- •1. Сравнительный анализ схемотехнических базисов эвм. Взаимосвязь логического, схемотехнического и конструкторского этапов проектирования.
- •3. Синтезировать принципиальную схему ттлш без резисторов, разработать структуру (математическую модель-дерево); сделать 3-х мерный вариант; описать работу полученного элемента.
- •4. Схемотехника моп-вентилей. Принципы синтеза.
- •5. Синтезировать модификации схем ттл с простым и сложным инверторами с низкоомным путем для рассасывания заряда q2.
- •- Нагрузочная способность
- •6. Сравнительный анализ схем инверторов на моп-транзисторах.
- •7. Определить минимальное значение напряжения питания для схемы ттл со сложным инвертором. 56 стр в лекциях?
- •8. Логический элемент и-не на моп-транзисторах. Принципиальная схема, работа, математическая модель, варианты топологий и структур.
- •9. Определить напряжение логической «1»схемы ттл с простым инвертором с открытым коллектором.
- •10. Логический элемент или-не на моп-транзисторах. Принципиальная схема, работа, математическая модель, варианты топологий и структур.
- •11. Рассчитать напряжение логической «1»схемы ттлш с простым инвертором.
- •12. Нарисовать модель фиэ размерностью 6 с одним циклом и реализовать ее в трех технологиях (эпитаксиально-планарной, с локальной эпитаксией, 3-d).
- •13. Схемотехника транзисторно-транзисторных элементов (ттл).
- •14. Существует ли кмоп логический вентиль с нечетным количеством транзисторов? Если существует, приведите пример. Опишите его работу.
- •15. Реализация функции и-или-не в ттл-схемотехнике.
- •16. Разработать математическую модель (граф) мэсл с минимальным количеством полупроводниковых областей (вершин графа).
- •17. (36) Схема ттл с тремя состояниями. Работа. Варианты использования.
- •18. Чем определяется напряжение питания в этих схемах, и зависит ли оно от входного вентиля (моп-вентили или-не и и-не)?
- •24. Синтезировать в различных схемотехнических базисах схемы или, математические модели которых содержат минимальное количество полупроводниковых областей.
- •26. Сравнить математические модели n-моп и кмоп инверторов. Синтезировать их трехмерные структуры.
- •25. Методика проектирования устройств эвм в базисе эсл. Привести примеры.
- •27. Методика проектирования устройств эвм в базисе и2л. Привести примеры.
- •28. Определить минимально возможное значение напряжение питания биполярного инвертора.
- •Статическая мощность логических элементов.
- •29. Методика проектирования устройств эвм в моп и кмоп схемотехниках. Привести примеры.
- •30. Синтезировать элемент с тремя состояниями в любой схемотехнике кроме ттл.
- •31. Схемотехника элементов эмиттерно-связанной логики (эсл).
- •Мэсл (маломощная эсл)
- •Увеличение быстродействия за счет уменьшения входного сопротивления
- •Реализацию дополнительной логической функции монтажное или (параллельное соединение эмиттерных повторителей)
- •32. Чем определяется напряжение питания моп-вентилей и-не? Как это влияет на другие технические параметры?
- •33. Варианты эсл. Режимы работы.
- •34. Чем хороша и чем плоха схема моп-инвертора, у которой затвор нагрузочного транзистора подсоединен к выходу схемы?
- •35. Схема источника опорного напряжения эсл-вентиля.
- •36. Синтезировать схему ттл с простым инвертором с тремя состояниями. Принципиальная схема, работа, математическая модель, варианты топологий и структур. 17 вопр
- •37. Реализация сложных логических функций на моп-транзисторах. Привести примеры.
- •38. Синтезировать многобазовый транзистор и вентиль (или вентили) на его основе. Принципиальная схема, работа, математическая модель, варианты топологий и структур.
- •39. Схемотехника кмоп-вентилей.
- •40. Спроектировать в базисе и2л 2-х разрядный сумматор с переносом в старший разряд.
- •41. Кмоп-инвертор. Принципиальная схема, работа, математическая модель, варианты топологий и структур.
- •42. Синтезировать и проанализировать структуры инжекционного инвертора с общей выходной областью. Принципиальная схема, работа, математическая модель, варианты топологий и структур.
- •43. Логический элемент и-не на кмоп-транзисторах. Принципиальная схема, работа, математическая модель, варианты топологий и структур.
- •44. Проанализировать различные структуры инжекционных инверторов.
- •45. Логический элемент или-не на кмоп-транзисторах. Принципиальная схема, работа, математическая модель, варианты топологий и структур.
