Датчики ускорения (акселерометры).
T
T—
не более +0.5°С
Датчики давления.
Датчики влажности (гигрометры).
Датчики магнитного поля.
Контрольные вопросы
Датчики: назначение, виды классификации по принцип действия, примеры (интегральные датчики, датчики температуры, ускорения (акселерометры), давления, влажности (гигрометры), магнитного поля).
Датчики по измеряемому параметру, классификация датчиков температуры:, особенности применения, схемы.
Датчики ускорения (акселерометры): классификация, особенности применения, схемы.
Датчики давления: классификация, особенности применения, схемы.
Датчики влажности (гигрометры): классификация, особенности применения, схемы.
Датчики магнитного поля: классификация, особенности применения, схемы, принцип действия датчика Хола.
Раздел 2. Схемотехнические решения
Тема 16 (4 час) Конструкции интегральных микросхем и микропроцессоров
Классификация интегральных микросхем по конструктивно-технологическим признакам.
Требования к конструкции интегральных микросхем.
Полупроводниковая интегральная схема (ИС) изготовляется на подложке монокристаллического кремния площадью 1…10 мм2. На столь малой площади располагается несколько десятков (иногда сотен) пассивных и активных интегральных элементов: транзисторов (полевых, биполярных, p–n–p- и n–p–n-типов, малосигнальных, мощных импульсных), диодов, резисторов, конденсаторов. Эти элементы объединяются в схему, которая должна удовлетворять нескольким требованиям:
иметь заданные электрические параметры,
быть многофункциональной в применении,
технологичной для массового производства,
обладать малой себестоимостью и
большой надежностью.
Классификация интегральных микросхем по конструктивно-технологическим признакам.
Различные виды интегральных микросхем (ИМС) являются основной элементной базой радиоэлектронной аппаратуры.
Интегральная микросхема – это конструктивно законченное микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования информации и обработки сигнала, имеющее высокую плотность упаковки электрически соединённых элементов и компонентов (транзисторов, диодов, конденсаторов, резисторов и т.д.), изготовленных в едином технологическом цикле, которое с точки зрения требований к испытаниям, приёмке, поставке и эксплуатации рассматривается как единое целое.
Микросхемы изготавливают групповым методом по материалосберигающей технологии, тиражирую одновременно в одной партии от нескольких десятков до нескольких десятков тысяч микросхем.
По конструктивно-технологическим принципу интегральные микросхемы разделяют на три группы:
полупроводниковые,
гибридные и
прочие (плёночные, вакуумные, керамические и т.д.)
Полупроводниковая ИМС – интегральная микросхема, все элементы и межэлементные соединения которой выполнены в объёме и на поверхности полупроводниковой подложки.
Плёночная ИМС – интегральная микросхема, все элементы и межэлементные соединения которой выполнены в виде плёнок. В настоящее время методом пленочной технологии изготавливают только пассивные элементы – резисторы, конденсаторы и индуктивности. В зависимости от толщины пленки и способа создания элементов пленочные микросхемы делят на тонко– и толстопленочные.
К первому типу относятся микросхемы толщина пленки в которых не превышает 1 мкм, а толщина пленки в толстопленочной микросхеме составляет 10…70 мкм.
Гибридная ИМС – интегральная микросхема, содержащая кроме элементов компоненты и кристаллы:
в качестве активных элементов навесные дискретные полупроводниковые приборы или полупроводниковые интегральные микросхемы, а
в качестве пассивных элементов - пленочные резисторы, конденсаторы, индуктивности и соединяющие их пленочные проводники.