- •1. Сравнительный анализ схемотехнических базисов эвм. Взаимосвязь логического, схемотехнического и конструкторского этапов проектирования.
- •3. Синтезировать принципиальную схему ттлш без резисторов, разработать структуру (математическую модель-дерево); сделать 3-х мерный вариант; описать работу полученного элемента.
- •4. Схемотехника моп-вентилей. Принципы синтеза.
- •5. Синтезировать модификации схем ттл с простым и сложным инверторами с низкоомным путем для рассасывания заряда q2.
- •- Нагрузочная способность
- •6. Сравнительный анализ схем инверторов на моп-транзисторах.
- •7. Определить минимальное значение напряжения питания для схемы ттл со сложным инвертором. 56 стр в лекциях?
- •8. Логический элемент и-не на моп-транзисторах. Принципиальная схема, работа, математическая модель, варианты топологий и структур.
- •9. Определить напряжение логической «1»схемы ттл с простым инвертором с открытым коллектором.
- •10. Логический элемент или-не на моп-транзисторах. Принципиальная схема, работа, математическая модель, варианты топологий и структур.
- •11. Рассчитать напряжение логической «1»схемы ттлш с простым инвертором.
- •12. Нарисовать модель фиэ размерностью 6 с одним циклом и реализовать ее в трех технологиях (эпитаксиально-планарной, с локальной эпитаксией, 3-d).
- •13. Схемотехника транзисторно-транзисторных элементов (ттл).
- •14. Существует ли кмоп логический вентиль с нечетным количеством транзисторов? Если существует, приведите пример. Опишите его работу.
- •15. Реализация функции и-или-не в ттл-схемотехнике.
- •16. Разработать математическую модель (граф) мэсл с минимальным количеством полупроводниковых областей (вершин графа).
- •17. (36) Схема ттл с тремя состояниями. Работа. Варианты использования.
- •18. Чем определяется напряжение питания в этих схемах, и зависит ли оно от входного вентиля (моп-вентили или-не и и-не)?
- •24. Синтезировать в различных схемотехнических базисах схемы или, математические модели которых содержат минимальное количество полупроводниковых областей.
- •26. Сравнить математические модели n-моп и кмоп инверторов. Синтезировать их трехмерные структуры.
- •25. Методика проектирования устройств эвм в базисе эсл. Привести примеры.
- •27. Методика проектирования устройств эвм в базисе и2л. Привести примеры.
- •28. Определить минимально возможное значение напряжение питания биполярного инвертора.
- •Статическая мощность логических элементов.
- •29. Методика проектирования устройств эвм в моп и кмоп схемотехниках. Привести примеры.
- •30. Синтезировать элемент с тремя состояниями в любой схемотехнике кроме ттл.
- •31. Схемотехника элементов эмиттерно-связанной логики (эсл).
- •Мэсл (маломощная эсл)
- •Увеличение быстродействия за счет уменьшения входного сопротивления
- •Реализацию дополнительной логической функции монтажное или (параллельное соединение эмиттерных повторителей)
- •32. Чем определяется напряжение питания моп-вентилей и-не? Как это влияет на другие технические параметры?
- •33. Варианты эсл. Режимы работы.
- •34. Чем хороша и чем плоха схема моп-инвертора, у которой затвор нагрузочного транзистора подсоединен к выходу схемы?
- •35. Схема источника опорного напряжения эсл-вентиля.
- •36. Синтезировать схему ттл с простым инвертором с тремя состояниями. Принципиальная схема, работа, математическая модель, варианты топологий и структур. 17 вопр
- •37. Реализация сложных логических функций на моп-транзисторах. Привести примеры.
- •38. Синтезировать многобазовый транзистор и вентиль (или вентили) на его основе. Принципиальная схема, работа, математическая модель, варианты топологий и структур.
- •39. Схемотехника кмоп-вентилей.
- •40. Спроектировать в базисе и2л 2-х разрядный сумматор с переносом в старший разряд.
- •41. Кмоп-инвертор. Принципиальная схема, работа, математическая модель, варианты топологий и структур.
- •42. Синтезировать и проанализировать структуры инжекционного инвертора с общей выходной областью. Принципиальная схема, работа, математическая модель, варианты топологий и структур.
- •43. Логический элемент и-не на кмоп-транзисторах. Принципиальная схема, работа, математическая модель, варианты топологий и структур.
- •44. Проанализировать различные структуры инжекционных инверторов.
- •45. Логический элемент или-не на кмоп-транзисторах. Принципиальная схема, работа, математическая модель, варианты топологий и структур.
