
- •1. Сравнительный анализ схемотехнических базисов эвм. Взаимосвязь логического, схемотехнического и конструкторского этапов проектирования.
- •3. Синтезировать принципиальную схему ттлш без резисторов, разработать структуру (математическую модель-дерево); сделать 3-х мерный вариант; описать работу полученного элемента.
- •4. Схемотехника моп-вентилей. Принципы синтеза.
- •5. Синтезировать модификации схем ттл с простым и сложным инверторами с низкоомным путем для рассасывания заряда q2.
- •- Нагрузочная способность
- •6. Сравнительный анализ схем инверторов на моп-транзисторах.
- •7. Определить минимальное значение напряжения питания для схемы ттл со сложным инвертором. 56 стр в лекциях?
- •8. Логический элемент и-не на моп-транзисторах. Принципиальная схема, работа, математическая модель, варианты топологий и структур.
- •9. Определить напряжение логической «1»схемы ттл с простым инвертором с открытым коллектором.
- •10. Логический элемент или-не на моп-транзисторах. Принципиальная схема, работа, математическая модель, варианты топологий и структур.
- •11. Рассчитать напряжение логической «1»схемы ттлш с простым инвертором.
- •12. Нарисовать модель фиэ размерностью 6 с одним циклом и реализовать ее в трех технологиях (эпитаксиально-планарной, с локальной эпитаксией, 3-d).
- •13. Схемотехника транзисторно-транзисторных элементов (ттл).
- •14. Существует ли кмоп логический вентиль с нечетным количеством транзисторов? Если существует, приведите пример. Опишите его работу.
- •15. Реализация функции и-или-не в ттл-схемотехнике.
- •16. Разработать математическую модель (граф) мэсл с минимальным количеством полупроводниковых областей (вершин графа).
- •17. (36) Схема ттл с тремя состояниями. Работа. Варианты использования.
- •18. Чем определяется напряжение питания в этих схемах, и зависит ли оно от входного вентиля (моп-вентили или-не и и-не)?
- •24. Синтезировать в различных схемотехнических базисах схемы или, математические модели которых содержат минимальное количество полупроводниковых областей.
- •26. Сравнить математические модели n-моп и кмоп инверторов. Синтезировать их трехмерные структуры.
- •25. Методика проектирования устройств эвм в базисе эсл. Привести примеры.
- •27. Методика проектирования устройств эвм в базисе и2л. Привести примеры.
- •28. Определить минимально возможное значение напряжение питания биполярного инвертора.
- •Статическая мощность логических элементов.
- •29. Методика проектирования устройств эвм в моп и кмоп схемотехниках. Привести примеры.
- •30. Синтезировать элемент с тремя состояниями в любой схемотехнике кроме ттл.
- •31. Схемотехника элементов эмиттерно-связанной логики (эсл).
- •Мэсл (маломощная эсл)
- •Увеличение быстродействия за счет уменьшения входного сопротивления
- •Реализацию дополнительной логической функции монтажное или (параллельное соединение эмиттерных повторителей)
- •32. Чем определяется напряжение питания моп-вентилей и-не? Как это влияет на другие технические параметры?
- •33. Варианты эсл. Режимы работы.
- •34. Чем хороша и чем плоха схема моп-инвертора, у которой затвор нагрузочного транзистора подсоединен к выходу схемы?
- •35. Схема источника опорного напряжения эсл-вентиля.
- •36. Синтезировать схему ттл с простым инвертором с тремя состояниями. Принципиальная схема, работа, математическая модель, варианты топологий и структур. 17 вопр
- •37. Реализация сложных логических функций на моп-транзисторах. Привести примеры.
- •38. Синтезировать многобазовый транзистор и вентиль (или вентили) на его основе. Принципиальная схема, работа, математическая модель, варианты топологий и структур.
- •39. Схемотехника кмоп-вентилей.
- •40. Спроектировать в базисе и2л 2-х разрядный сумматор с переносом в старший разряд.
- •41. Кмоп-инвертор. Принципиальная схема, работа, математическая модель, варианты топологий и структур.
- •42. Синтезировать и проанализировать структуры инжекционного инвертора с общей выходной областью. Принципиальная схема, работа, математическая модель, варианты топологий и структур.
- •43. Логический элемент и-не на кмоп-транзисторах. Принципиальная схема, работа, математическая модель, варианты топологий и структур.
- •44. Проанализировать различные структуры инжекционных инверторов.
- •45. Логический элемент или-не на кмоп-транзисторах. Принципиальная схема, работа, математическая модель, варианты топологий и структур.
- •46. Синтезировать структуру нстл с общими коллектором и эмиттером. Сайт
- •48. Нарисовать модель фиэ размерностью 8 с двумя циклами и реализовать ее в трех технологиях (эпитаксиально-планарной, с локальной эпитаксией, 3-d).
- •49. Ттл с простым инвертором. Принципиальная схема, работа, математическая модель, варианты топологий и структур.
