8.5. Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом

Устройство полевого транзистора с управляющим p-n переходом поясняется рисунком 8.21, на котором показаны условное обозначение транзистора и схема подключения к внешним питающим источникам.

Полевой транзистор состоит из пластины с электронной проводимостью n, в которую встроены две пластины р проводимости. Торцевые области n проводимости имеют электроды исток (И) и сток (С), которые соединены с источником Еси. Минус источника подключен к истоку (И), а его плюс подключен к стоку (С). Пластины р проводимости закорочены и соединены с электродом затвор (З). Электроды З и И соединены с источником Ези в обратном направлении.

Рис.8.21. Условное обозначение полевого транзистора с управляющим p-n переходом и схема подключения его к внешним питающим источникам

Если напряжение Uзи = 0 , то электроды И и С закорочены n-каналом, у которого сопротивление сток-исток равно нулю, а р-n переходы незначительны. При этом транзистор открыт, так как находится в режиме насыщения. С увеличением модуля отрицательного напряжения Uзи, сопротивление между электродами сток-исток будет увеличиваться до бесконечности, так как p-n переходы будут увеличиваться до закрытия n-канала. Транзистор закроется, и будет находиться в режиме отсечки.

На рис.8.22 изображены статические характеристики полевого транзистора.

Рис.8.22. Совмещение выходных характеристик полевого транзистора с управляющим p-n-переходом Iс = f(Uси) при Uзи = Const с входной характеристикой транзистора Iс = f(Uзи) при Uси = Const.

8.6. Полевые мдп-транзисторы с индуцированным каналом p-типа

Полевые МДП-транзисторы имеют связь металла и полупроводника через диэлектрик. На рис.8.23 изображено условное обозначение полевого транзистора и схема его подключения к внешним источникам питания.

МДП-транзистор с индуцированным каналом p-типа имеет четыре электрода затвор (З), сток (С), исток (И) и подложку (П). Полупроводник состоит из пластины электронной проводимости n (подложки П), в которую встроены две пластины с дырочной проводимостью p, соединённых с электродами (С) и (И).

Рис.8.23. Условное обозначение полевого МДП-транзистора с индуцированным каналом p-типа и схема его подключения к внешним источникам питания

При отключенном источнике Ези и, включенном в обратном направлении относительно подложки П источнике Еси, между пластинами р проводимости связи нет. Сопротивление между стоком и истоком Rси = , транзистор находится в закрытом состоянии.

Рис.8.24. Совмещение выходных характеристик полевого МДП-транзистора с индуцированным каналом p-типа Iс = f(Uси) при Uзи = Const с входной характеристикой транзистора Iс = f(Uзи) при Uси = Const.

При включении питания Ези в обратном направлении относительно подложки, под действием электрического поля начнётся оттеснение электронов n из поверхностного слоя подложки вглубь её, образуя р – канал между истоком и стоком. Если уменьшать отрицательное напряжение между затвором и истоком, за счёт изменения сопротивления Rз, то сопротивление р – канала начнёт уменьшаться до нуля, транзистор откроется.

На рис.8.24 приведены статические характеристики транзистора.