- •46. Синтезировать структуру нстл с общими коллектором и эмиттером. Сайт
- •48. Нарисовать модель фиэ размерностью 8 с двумя циклами и реализовать ее в трех технологиях (эпитаксиально-планарной, с локальной эпитаксией, 3-d).
- •49. Ттл с простым инвертором. Принципиальная схема, работа, математическая модель, варианты топологий и структур.
- •50. Зависит ли мощность кмоп-вентиля от количества логических входов? Если зависит, то как?
- •52. Определить минимальное значение напряжения питания кмоп-вентилей и-не и или-не на 3 входа.
- •53.(55) Ттл со сложным инвертором. Принципиальная схема, работа, математическая модель, варианты топологий и структур.
- •55. Основные характеристики ттл со сложным инвертором.
- •57. Разновидности схем ттл со сложным инвертором.
- •58. Синтезировать схему мэсл без резисторов. Описать ее работу и различные варианты интегральных структур.
- •59. Инжекционный инвертор. Принципиальная схема, работа, математическая модель, варианты топологий и структур.
- •60. Нарисовать модель фиэ размерностью 7 с одним циклом и реализовать ее в трех технологиях (эпитаксиально-планарной, с локальной эпитаксией, 3-d).
5. Синтезировать модификации схем ттл с простым и сложным инверторами с низкоомным путем для рассасывания заряда q2.
Модификации схемы ТТЛ со сложным инвертором (варианты оптимизации).
1. Схема отличается от стандартной тем, что диод из эмиттерной цепи Т4 перенесен в базовую.
Для исправления передаточной характеристики используется схема оптимизации 2.
2. В этой схеме вместо сопротивления R3 используется ключ R3-R5-T5. Транзистор Т3 открывается только тогда, когда будет открыт не только Т2, но и Т5. А Т2 и Т5 открываются одновременно. Фактически, Т2-Т5 – это как бы единый транзистор.
3. Оптимизация нагрузочной способности.
- Нагрузочная способность
Быстродействие здесь становится немного хуже, т.к. емкость увеличивается.
Транзисторы Т4-Т5 составляют пару Дарлингтона.
Улучшение быстродействия схемы ТТЛ со сложным инвертором.
Алгоритмы улучшения:
1. быстро уменьшать заряды Q2, Q3 Или 2. не накапливать эти заряды.
4. Использование медленного диода.
При подаче запирающего напряжения диод еще открыт.
Const = Q = t * Ip
Ip – ток рассасывания
Медленный диод формирует низкоомный путь для рассасывания Q3.
5.
Данный вариант способствует уменьшению Q3.
Q3 tp
tp – время рассасывания.
6. Использование диодов Шоттки.
Диоды Шоттки формируют низкоомный путь для отвода Q3 из базы насыщенного транзистора Т3.
7. Схема, в которой Q2=Q3=0 в режиме насыщения.
Qi=0
tТТЛШ = 3 нс
tТТЛ = 10 нс
6. Сравнительный анализ схем инверторов на моп-транзисторах.
Вариант 1.МОП инвертор с двумя источниками питания.
x |
T1(лог) |
T2(нагр) |
выход |
Условия |
|
0 |
закрыт |
открыт |
Uвых~E |
1 |
|
1 |
открыт |
открыт |
Uвых>0 |
0 |
G1 >> G2 |
Достоинство: второй источник питания Е1 в случае необходимости может управлять быстродействием элемента. При увеличении номинала Е2 увеличивается проводимость нагрузочного тр-ра Т2, что приводит к уменьшению выходного сопротивления схемы и к увеличению быстродействия (больший выходной ток за меньшее время перезаряжает нагрузочные емкости).
Недостаток: 2 источника питания.
Вариант 2. МОП инвертор с одним источником питания.
Достоинство: источник питания в схеме один.
Недостаток (в сравнении с 1 вариантом): тр-р Т2 имеет фиксированную проводимость, мы не можем управлять быстродействием инвертора.
Вариант 3. МОП инвертор с одним источником питания.
x |
T1(лог) |
T2(нагр) |
выход |
|
0 |
закрыт |
открыт |
Uвых~E |
1 |
1 |
открыт |
закрыт |
~0 |
0 |
Достоинство: в режиме когда на выходе логический ноль и Т2 закрыт, потребляемая мощность равна нулю, т.е. у третьей модификации потребляемая мощность меньше чем у первой и второй.
Недостаток: увеличение выходного сопротивления в момент запирания Т2 приводит к снижению быстродействия. Быстродействие у третьей модификации меньше, чем у первой и второй модификаций.