
- •1. Сравнительный анализ схемотехнических базисов эвм. Взаимосвязь логического, схемотехнического и конструкторского этапов проектирования.
- •3. Синтезировать принципиальную схему ттлш без резисторов, разработать структуру (математическую модель-дерево); сделать 3-х мерный вариант; описать работу полученного элемента.
- •4. Схемотехника моп-вентилей. Принципы синтеза.
- •5. Синтезировать модификации схем ттл с простым и сложным инверторами с низкоомным путем для рассасывания заряда q2.
- •- Нагрузочная способность
- •6. Сравнительный анализ схем инверторов на моп-транзисторах.
- •7. Определить минимальное значение напряжения питания для схемы ттл со сложным инвертором. 56 стр в лекциях?
- •8. Логический элемент и-не на моп-транзисторах. Принципиальная схема, работа, математическая модель, варианты топологий и структур.
- •9. Определить напряжение логической «1»схемы ттл с простым инвертором с открытым коллектором.
- •10. Логический элемент или-не на моп-транзисторах. Принципиальная схема, работа, математическая модель, варианты топологий и структур.
- •11. Рассчитать напряжение логической «1»схемы ттлш с простым инвертором.
- •12. Нарисовать модель фиэ размерностью 6 с одним циклом и реализовать ее в трех технологиях (эпитаксиально-планарной, с локальной эпитаксией, 3-d).
- •13. Схемотехника транзисторно-транзисторных элементов (ттл).
- •14. Существует ли кмоп логический вентиль с нечетным количеством транзисторов? Если существует, приведите пример. Опишите его работу.
- •15. Реализация функции и-или-не в ттл-схемотехнике.
- •16. Разработать математическую модель (граф) мэсл с минимальным количеством полупроводниковых областей (вершин графа).
- •17. (36) Схема ттл с тремя состояниями. Работа. Варианты использования.
- •18. Чем определяется напряжение питания в этих схемах, и зависит ли оно от входного вентиля (моп-вентили или-не и и-не)?
- •24. Синтезировать в различных схемотехнических базисах схемы или, математические модели которых содержат минимальное количество полупроводниковых областей.
- •26. Сравнить математические модели n-моп и кмоп инверторов. Синтезировать их трехмерные структуры.
- •25. Методика проектирования устройств эвм в базисе эсл. Привести примеры.
- •27. Методика проектирования устройств эвм в базисе и2л. Привести примеры.
- •28. Определить минимально возможное значение напряжение питания биполярного инвертора.
- •Статическая мощность логических элементов.
- •29. Методика проектирования устройств эвм в моп и кмоп схемотехниках. Привести примеры.
- •30. Синтезировать элемент с тремя состояниями в любой схемотехнике кроме ттл.
- •31. Схемотехника элементов эмиттерно-связанной логики (эсл).
- •Мэсл (маломощная эсл)
- •Увеличение быстродействия за счет уменьшения входного сопротивления
- •Реализацию дополнительной логической функции монтажное или (параллельное соединение эмиттерных повторителей)
- •32. Чем определяется напряжение питания моп-вентилей и-не? Как это влияет на другие технические параметры?
- •33. Варианты эсл. Режимы работы.
- •34. Чем хороша и чем плоха схема моп-инвертора, у которой затвор нагрузочного транзистора подсоединен к выходу схемы?
- •35. Схема источника опорного напряжения эсл-вентиля.
- •36. Синтезировать схему ттл с простым инвертором с тремя состояниями. Принципиальная схема, работа, математическая модель, варианты топологий и структур. 17 вопр
- •37. Реализация сложных логических функций на моп-транзисторах. Привести примеры.
- •38. Синтезировать многобазовый транзистор и вентиль (или вентили) на его основе. Принципиальная схема, работа, математическая модель, варианты топологий и структур.
- •39. Схемотехника кмоп-вентилей.
- •40. Спроектировать в базисе и2л 2-х разрядный сумматор с переносом в старший разряд.
- •41. Кмоп-инвертор. Принципиальная схема, работа, математическая модель, варианты топологий и структур.
- •42. Синтезировать и проанализировать структуры инжекционного инвертора с общей выходной областью. Принципиальная схема, работа, математическая модель, варианты топологий и структур.
- •43. Логический элемент и-не на кмоп-транзисторах. Принципиальная схема, работа, математическая модель, варианты топологий и структур.
- •44. Проанализировать различные структуры инжекционных инверторов.
- •45. Логический элемент или-не на кмоп-транзисторах. Принципиальная схема, работа, математическая модель, варианты топологий и структур.
