- •1. Электрические цепи постоянного тока
- •Элементы электрической цепи постоянного тока
- •1.2. Электрический ток, эдс и напряжение
- •1.3. Активные и пассивные элементы электрических цепей. Закон Ома
- •1.4. Источник эдс и источник тока
- •1.5. Законы Кирхгофа
- •1.6. Использование законов Кирхгофа для расчета электрических цепей
- •1.7. Эквивалентные преобразования электрических цепей
- •1.7.1. Последовательное соединение элементов.
- •1.7.2. Параллельное соединение элементов.
- •1.7.3. Смешанное соединение резистивных элементов.
- •1.7.4. Эквивалентные преобразования резистивных элементов треугольником и звездой.
- •1.8. Использование метода узловых потенциалов
- •1.9. Метод контурных токов
- •1.10. Работа и мощность постоянного тока. Закон Джоуля – Ленца
- •2. Электрические цепи переменного тока
- •2.1. Генерация синусоидальной эдс. Основные величины, характеризующие переменный ток
- •2.2. Представление синусоидальных величин аналитически, графически, вращающимися векторами, комплексными числами
- •2.3. Цепь переменного тока с активным сопротивлением
- •2.4. Цепь переменного тока с индуктивностью
- •2.5. Цепь переменного тока с ёмкостью
- •2.6. Цепь переменного тока с активным сопротивлением и индуктивностью
- •2.7. Цепь переменного тока с активным сопротивлением и ёмкостью
- •2.8. Неразветвлённая цепь переменного тока с активным сопротивлением, индуктивностью и ёмкостью. Резонанс напряжений
- •2.9. Разветвленная цепь однофазного переменного тока. Резонанс токов
- •2.10. Колебательный lc - контур переменного тока
- •2.11. Коэффициент мощности
- •3. Трёхфазные электрические цепи
- •3.1. Преимущество трёхфазного тока. Принцип получения трёхфазной эдс
- •3.2.2. Отсутствие нулевого провода
- •3.3. Обрыв фазы и короткое замыкание фазы без нулевого провода при соединении источников энергии и потребителей звездой
- •3.3.1. Обрыв фазы a
- •3.3.2. Короткое замыкание фазы a
- •3.4. Соединение источников и приёмников электроэнергии треугольником. Соотношения между фазными и линейными напряжениями и токами при симметричной и несимметричной нагрузках
- •3.5. Обрыв фаз и обрыв линейного провода при соединении источников и потребителей треугольником
- •3.5.1. Обрыв фазы ab
- •3.5.2. Обрыв фаз ab и bc
- •3.5.3. Обрыв линейного провода
- •3.6. Мощность трёхфазной цепи
- •3.7. Соотношения активных мощностей при симметричной нагрузке и при соединении звездой и треугольником
- •3.8. Вращающееся магнитное поле трёхфазной системы переменного тока
- •4. Трансформаторы
- •4.1. Назначение, области применения, устройство и принцип действия однофазного трансформатора
- •4.2. Режимы работы трансформатора. Коэффициент полезного действия трансформатора
- •4.3. Трёхфазные трансформаторы
- •4.4. Измерительные трансформаторы
- •5. Электрические измерения
- •5.1. Методы измерения. Погрешности измерения и классы точности
- •5.2. Приборы магнитоэлектрической системы
- •5.3. Приборы электромагнитной системы
- •5.4. Приборы электродинамической системы
- •5.5. Цифровые измерительные приборы
- •5.6. Логометры
- •5.7. Индукционные приборы
- •5.8. Измерение мощности в трёхфазных цепях
- •5.9. Омметры. Мегомметры
- •10. Измерение ёмкости и индуктивности
- •6. Электрические машины постоянного тока
- •6.1. Устройство и принцип действия генератора постоянного тока
- •6.2. Генераторы постоянного тока независимого и параллельного
- •6.3. Генераторы постоянного тока последовательного и смешанного возбуждений и их основные характеристики
- •6.4. Принцип действия электродвигателя постоянного тока
- •6.5. Электродвигатели постоянного тока параллельного возбуждения
- •6.6. Электродвигатели постоянного тока последовательного и смешанного возбуждений и их основные характеристики
- •6.7. Пуск, регулирование частоты вращения и реверс электродвигателей постоянного тока
- •7.Трёхфазные асинхронные машины
- •7.2. Зависимость частоты вращения ротора, величины эдс и тока
- •7.3. Электромагнитный момент и механическая характеристика
- •7.4. Пуск асинхронных двигателей (трёхфазных и однофазных)
- •7.5. Регулирование частоты вращения трёхфазного асинхронного двигателя
- •7.6. Реверс и способы управления асинхронными двигателями
- •8. Полупроводниковые приборы
- •8.1. Электропроводность полупроводников
- •8.2. Полупроводниковые диоды. Устройство, принцип действия
- •8.3. Биполярные транзисторы. Устройство, принцип работы
- •8.4. Схемы включения биполярных транзисторов с p-n-p структурой
- •8.5. Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом
- •8.6. Полевые мдп-транзисторы с индуцированным каналом p-типа
- •8.7. Полевые мдп-транзисторы с индуцированным каналом n-типа
- •8.8. Динисторы, тиристоры. Устройство, принцип действия
- •8.9. Симисторы. Устройство, принцип действия
- •8.10. Фоторезисторы и фотодиоды. Устройство, принцип действия
- •8.11. Фототранзисторы, фототиристеры, оптроны.
