Многоколлекторные транзисторы (мкт).

Структура МКТ является основной структурой единицей для И²Л. Структура МКТ представляет собой транзистор МЭТ включенного в инверсном режиме, т.е. общим эмиттером является эпитаксиальный слой, а коллекторы – n области малых размеров. Структура МКТ представлена на рис. 7. Главной проблемой при конструировании этого транзистора является обеспечения достаточного высокого коэффициента передачи тока от общего n–эмиттера к каждому из n –коллекторов. Это достигается расположение скрытого n –слоя как можно ближе к базовому и расположением n –слоев как можно ближе друг к другу.

^

Составные транзисторы.

Для повышения коэффициента усиления схемы используют составные транзисторы. Они могут быть реализованы как на основе двух транзисторов одного типа, так и на основе транзисторов разного типа. На рис. 8 представлена структура, в которой в зависимости от схемы соединения может быть осуществлен составной транзистор, состоящий из двух n–p–n транзисторов с общим коллектором, или составной транзистор, состоящий из вертикального n–p–n транзистора и горизонтального p–n–p транзистора. Составной транзистор имеет коэффициент усиления, равный произведению коэффициента усиления составляющих его транзисторов, однако быстродействие его определяется наименее быстродействующим транзистором.

^

Интегральные диоды и стабилитроны.

Любой из p–n переходов транзисторной структуры может быть использован для формирования диодов, обычно используется переходы база–эмиттер и база–коллектор. На рис. 9 представлено пять возможных вариантов использования p–n переходов в качестве диода: 

– на основе перехода база– эмиттер с коллектором, закороченным на базу (БК–Э);

– на основе перехода коллектор–база с эмиттером, закороченным на базу (БЭ–К);

– с использование эмиттерного и коллекторного переходов, когда эмиттерные и коллекторные области соединены (Б–ЭК);

– на основе перехода база эмиттер, с разомкнутой цепью коллектора (Б–Э);

– на основе перехода база–коллектор с разомкнутой цепью эмиттера (Б–К).

Основные параметры этих типов включения представлены в табл. 4. Из этой таблице видно, что пробивное напряжение ^ U_пр больше у тех вариантов, в которых используется коллекторный переход, а обратные токи I_обр меньше у тех вариантов, в которых используется только эмиттерный переход. Емкость диода между катодом и анодом C_д у вариантов с наибольшей площадью перехода (т.е. для включения Б–ЭК) максимальна. Паразитная емкость на подложку C_о минимальна у варианта Б–Э. Время восстановления обратного тока t_в, характеризующего время переключения диода, минимально для варианта БК–Э, так как у этого варианта накапливается заряд только в базе.

Табл. 4. Параметры интегральных диодов от схемы включения.

Параметры	Вариант включения
	БК–Э	БЭ–К	Б–ЭК	Б–Э	Б–К
Uпр, В	7…8	40…50	7…8	7…8	40…50
Iобр, нА	0,5…1,0	15…30	20…40	0,5…1,0	15…30
Cд, пФ	0,5	0,7	1,2	0,5	0,7
Cо, пФ	3	3	3	1,2	3
tв, нс	10	50	100	50	75

Оптимальными для микросхем являются вариантами диода являются БК–Э и Б–Э. пробивное напряжение для такого типа включения составляет 7…8 В, что вполне достаточно для использования этих вариантов в низковольтных микросхемах.

С. для фиксации напряжения можно исС. В этом случае диод работает в режиме лавинного пробоя. Обратное включение диода БЭ–К применяют для получения напряжения стабилизации 3…5 В с температурным коэффициентом –(2…3) мВ/Стабилитроны в интегральных схемах необходимы для фиксирования определенного уровня или для стабилизации напряжения. Интегральные стабилитроны могут формироваться на базе структуры интегрального транзистора в в различных вариантах в зависимости от необходимого напряжения стабилизации и его температурного коэффициента. Обратное включение диода Б–Э используется для получения напряжения 5…10 В с температурным коэффициентом (2…5)мВ/С.пользовать один или несколько последовательно включенных в прямом направлении диодов БК–Э. При этом напряжение стабилизации кратно напряжению на открытом переходе (0,7 В). Температурная чувствительность такого включения составляет – 2мВ/