- •Министерство образования и науки украины
- •1. Строение атома
- •1.2. Некоторые сведения из квантовой механики
- •1.3. Уравнение Шредингера для атома водорода
- •1.4. Спин электрона
- •1.5. Атомная орбиталь
- •1.6. Принцип Паули
- •1.7. Многоэлектронные атомы
- •2. Химическая связь
- •2.1. Основные характеристики химической связи
- •2.1. Составление химических уравнений
- •2.3. Стехиометрические расчеты в химии
- •2.5. Номенклатура неорганических соединений
- •2.5. Скорость химических реакций.
- •3. Кристаллохимия
- •3.1. Ионные кристаллы
- •3.2. Ковалентные связи в кристаллах
- •3.3. Металлическая связь
- •3.4. Слабая (ван-дер-ваальсовая) связь в кристаллах
- •3.5. Кристаллохимические параметры
- •4. Кристаллография (1 часть)
- •4.1. Предмет кристаллографии
- •4.4. Сетка Вульфа. Сферические координаты
- •4.5. Элементы симметрии кристалла
- •5. Кристаллография (2 часть)
- •5.1. Сингонии. Решетки Бравэ
- •5.2. Некоторые наиболее распространенные типы решеток
- •5.3. Пространственная решетка
- •5.4. Индицирование направления
- •5.5. Индицирование плоскостей (hkl)
- •5.6. Индицирование гексагональных кристаллов (граней)
- •5.7. Термины в кристаллографии
- •6. Дефекты кристаллической решетки
- •6.1. Точечные дефекты
- •6.2. Миграция точечных дефектов
- •6.3. Диффузия в твердых телах
- •6.4. Дислокации в кристаллах
- •7. Макро-, микро- и наноструктура материалов
- •7.1. Макроскопический анализ
- •7.2. Микроскопический анализ
- •7.3. Принцип работы металлографического микроскопа
- •7.4. Определение балла зерна
- •7.5 Фазовый анализ
- •7.6. Наноструктура
- •7.7. Рентгеноструктурный анализ материалов
- •8. Механические свойства твердых материалов
- •8.1. Разновидности механических свойств материалов
- •8.3. Упругая линейная продольная деформация
- •8.4. Сдвиг. Упругая деформация сдвига
- •8.5. Взаимосвязь между деформациями растяжения (сжатия) и сдвига
- •9. Всесторонняя деформация сжатия
- •9.1. Закон Гука для всесторонней деформации
- •9.2. Закон Гука для деформации вдоль одной стороны
- •9.3. Связь между модулем всестороннего сжатия и
- •9.4. Напряжения при ударе
- •9.5. Упругое последствие
- •10. Изгиб и кручение материалов
- •10.1. Изгиб. Упругая изгибная деформация
- •10.2. Прогиб и поворот сечения балки
- •10.3. Прогиб балки на двух опорах
- •10.4. Кручение материалов. Деформация кручения
- •11. Пластичность. Твердость. Ударная вязкость
- •11.1. Пластическая деформация твердых тел
- •11.2. Физическая сущность пластической деформации
- •11.3. Пластическая деформация поликристаллов
- •11.4. Основные характеристики деформации и разрушения
- •11.5. Твердость материалов
- •12. Разрушение материалов. Пути повышения прочности
- •12.1. Прочность. Виды разрушений
- •12.2. Ползучесть материалов
- •12.3. Другие механические свойства
- •12.4. Пути повышения прочности материалов
- •13. Тепловые свойства твердых тел
- •13.1. Колебания атомов в кристаллах
- •13.2. Теплоемкость твердых тел
- •13.3. Теплопроводность твердых тел
- •13.4. Тепловое расширение твердых тел
- •13.5. Зависимость механических напряжений от температуры
- •13.6. Повышение механических свойств материалов под действием температуры
- •14. Жидкое состояние вещества
- •14.3. Вязкость жидкостей
- •14.4. Поверхностное натяжение
- •14.5. Явления смачивания
- •14.6. Жидкие растворы
- •14.9. Осмотическое давление
- •15. Структура полимеров
- •15.1. Молекулярное строение полимеров
- •15.2. Классификация полимеров
- •15.3. Превращения в полимерах
- •15.4. Надмолекулярная структура полимеров
- •16. Механические свойства полимеров
- •16.1 Высокоэластическое состояние полимеров
- •16.2. Модель Максвелла для линейных полимеров
- •16.3. Модель Кельвина-Фогта для сетчатых полимеров
- •17. Термодинамика фазовых превращений
- •17.1. Фазовые превращения. Правило фаз
- •17.2. Термодинамические функции и параметры
- •Свойства термодинамических функций:
- •17.3. Связь между основными термодинамическими функциями и параметрами
- •17.4. Химический потенциал
- •18. Фазовые переходы I рода. Плавление и
- •18.1. Фазовые переходы I рода
- •18.2. Уравнение Клапейрона-Клаузиуса
- •18.3. Плавление и кристаллизация
- •18.4. Термический анализ
- •19. Фазовые превращения в твердом состоянии
- •19.1. Изоморфизм и полиморфизм вещества
- •19.2. Полиморфные превращения
- •19.3. Бездиффузионные и диффузионные превращения
- •19.4 Кинетика твердофазных превращений
- •19. 5 Упорядочение и разупорядочение в сплавах
- •19.6. Диаграмма состояния сплавов с учетом твердофазных превращений
- •19.7. Эвтектоидные превращения
- •19. 8. Рекристаллизация
- •20. Сплавы
- •20.1. Классификация сплавов
- •20.2. Зависимость свободной энергии Гиббса от температуры и
- •20.3. Система с неограниченной растворимостью компонентов в жидком и твердом состояниях
- •20.4. Построение диаграмм состояния методом термического
- •21. Диаграммы состояния бинарных систем
- •21.1. Система с ограниченной взаимной растворимостью
- •21.2. Анализ диаграммы состояния для сплавов с эвтектическим
- •21.3. Анализ диаграммы состояния для сплавов с перитектическим превращением.