- •46. Синтезировать структуру нстл с общими коллектором и эмиттером. Сайт
- •48. Нарисовать модель фиэ размерностью 8 с двумя циклами и реализовать ее в трех технологиях (эпитаксиально-планарной, с локальной эпитаксией, 3-d).
- •49. Ттл с простым инвертором. Принципиальная схема, работа, математическая модель, варианты топологий и структур.
- •50. Зависит ли мощность кмоп-вентиля от количества логических входов? Если зависит, то как?
- •52. Определить минимальное значение напряжения питания кмоп-вентилей и-не и или-не на 3 входа.
- •53.(55) Ттл со сложным инвертором. Принципиальная схема, работа, математическая модель, варианты топологий и структур.
- •55. Основные характеристики ттл со сложным инвертором.
- •57. Разновидности схем ттл со сложным инвертором.
- •58. Синтезировать схему мэсл без резисторов. Описать ее работу и различные варианты интегральных структур.
- •59. Инжекционный инвертор. Принципиальная схема, работа, математическая модель, варианты топологий и структур.
- •60. Нарисовать модель фиэ размерностью 7 с одним циклом и реализовать ее в трех технологиях (эпитаксиально-планарной, с локальной эпитаксией, 3-d).
52. Определить минимальное значение напряжения питания кмоп-вентилей и-не и или-не на 3 входа.
53.(55) Ттл со сложным инвертором. Принципиальная схема, работа, математическая модель, варианты топологий и структур.
Пара транзисторов Т2, Т3 по сути является одним составным транзистором с удвоенным напряжением отпирания. Составным его можно считать потому, что в обоих режимах схемы оба тр-ра работают в одинаковых режимах, если один закрыт, то и другой закрыт, и если один насыщен, то и другой насыщен. Кроме того, переход база-эмиттер транзистора Т2 выполняет функцию второго диода схемы сопряжения, что увеличивает запас помехоустойчивости до уровня стандартной ДТЛ.
А вот пара тр-ров Т3 – Т4 является парой антагонистов :если один открыт, другой обязательно закрыт. Использование тр-ра Т4 уменьшает выходное сопротивление схемы в режиме логической единицы на выходе, что приводит к улучшению быстродействия в сравнении с ТТЛ с простым инвертором.
а) Напряжение на входах А и В – напряжение логического нуля, самого низкого потенциала в схеме. Потенциал точки С определяется напряжением источника питания. Мы должны подобрать напряжение питания таким образом, чтобы переходы база-эмиттер были открыты и ток через открытые переходы от цепи питания и резистор R1 «уходил» в управляющую схему. Тр-р Т2 закрыт, в нем текут токи утечки, падение напряжения на R3 практически 0, и это напряжение подается на базу тр-ра Т3. На переходе база-эмиттер тр-ра Т3 нулевое смещение, тр-р Т3 закрыт. Ток утечки дает на R2 маленькое падение напряжения, поэтому на базе Т4 практически равно Е, тр-р Т4 открыт. На выходе – напряжение логической единицы:
б) На вход А подается напряжение логического нуля, а на вход В – напряжение логической единицы. Первый переход бэ1 открыт, второй – бэ2 закрыт. В параллельной цепочке, если хотя бы один переход открыт, то вся цепочка открыта. Режим работы компонентов сложного инвертора аналогичен предыдущему. На выходе – напряжение логической единицы.
в) Аналогично предыдущему, только переходы как бы меняются местами.
г) На оба входа подается напряжение логической единицы. Запираются все переходы база-эмиттер. Ток от цепи питания через резистор R1, открытый переход база-коллектор тр-ра Т1 поступает в базу тр-ра Т2. Тр-р Т2 должен быть введен в насыщение. Тогда в цепочке R2-T2-R3 потечет большой ток коллектора насыщения. Из-за падения напряжения на резисторе R3 на базе тр-ра Т3 по отношению к его эмиттеру увеличится напряжение, и оно должно быть таким, чтобы ввести тр-р Т3 в насыщение. Из-за большого тока через R2 падает потенциал на базе тр-ра Т4, в результате чего он закроется. Надежное запирание обеспечит диод D, включенный в цепь его эмиттера. Потенциал на выходе определяется напряжением коллектор-эмиттер насыщенного тр-ра Т3 (примерно 0,1-0,2В), то есть на выходе – напряжение логического нуля.
54. Реализовать функцию f=ab+c в КМОП-схемотехнике.
Синтезируем схему на МОП транзисторах, реализующую функцию .
Так как у функции отсутствует общая инверсия, необходимо ее «организовать». Взяв двойную инверсию над правой частью равенства и преобразовав ее, мы получим логическое уравнение с требуемой общей инверсией: