- •Раздел I
- •В.Г. Беспалов, в.Н. Крылов, в.Н. Михайлов основы оптоинформатики
- •Раздел I
- •Введение
- •Глава 1, глава 2 и Приложения написаны в.Г. Беспаловым, глава 3 написана в.Н. Крыловым и глава 4 написана в.Н. Михайловым.
- •§2. Предельные возможности элементной базы электронной компьютерной техники
- •§3. Оптические технологии в информатике
- •§4. Аналоговые оптические вычисления и процессоры
- •§5. Оптический процессор Enlight256
- •§6. Голографические методы обработки информации
- •§7. Цифровые оптические процессоры
- •Глава 2. Теория информации для оптических систем §1. Основы теории информации
- •§ 1.1. Количество информации в системе равновероятных событий. Подход Хартли.
- •§1.2. Количество информации в системе событий с различными вероятностями. Подход Шеннона
- •§1.3. Обобщенная схема информационной системы
- •§1.4. Основные характеристики информационной системы
- •§1.5. Дискретизация и теорема отчетов (Котельникова)
- •§1.6. Пропускная способность канала при наличии белого теплового шума
- •§1. 7. Избыточность информации
- •§2. Теория информации в оптике
- •§2.1. Число пространственных степеней свободы когерентных оптических сигналов
- •§2.2. Теоремы д. Габора
- •§2.3. Число степеней свободы частично когерентных оптических сигналов
- •§ 2.4. Информационная емкость голограмм
- •Глава 3. Источники излучения для оптоинформатики
- •§1. Физические основы работы лазеров
- •§1.1. Оптическое усиление
- •§1.2. Взаимодействие излучения с веществом.
- •1.2.1. Излучение абсолютно чёрного тела.
- •1.2.2. Статистика Больцмана
- •1.2.3. Коэффициенты Эйнштейна.
- •§1.3. Поглощение и усиление
- •1.3.1. Инверсная населённость.
- •§1.4. Принципы лазерной генерации
- •1.4.1. Методы создания инверсной населённости.
- •Трёхуровневая система.
- •Четырёхуровневая система.
- •Методы накачки активных лазерных веществ.
- •§1.5. Основные типы лазеров: классификация лазеров по агрегатному состоянию активного вещества
- •§1.6. Твердотельные лазеры
- •§1.5. Газовые лазеры
- •§1.5. Жидкостные лазеры
- •§2. Полупроводниковые лазеры §2.1. Физические основы работы полупроводникового лазера
- •§2.2. Полупроводники
- •§2.3. Прямозонные и непрямозонные полупроводники
- •§2.4. Полупроводниковые светодиоды
- •§2.5. Основные параметры полупроводниковых лазеров
- •§2.6. Полупроводниковые лазеры на основе гетероструктур
- •§2.7. Квантоворазмерные структуры
- •§2.8. Безопасность лазеров
- •§3. Источники излучения фемтосекундной и аттосекундной длительности §3.1. Предельно короткие импульсы света и сверхсильные поля
- •3.2. Методы генерации сверхкоротких, в том числе фемтосекундных импульсов
- •3.2.1. Электрооптический затвор на основе эффекта Поккельса.
- •3.2.2. Работа лазера в режиме синхронизации мод.
- •§3.2. Генерация аттосекундных импульсов электромагнитного излучения
- •Глава 4. Локальная и распределенная запись информации §4.1. Локальная (побитовая) запись
- •§4.2. Голографическая (распределенная) запись
- •§4.3. Оптические дисковые системы записи и хранения информации
- •§4.4. Голографические системы записи информации
- •§4.5. Быстродействие оптических устройств записи и хранения информации
- •Список литературы
- •Приложения Параметры и свойства оптических материалов
- •Механизмы поглощения оптического излучения в полупроводниках
- •Эффект Франца-Келдыша (электроабсорбционный эффект) в полупроводниках
- •Квантово-размерный эффект Штарка
- •Кафедра фотоники и оптоинформатики
§1.5. Газовые лазеры
В газовых лазерах в качестве активной среды используется газообразные вещества. Семейство газовых лазеров многочисленно и они генерируют в широком спектральном диапазоне: от УФ области спектра до субмиллиметровых волн. Газы по сравнению с конденсированными средами обладают большей однородностью. Поэтому излучение этих лазеров однородно, а расходимость может достигать дифракционных пределов. Но из-за малой плотности газа невозможно получить их большую концентрацию – поэтому удельный энергосъём у газовых лазеров значительно ниже, чем у твердотельных и жидкостных лазеров.
Гелий-неоновый лазер (He-Ne лазер). Это был первый газовый лазер и его запустил американский учёный А. Джаван (рис.1.22) в 1961 году.
Рис. 1.22. Создатель He-Ne лазера А. Джаван
Упрощённая схема энергетических уровней He-Ne лазера изображена на рисунке 1.23. В гелий-неоновом лазере активным веществом являются нейтральные атомы Ne. При электрическом разряде часть атомов Ne переходит с основного уровня E1 на возбуждённый верхний уровень E5. Но в чистом Ne время жизни на этом уровне мало и атомы быстро переходят с него на нижние уровни E4, E3, E2 и E1, что препятствует созданию инверсной населённости. Примесь He существенно меняет ситуацию. Возбуждённые энергетические уровни атома гелия F2 и F3 совпадают с верхними уровнями E5 и E4 неона. Поэтому при столкновении возбуждённых электронным ударом атомов He, с невозбуждёнными атомами Ne (с энергией E1) происходит передача возбуждения, в результате которой атомы Ne переходят на уровни E5 и E4, а атомы He возвращаются в основное состояние F1. При достаточно большом числе атомов He в газовой смеси можно добиться преимущественного заселения уровней E5 и E4 неона. Этому же способствует опустошение уровня E3, происходящее при соударении атомов неона со стенками газоразрядной трубки. Уровни E5, E4, E3 обладают сложной структурой, т. е. состоят из множества подуровней. В результате гелий-неоновый лазер может работать на 30 длинах волн, из которых наиболее эффективными и востребованными являются 0.63 мкм и 1.15 мкм. Несмотря на малый КПД этих лазеров, их излучение обладает высокой монохроматичностью, а конструкция самого лазера достаточно проста и надёжна.