- •9. Схемы электронных преобразователей
- •9.1. Однополупериодные и двухполупериодные выпрямители
- •9.2. Трёхфазные выпрямители. Электрические сглаживающие фильтры
- •9.3. Электронные уилители.
- •9.4. Усилительные каскады на биполярных транзисторах
- •9.5. Усилители постоянного тока
- •9.6. Импульсные усилители
- •9.7. Операционные усилители
- •10. Цифровые устройства
- •10.1. Логические функции, логически устройства.
- •10.2. Основные логические элементы.
- •4. Логический элемент или, операция логическое сложение ,
- •10.3. Диодные логические элементы или, и
- •10.4. Транзисторный логический элемент не. Логический элемент и-не транзисторно-транзисторной логики
- •10.5. Логический элемент или-не эмиттерно-связанной логики
- •10.6. Асинхронный rs-триггер. Устройство, принцип действия
- •10.7. Синхронный rs-триггер. Устройство, принцип действия
- •10.8. Синхронные d и t-триггеры. Устройство, принцип действия
- •10.9. Синхронный jк - триггер. Устройство, принцип действия
- •10.10. Шифратор. Устройство, принцип работы
- •10.11. Дешифратор. Устройство, принцип работы
- •10.12. Регистры. Устройство, принцип работы
- •10.13. Счётчики импульсов. Устройство, принцип работы
- •10.14. Сумматоры. Устройство, принцип работы
- •10.15. Аналого-цифровые и цифро-аналоговые преобразователи
- •10.16. Микропроцессоры и микропроцессорные системы
- •Библиографический список
- •Cодержание
- •1. Электрические цепи постоянного тока……………………………………………. 3
- •1.1. Элементы электрической цепи постоянного тока……………………………… 3
8. Полупроводниковые приборы
8.1. Электропроводность полупроводников
Полупроводниками называются материалы, занимающие промежуточное положение между проводниками и диэлектриками. У металлов удельное сопротивление ρ = Ом·м, у диэлектриков ρ = Ом·м, у полупроводников ρ = Ом·м. Наибольшее распространение получили полупроводниковые материалы кремний Si и германий Ge. Особенностью проводников является наличие свободных электронов – носителей электрических зарядов. В диэлектриках свободных электронов нет. В отличие от проводников полупроводники имеют не только электронную, но и дырочную проводимости, которые зависят от температуры окружающей среды, наличия освещённости, электрического поля, примесей и других факторов. Кристаллическая решетка полупроводника имеет парноэлектронную связь атомов. На рис 8.1 приведены схематические изображения парноэлектронной связи атомов.
Рис 8.1. Схематические изображения парноэлектронной связи атомов
Кристаллическая решётка четырёхвалентного германия изображена на рис.8.2.
Рис 8.2. Кристаллическая решётка четырёхвалентного германия
Каждый атом германия образует парноэлектронную связь с четырмя соседними атомами. При отсутствиии примесей и температуре окружающей среды, близкой к абсолютному нулю, свободных электронов нет и германий не обладает электропроводностью. При повышении температуры окружающей среды появляются свободные электроны, которые под действием внешнего электрического поля перемещаются, и возникает электрический ток. Электропроводность, обусловленная перемещением свободных электронов, называется электронной электропроводностью полупроводника или n – электропроводностью. Дырки перемещаются противоположно движению электронов.
На рис.8.3 изображена схема образования свободного электрона, а так же перемещения электронов и заполнения дырок в кристалле германия.
Рис 8.3. Схема образования свободного электрона, а так же перемещения электронов и заполнения дырок в кристалле германия
Электропроводность, возникающая в результате перемещения дырок, называется дырочной электропроводностью или p – электропроводностью. Рассмотренные n и p – электропроводности, носят названия собственных электропроводностей.
Вводя в кристалл полупроводника примеси других элементов, можно получить примесные электропроводности либо n, либо p – электропроводности. Пятивалентные элементы: мышьяк, сурьма, фосфор образуют свободные электроны. Трехвалентные элементы: индий, галлий, алюминий способствуют появлению дырок. На рисунках 8.4 и 8.5 изображены схемы связи примесей с германием.
Рис.8.4. Схема замещения в кристаллической решётке атома германия пятивалентным атомом фосфора
Замещение в кристаллической решётке атома германия Ge пятивалентным атомом фосфора P, способствует образованию свободного электрона, что соответствует электронной n – электропроводности. Такая электропроводность называется донорской. Атом фосфора, потеряв электрон, становится неподвижным положительным ионом.
Рис.8.5. Схема замещения в кристаллической решетке атома германия атомом трёхвалентного индия
Замещение в кристаллической решетке атома германия Ge атомом трехвалентного индия In, образует ковалентную связь с тремя атомами германия. Такая связь образует дырочную p – электропроводность и называется акцепторной. Атом индия превращается в неподвижный отрицательный ион.