- •50. Зависит ли мощность кмоп-вентиля от количества логических входов? Если зависит, то как?
- •52. Определить минимальное значение напряжения питания кмоп-вентилей и-не и или-не на 3 входа.
- •53.(55) Ттл со сложным инвертором. Принципиальная схема, работа, математическая модель, варианты топологий и структур.
- •55. Основные характеристики ттл со сложным инвертором.
- •57. Разновидности схем ттл со сложным инвертором.
- •58. Синтезировать схему мэсл без резисторов. Описать ее работу и различные варианты интегральных структур.
- •59. Инжекционный инвертор. Принципиальная схема, работа, математическая модель, варианты топологий и структур.
- •60. Нарисовать модель фиэ размерностью 7 с одним циклом и реализовать ее в трех технологиях (эпитаксиально-планарной, с локальной эпитаксией, 3-d).
42. Синтезировать и проанализировать структуры инжекционного инвертора с общей выходной областью. Принципиальная схема, работа, математическая модель, варианты топологий и структур.
43. Логический элемент и-не на кмоп-транзисторах. Принципиальная схема, работа, математическая модель, варианты топологий и структур.
У всех n-канальных транзисторов (Т1, Т2) логической части подложки подключены к шине «земля», а подложки p-канальных тр-ров (Т3, Т4) альтернативной части схемы подключены к питанию.
А |
В |
Т1 |
Т2 |
Т3 |
Т4 |
Выход |
|
0 |
0 |
закрыт |
закрыт |
отк |
откр |
Е |
1 |
0 |
1 |
закрыт |
открыт |
отк |
закр |
Е |
1 |
1 |
0 |
открыт |
закрыт |
зак |
откр |
Е |
1 |
1 |
1 |
открыт |
открыт |
зак |
закр |
~0 B |
0 |
а) На оба входа А и В подаются напряжения логического нуля, на стоках и затворах n-канальных тр-ров – низкий уровень напряжения, тр-ры Т1 и Т2 закрыты. Транзисторы Т3 и Т4 открыты, так как на затворах p-канальных тр-ров более отрицательный потенциал, чем на их истоках.
б) На вход А подается логический ноль, на вход В подается логическая единица. Тр-р Т1 закрыт, канала нет, следовательно, открыт тр-р Т3, его комплементарная пара. Тр-р Т2 открыт по напряжению, канал есть, а его комплементарная пара, тр-р Т4 закрыт. Логическая часть закрыта. Альтернативная часть открыта. На выходе ~Е – логическая единица.
в) На вход В подается логический ноль, на вход А подается логическая единица. Тр-р Т1 открыт по напряжению, его комлементарная пара – тр-р Т3 закрыт. Тр-р Т2 закрыт, канала нет, следовательно, его пара – тр-р Т4 открыт. Логическая часть закрыта. Альтернативная часть открыта. На выходе ~Е – логическая единица.
г)На входы А и В подается напряжение логической единицы. Это напряжение формирует каналы в транзисторах последовательной логической цепи (Т1 и Т2), их комплементарные пары Т3 и Т4 закрыты (альтернативная часть схемы закрыта). На выходе низкий уровень напряжения – логический ноль.
44. Проанализировать различные структуры инжекционных инверторов.
45. Логический элемент или-не на кмоп-транзисторах. Принципиальная схема, работа, математическая модель, варианты топологий и структур.
А |
В |
Т1 |
Т2 |
Т3 |
Т4 |
Выход |
|
0 |
0 |
закрыт |
закрыт |
отк |
откр |
Е |
1 |
0 |
1 |
закрыт |
открыт |
отк |
закр |
~0 B |
0 |
1 |
0 |
открыт |
закрыт |
зак |
откр |
~0 B |
0 |
1 |
1 |
открыт |
открыт |
зак |
закр |
~0 B |
0 |
а) На входы А и В подаются напряжения логического нуля, n-канальные тр-ры (Т1, Т2) закрыты. Их комплементарные пары (Т3, Т4) соответственно открыты. На выходе Е – напряжение логической единицы.
б) На вход А подается напряжение логического нуля, на вход В подается напряжение логической единицы. Тр-р Т1 закрыт, его пара Т3 открыт. Тр-р Т2 открыт, его пара Т4 закрыт.
Логическая часть схемы открыта, если открыт хотя бы один транзистор, а альтернативная часть закрыта, если закрыт хотя бы один их транзисторов. На выходе 0 – напряжение логического нуля.
в) На вход А подается напряжение логической единицы, а на вход В – напряжение логического нуля. Транзистор Т1 открыт, Т3 закрыт. Тр-р Т2 закрыт, канала нет, его комплементарная пара Т4 открыт. На выходе 0 – напряжение логического нуля.
г) На входы А и В подаются логические единицы. В альтернативной p-канальной части закрыты все транзисторы (Т3, Т4), их комплементарные пары Т1 и Т2 открыты. На выходе 0.