- •21.4. Диаграммы состояния для сплавов, когда компоненты образуют химические соединения
- •22. Изучение диаграмм состояния
- •22.1. Построение и расшифровка диаграмм состояния тройных сплавов
- •22.2. Основные типы диаграмм состояния трехкомпонентных
- •II. Изотермические и политермические сечения тройных диаграмм.
- •23. Определение концентрации компонентов
- •Бинарные сплавы
- •Найти молярную массу бинарного раствора м при известных ,,м1 и м2.
- •24.2. Неорганическое стекло
- •24.3. Механические и тепловые свойства стекла
- •24.6. Оптические свойства стекла
- •24.5. Применение технических стекол.
- •25. Дисперсные системы
- •25.1. Введение
- •25.2. Свойства малых частиц
- •25.3. Коагуляция частиц
- •26. Электрические свойства материалов
- •26.1. Элементы зонной теории твердого тела
- •26.2. Электропроводность твердых тел
- •26.2. Поляризация диэлектрика
- •26.4. Сверхпроводники
- •26.5. Электрический ток в жидкостях
- •27. Магнитные свойства твердых тел
- •27.1. Магнитные моменты атомов
- •27.2. Намагничивание. Диа- и парамагнетики
- •27.3. Ферромагнетики
4. Кристаллография (1 часть)
4.1. Предмет кристаллографии
Кристаллография - наука о кристаллах и кристаллическом строении вещества.
Геометрическая кристаллография изучает геометрию внешней формы кристаллов и их внутреннее строение.
Физическая кристаллография изучает физические свойства кристаллов в зависимости от их структуры.
Кристаллохимия изучает связь между строением кристаллов и их химическим составом.
В настоящее время предмет кристаллографии охватывает не только кристаллы, но и амфорные, стеклообразные, полимерные и даже жидкие системы. Поэтому современная кристаллография - это область науки, изучающая структуру и свойства конденсированных состояний вещества и их связи с пространственным соотношением межатомных сил.
Кристаллография тесно связана с физикой, химией, минералогией, материаловедением, рентгеноструктурным анализом, математикой, металлургией, машино- и приборостроением, электронной техникой, строительным делом.
В состав различных строительных конструкций и изделий непременно входят кристаллические тела: металлы и сплавы - в металлические конструкции: трубы, котлы и т.д.; силикаты, оксиды металлов, бориды, карбиды, нитриды, силициды и др. - в состав бетонных изделий и композиционных материалов и т.д.
По строению твердые тела условно модно разделить на:
- кристаллические;
- аморфные;
- композиционные.
Примерами кристаллических тел являются природные и искусственные монокристаллы, все металлы и сплавы в обычном состоянии и др. При нормальных скоростях охлаждения все химические элементы в твердом состоянии являются кристаллическими.
Примерами аморфных тел являются стекла, аморфные пленки, полимерные материалы, древесина и пр.
Композиционные материалы сочетают в себе и кристаллические и аморфные составляющие – бетон, железобетон, металлокерамика и пр.
О
сновным
признаком
различия кристаллических и аморфных
тел – это наличие у первых температуры
плавления (кривая 1 на рис.) и отсутствие
её у стекол (кривая 2).
Следующий признак – это наличие у кристаллов кристаллической решетки и отсутствие таковой у аморфных тел.
Рис. 4.1. Кривые нагревания кристалла (1)
и аморфного тела (2).
Строение кристаллов
"
Кристаллос"
по-гречески "лед", "кварц".
