочная часть

А	В	Т1	Т2	Т3	Выход		Прим.
0	0	закрыт	закрыт	открыт	Е	1
0	1		открыт	открыт	~0 B	0	Если R2 <<R3
1	0	открыт		открыт	~0 B	0	R1 << R3
1	1	открыт	открыт	открыт	~0 B	0	R3 >> (R2 || R1)

С увеличением количества вентилей в данной схеме ухудшается задержка.

19. Инжекционный элемент И-НЕ. Принципиальная схема, работа, математическая модель, варианты топологий и структур.

20. Синтезировать математические модели и принципиальные схемы элемента ИЛИ в КМОП-схемотехнике.

21. Инжекционный элемент ИЛИ-НЕ. Принципиальная схема, работа, математическая модель, варианты топологий и структур.

22. Синтезировать в различных схемотехнических базисах схемы И, математические модели которых содержат минимальное количество полупроводниковых областей.

23. Методика проектирования устройств ЭВМ в базисе ТТЛ. Привести пример.

Алгоритм проектирования сложных схем в базисе ТТЛ И-НЕ можно записать следующим образом: .

1. Взять МДНФ(F) – минимальную дизъюнктивную нормальную форму функции F.

2. Взять ее двойное отрицание.

3. Раскрыть внутреннее отрицание, использую закон Де Моргана, оставив внешнее отрицание.

Пример:

В соответствии с алгоритмом проектирования преобразуем правую часть равенства:

В соответствии с полученным логическим уравнением нарисуем схему в базисе ТТЛ И-НЕ.

24. Синтезировать в различных схемотехнических базисах схемы или, математические модели которых содержат минимальное количество полупроводниковых областей.

26. Сравнить математические модели n-моп и кмоп инверторов. Синтезировать их трехмерные структуры.