40) Устройство, принцип действия, схемы включения биополярного транзистора

Устройство

Биполярный транзистор состоит из трёх различным образом легированных полупроводниковых слоёв: эмиттера E, базы B и коллектора C. В зависимости от типа проводимости этих зон различают NPN (эмиттер − n-полупроводник, база − p-полупроводник, коллектор − n-полупроводник) и PNP транзисторы. К каждой из зон подведены проводящие невыпрямляющие контакты. База расположена между эмиттером и коллектором и слаболегирована, поэтому имеет большое омическое сопротивление

Каждый из p–n-переходов транзистора может быть смещён либо в

прямом, либо в обратном направлениях. В зависимости от этого различают

четыре режима работы транзистора:

1) активный (усиления). Эмиттерный переход смещён в прямом

направлении, а коллекторный – в обратном;

2) отсечки. Оба перехода смещены в обратном направлении;

3) насыщения. Оба перехода смещены в прямом направлении;

4) инверсный. Эмиттерный переход смещён в обратном направлении,

а коллекторный -– в прямом.

41 Достижения полупроводниковой электроники

Полупроводниковая электроника – раздел электроники,изучающий электронные процессы в полупроводниках и их использования для передачи.

Этому развитию послужило бурное развитие электроники в 50-70-е г г ХХ в

В наст время идет активное развитие совершенствования радиоэлектронной аппаратуры ;

Работа с преобразователями,усилителями,выпрямителями,транзиторами,тиристорами,диодами и создания новых модификаций микросхем

Появление плоских диодов

Значительное уменьшение размеров приборов и деталей

Работа в диапазоне от t -60 до +200 С

Умение выдерживать циклические нагрузки перепады t,влажность

Повышение мощности и частоты эл/м колебаний, преобразуемых в одном приборе

Создание генераторов и усилителей миллиметрового диапазона.

42 Преимущества и недостатки биполярного транзистора

Биполярный транзистор -полупроводниковый прибор с двумя взаимодействующими электрическими переходами и тремя (и более) выводами.

Транзистор – прибор для определения электрич сигналов.

Взавис от чередования зон проводимости различ: р –n –р тип и n –р –n тип

Э –эмиттер К –коллектор Б –база(самый тонкий слой) мкм ЭП –эмиттерный переход(переход эмиттер -база) прямой КП –коллекторный переход(переход –коллектор –база ) обратный

Электронно –дырочный переход

p-n-p тип	n-p-n тип
Дост: меньшие габариты, масса Больше надежность и срок службы	Недост: огранич диапазон темп работы *до100С –у германиевых транзисторов *до 200С у кремниевы транзисторов Чувствительность к ионизирующим излучениям

43 Уравнения дв-я электропривода

Электропривод –электро механ система сост из двигательного преобразовательного передаточного, упровляющего устр –в, предназначенных для проведения в движения исполнительных органов раб машины и управление этим движением.

Нагрузка на валу эл/дв складывается из статической и динамической нагрузкок.

1)Статистическая (обуслав полярным и вредным сопротив дв –я сил трения, резания ,веса и проч ).

2)Динамическая (возн при измен кинет энергии в сист привода вслед измен скорости дв –я тел или частей устройств).

М =Мстатич +Мдинамич =Мстатич +

Мстатич различ :

Активн: Мстатич=

Реактивн: Мстат=

F -усилие

R –радиус шкива

m -масса шкива

g-ускорение свободного падения

I -радиус инерции –расст от оси вращен до точки, на которой сосредоточена вся масса тела

ω-угловая скорость

t-время.