- •46. Синтезировать структуру нстл с общими коллектором и эмиттером. Сайт
- •48. Нарисовать модель фиэ размерностью 8 с двумя циклами и реализовать ее в трех технологиях (эпитаксиально-планарной, с локальной эпитаксией, 3-d).
- •49. Ттл с простым инвертором. Принципиальная схема, работа, математическая модель, варианты топологий и структур.
- •50. Зависит ли мощность кмоп-вентиля от количества логических входов? Если зависит, то как?
- •52. Определить минимальное значение напряжения питания кмоп-вентилей и-не и или-не на 3 входа.
- •53.(55) Ттл со сложным инвертором. Принципиальная схема, работа, математическая модель, варианты топологий и структур.
- •55. Основные характеристики ттл со сложным инвертором.
- •57. Разновидности схем ттл со сложным инвертором.
- •58. Синтезировать схему мэсл без резисторов. Описать ее работу и различные варианты интегральных структур.
- •59. Инжекционный инвертор. Принципиальная схема, работа, математическая модель, варианты топологий и структур.
- •60. Нарисовать модель фиэ размерностью 7 с одним циклом и реализовать ее в трех технологиях (эпитаксиально-планарной, с локальной эпитаксией, 3-d).
Какую работу нужно написать?
46. Синтезировать структуру нстл с общими коллектором и эмиттером. Сайт
47. Схемотехника инжекционных схем. Алгоритм синтеза инжекционного инвертора.
U1 U2
(R1, T1) (R2, T2)
Хотим: U3 (R1, T2) (I)
Uвх = U0 T1 – закрыт Uвх = U1 T1 – насыщен
Uвых1 = U1 Uвых = U0
T2 – насыщен T2 – закрыт
IR1 втекает в базу T2 IR1 = Iк..нас1
Тогда получаем:
В качестве источника тока в интегральных схемах применяют pnp-транзисторы.
Принципиальная схема инжекционного инвертора транзисторной схемотехники.
Синтез структур инжекционных инверторов.
1) x
= nGround
Это инвертор с торцевым инжектором.
2) x = pE
48. Нарисовать модель фиэ размерностью 8 с двумя циклами и реализовать ее в трех технологиях (эпитаксиально-планарной, с локальной эпитаксией, 3-d).
49. Ттл с простым инвертором. Принципиальная схема, работа, математическая модель, варианты топологий и структур.
а)На входы А и В подается напряжение логического нуля. Переходы бэ1 и бэ2 транзистора Т1 открыты. Ток от цепи питания через резистор R1 и открытые переходы база-эмиттер будет уходить в управляющую схему. Необходимо, чтобы транзистор Т2 был закрыт. На выходе должна быть логическая единица. Участок [0-2] передаточной характеристики.
б) На вход А подается логический ноль, переход бэ1 открыт, на вход В подается логическая единица, переход бэ2 закрыт. Следовательно, транзистор Т1 открыт (т.к. один из переходов база-эмиттер открыт). Для транзистора Т2 режим аналогичен предыдущему, он закрыт. На выходе – логическая единица.
в) Аналогично второй строке, только переходы «меняются местами». На выходе – логическая единица.
г) На всех входах – логические единицы. Все эмиттерные переходы закрыты. И ток от цепи питания через резистор R1 и открытый переход база-коллектор тр-ра Т1 должен быть достаточным, чтобы ввести тр-р Т2 в насыщение. На выходе Uкэн – логический ноль. Участок [3-4] передаточной характеристики.
Участок [2-3] соответствует отпиранию выходного тр-ра Т2.
50. Зависит ли мощность кмоп-вентиля от количества логических входов? Если зависит, то как?
51. Основные характеристики ТТЛ с простым инвертором. +49 вопр
Логика – Л+.
A |
B |
МЭТ |
Т |
выход |
|
0 |
0 |
б-э1 отрыт б-э2 отрыт |
E1R1 закрыт |
n=0 E |
1 |
0 |
1 |
б-э1 отрыт б-э2 зарыт |
закрыт |
E |
1 |
1 |
0 |
б-э1 зарыт б-э2 отрыт |
закрыт |
E |
1 |
1 |
1 |
б-э1 зарыт б-э2 зарыт |
насыщен |
Uкэн (0.1 0.2 В) |
0 |

Достоинства и недостатки ТТЛ с простым инвертором.
В сравнении с ДТЛ:
Дост: мал площадь, мал мощность, мал задержка.
Недост: низкая помехоустойчивость.
Топология.
Существует паразитный транзистор p1 – n2 – p3
p1 – база
n2 – коллектор
p3 – Gound