Кристаллыобразуются
в природных и лабораторных условиях в
виде
многогранников со
строго закономерным
внутренним
строением.
Поверхность многогранников ограничена совершенными плоскостями - гранями, которые пересекаются по прямым линиям - ребрам. Точки пересечения ребер образуют вершины. Геометрически правильная форма кристаллов обусловлена строго закономерным внутренним строением. Все кристаллы построены из материальных частиц, геометрически правильно расположенных в пространстве - в кристаллической решетке в виде узлов. Реальные ребра и грани усеяны правильно расположенными атомами, ионами, молекулами.
Ретикулярная плотность р - количество узлов Ny, приходящихся на единицу площади S поверхности грани кристалла:
р = Ny / S.
В кристаллах различают ближний и дальний порядок.
Ближний порядок - порядок расположения соседних атомов по отношению к данному.
Дальний порядок - порядок, сохраняемый по отношению не только к ближайшему окружению, но и ко всем остальным атомам, составляющим кристалл.
Монокристалл - это кристалл, в котором атомы сохраняют порядок по отношению ко всему его объему, т.е. в нем имеется как ближний, так и дальний порядок.
Монокристаллы однородны по всему объему и анизотропны, т.е. порядок расположения атомов и физические свойства различны вдоль разных направлений.
Поликристаллы - кристаллические тела, состоящие из хаотически размещенных монокристаллических зерен. Поликристаллы - в целом изотропны, хотя каждое монокристаллическое зерно анизотропно. Аморфные тела также, в основном, изотропны (стекла, жидкости, полимерные некристаллические материалы и пр.).
Под кристаллом в дальнейшем будем иметь ввиду монокристалл.
Кристалл - это дискретная трехмерная периодическая пространственная система частиц.
Макроскопически трехмерная периодичность проявляется в его однородности и способности к самоогранке с строго постоянными двугранными углами и анизотропности свойств. В 1669 г датским ученым Н. Стено, на образцах горного хрусталя (SіO2), в 1749 г. М.В.Ломоносовым на кристаллах селитры и в 1783 г французским кристаллографом Ж.Роме-де-Лилем на многочисленных кристаллах был установлен закон постоянства углов: углы между соответствующими гранями (и ребрами) во всех кристаллах одного и того же вещества постоянны, независимо от внешней формы кристалла (для одной полиморфной модификации).
Гониометрия - метод измерения углов между гранями кристалла и определения по ним типа кристалла.

Прикладной гониометр Караджо (показан на рис. 4.2). Он служит для определения углов между гранями кристалла.
Рис. 4.2. Гониометр Караджо.
Стереографические проекции
Ц
ифровой
материал,
найденный посредством
гониометрических
измерений, следует изобразить
графически на специальных
проекциях, которые называют
стереографическими. На рисунке 4.3
показаны:
О - центр проекции,
Ш - шар проекции,
Q - плоскость проекции,
К - круг проекции,
NS - ось проекции,
S - точка зрения
Рис. 4.3. Схема построения стереографических проекций
Пример 1. Построение стереографической проекции а направления ОА:
а1 - точка пересечения направления ОА с шаровой проекцией;
Sа1 - луч зрения;
а - стереографическая проекция направления ОА.
Таким образом, стереографическая проекция направления изображается точкой:
а - стереографическая проекция направления ОА на плоскость проекций Q;
а' - сферическая проекция.
Пример 2. Стереографическая проекция грани на плоскость Q (рис. 4.4):
П
устьR
- плоскость или грань
кристалла, тогда
a'b'd' - точки пересечения лучей зрения,
sa', sb', sd' с шаром проекций,
abd точки пересечения лучей зрения,
sа, sb', sd с кругом проекций.
Рис. 4.4.
Вывод: Стереографические проекции плоскости (грани) изображаются дугами.
Пример 3. Проектирование кристалла методом стереографических проекций. На рис. 4.5 показаны:
A
BCDA
- кристаллический
многогранник;
О - центр тяжести;
a1,b1,c1,d1 точки пересечения нормалей к граням с шаром проекций;
a, b, c, d - стереографические проекции направлений на плоскость проекций Q.
Вывод: грани на проекции
Рис. 4.5. изображаются точками.
Н
ормали
к граням, пересекающим шар в верхней
полусфере,проектируются
внутри круга проекций, а нормали к
граням, пересекающим
d нижней полусфере, проектируются вне
круга (рис. 4.6).
Неудобство последнего построения заставляет переносить для таких нормалей точку зрения S в северный полюс N. В этом случае проекции нижних граней находятся
Рис. 4.6. внутри круга. Чтобы различить друг от друга проекции нормалей к верхним и нижним граням, первые обозначаются кружками, а вторые – крестиками.
Горизонтальные грани проектируются в центре круга проекций, вертикальные - на круге проекций, косые - внутри круга проекций.