Рис. 1.23. Упрощённая схема энергетических уровней He-Ne лазера
Ионные лазеры. Генерация на ионизированных газах была впервые получена американским физиком У. Б. Бриджесом в 1964 году. Ионные лазеры обладают большей выходной мощностью, чем газовые лазеры на нейтральных атомах. Инверсия населённости создаётся между уровнями энергии атомарных ионов в электрическом разряде. Генерация наблюдается на 440 переходах ионов 29 элементов. Наиболее мощная генерация (до сотен Вт) получена в сине-зелёной области спектра (488 нм – 514 нм) на ионах Ar2+, в жёлто-красной (568 нм – 647 нм) на ионах Kr2+, на УФ линиях Ne2+, Ar3+ и Kr3+. Упрощённая схема энергетических уровней Ar2+ лазера представлена на рисунке 1.24. Ионные лазеры широко применяются в физических исследованиях, голографии и фотолитографии.
Рис. 1.24. Упрощённая схема энергетических уровней Ar2+ лазера
CO2 лазеры. Относятся к классу газовых молекулярным лазеров. Это наиболее мощные газовые лазеры с высоким КПД.
В атомарных и ионных лазерах первый возбуждённый уровень обычно имеет энергию, равную приблизительно ½ энергии ионизации, остальные уровни расположены выше, сгущаясь к ионизационному пределу. Поэтому большинство процессов возбуждения неселективно: возбуждается одновременно много уровней, что уменьшает КПД такого лазера. А молекулы, в отличие от атомов, кроме электронных уровней имеют колебательные и вращательные уровни энергии (рис. 1.25).
Рис. 1.25. Возможные колебания молекулы CO2
Расстояния между нижними колебательными уровнями часто малы, поэтому можно возбудить только колебания молекул, не затрагивая электроны. У многоатомных молекул существует несколько типов колебаний. Излучательные переходы между уровнями одинакового типа дают квантовый выход, близкий к единице. Высокая эффективность возбуждения колебательных уровней, большой квантовый выход и селективность резонансной передачи энергии позволяет достичь в молекулярных газовых лазерах КПД до 25 %. Генерация наблюдается на колебательно-вращательных переходах 23 молекул.
Наиболее интересны молекулярные лазеры на CO2 ( = 9.4 мкм и = 10.6 мкм). В газовой смеси CO2 и N2 газоразрядных CO2 лазеров электроны в тлеющем разряде возбуждают колебательные уровни молекул CO2 и N2 (рис. 1.26).
Рис. 1.26. Схема нижних колебательных состояний молекулы СО2
Молекулы N2 при столкновении с молекулами CO2 передают им энергию, заселяя верхний лазерный уровень. Достигаемые мощности – единицы кВт. Схема конструкции такого лазера с продольным разрядом представлена на рисунке 1.27. В более мощных CO2 лазерах используется схема с поперечным разрядом и непрерывной прокачкой газа, что позволят достигать на выходе – десятки кВт.
Рис. 1.27. Схема конструкции СО2 лазера с продольным разрядом
Эксимерные лазеры. Это газовые лазеры, работающие на переходах между электронными уровнями эксимерных молекул (молекул, существующих только в электронно-возбуждённом состоянии). Нижний уровень лазерного перехода является т. н. “отталкивательным” (невозбуждённые атомы отталкиваются друг от друга и не образуют молекулу). Энергия верхнего уровня лазерного перехода молекулы KrF (см. рис. 1.28) имеет минимум, соответствующий образованию эксимерной молекулы. При наличии в газе некоторого количества эксимерных молекул, создаваемых накачкой, инверсия населённостей возникает благодаря эффекту опустошения нижнего уровня за счёт разлёта ядер.
Рис. 1.28. Зависимость энергии эксимерной молекулы KrF от расстояния R между атомами Kr и F
В эксимерных лазерах используются двухатомные эксимерные молекулы – короткоживущие соединения атомов инертных газов друг с другом, с галогенами или с кислородом. Излучение этих молекул соответствует видимой или УФ областям спектра. Наиболее часто используются следующие эксимерные лазеры: ArF ( = 193 нм), KrF ( = 248 нм), XeCl ( = 309 нм), XeF ( = 351 нм).
Активная среда эксимерного лазера состоит из инертного газа при атмосферном давлении или несколько большем давлении с возможными малыми добавками галогенсодержащих молекул. Эксимерные молекулы образуются в результате протекания, например, следующего процесса
Kr* + F2 –» (KrF)* + F
В силу малых времён жизни активных молекул (~10-8 с) и большой ширины линии усиления для осуществления генерации требуется создать достаточно высокую концентрацию эксимерных молекул. Это достигается за счёт использования мощных импульсных источников возбуждения – мощных электронных пучков или импульсного поперечного разряда. При возбуждении импульсным электрическим разрядом возможна генерация с высокой частотой повторения импульсов (~ 10 кГц) и высокой средней мощностью излучения (десятки Вт). Фотография одного из промышленно выпускаемых эксимерных лазеров представлена на рисунке 1.29.
Рис. 1.29. Внешний вид эксимерного лазера MPB