- •Физико-химические основы технологии электронных средств
- •Раздел 1. Химическая термодинамика
- •Введение
- •Внутренняя энергия. Как уже отмечалось уравнением ( ), внутренняя энергия является характеристической функцией при независимых переменных V и s, т. Е.
- •Энтальпия. Энтальпия является характеристической функцией при независимых переменных р и s, т. Е.
- •Раздел 2. Технологические процессы
- •1. Эпитаксия кремния Введение
- •1.1. Хлоридный метод
- •1.1.2.Кинетика и микромеханизм кристаллизации азс
- •1.1.3. Температурная зависимость скорости роста. Механизм хлоридного процесса.
- •1.1.4 Взаимосвязь условий формирования эпитаксиальных слоев и их структурных параметров.
- •1.2. Гидридный метод
- •1.2.1. Термодинамический анализ пиролиза силана.
- •1.2.2. Кинетика и микромеханизм кристаллизации аэс при пиролизе силана
- •1.2.3. Гетероэпитаксия кремния на сапфире
- •2.3. Диффузия из конечного ( ограниченного ) источника.
- •2.4. Методы осуществления диффузии.
- •2.5. Создание диодных структур.
- •2.6. Распределение примесей в транзисторной структуре.
- •3. Ионное легирование
- •3.1. Теоретические сведения
- •3.2. Распределение концентрации примеси в слое.
- •3.3. Образование радиационных деффектов.
- •3.4. Отжиг легированных структур.
- •3.5. Формирование диодных и транзисторных структур.
- •3.6. Оборудование для ионного легирования.
- •3.7. Преимущества и недостатки ионного легирования
- •4. Метализация
- •4.2. Конденсация.
- •4.3. Влияние температуры и пересыщения на скорость роста пленки
- •Исходные данные для расчетов при металлизации по кремнию
- •4.4. Установка для металлизации.
- •5. Формирование химических источников тока
- •5.1. Теоретические предпосылки
- •5.2. Термодинамика гальванического элемента.
- •5.3. Температурная зависимость э.Д.С.
- •5.4. Зависимость э.Д.С. От концентрации электролитов
- •Литература
5.4. Зависимость э.Д.С. От концентрации электролитов
Зависимость э. д. с. от концентраций электролитов, участвующих в реакции, может быть найдена при помощи уравнения изотермы химической реакции.
Пусть в гальваническом элементе протекает реакция
A+B==2D, при этом
(5.13)
где К – константа равновесия;
Сi –исходные концентрации компонентов.
Подставляя вместо ΔG = - nFE и разделив обе части уравнения на (-nF), получим
(5.14)
или, обозначая величину, зависящую только от температуры через Е0 получим
(5.15)
Иногда в качестве электролита химического источника тока используют смесь различных солей. В этом случае один из компонентов является продуктом реакции, а другой снижает его активность. Например, для случая в общем виде
АO | BO – KOH | B
AO + B = BO( раств. в KOH) + A
Для этого случая зависимость э.д.с. от концентрации может быть найдена при помощи уравнения изотермы химической реакции в виде
ΔGT = ΔGoT - RTln aBO
где aВО – активность компонента ВО
Подставляя вместо ΔG = - nFE и разделив обе части уравнения на-nF, получим
E = Eo – (RT/nF) ln aBO (5.16)
Величина Ео называется стандартной э. д. с. элемента, она отвечает случаю равенства единице активности (или концентраций) всех участвующих в реакции веществ, т. е. стандартному изменению свободной энергии реакции ΔGо.
Таблица 4.1
Некоторые типы электрохимических источников тока
-
№
Химическая реакция в элементе
АiO | BjO – KOH | B
1
Ag2O + Zn = ZnO(раств) + 2Ag
2
Ag2O + Cd = CdO(раств) + 2Ag
3
NiO + Zn = ZnO(раств) + Ni
4
NiO + Cd = CdO(раств) + Ni
5
HgO + Zn = ZnO(раств) + Hg
6
HgO + Cd = CdO(раств) + Hg
Таблица 4.2
Исходные термодинамические данные
|
ΔH298, Кдж/моль |
S298, дж/моль К |
|
ΔH298, Кдж/моль |
S298 дж/моль К |
Ag2O NiO HgO ZnO CdO |
30,5 242,8 90,9 348,3 260,4 |
121,8 38,6 70,5 43,5 54,8 |
Ag Ni Hg Zn Cd |
- - - - - |
41,5 51,7 42,6 78,2 29,8 |
R = 8,314 дж/моль град n = 2 F =96493к
Литература
1. А.А.Жуховицкий, Л.А. Шварцман. Физическая химия. Изд-во "Металлургия", М.,1968