Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

fiz_osnovy_elektroniki_КЛ

.pdf
Скачиваний:
29
Добавлен:
15.02.2016
Размер:
3.83 Mб
Скачать

10.8. Жидкие кристаллы

Особый класс электрооптических материалов представляют жидкие кристаллы. Жидкокристаллическое состояние вещества было открыто в 1888 г., но применять жидкие кристаллы стали лишь относительно недавно.

Жидкие кристаллы – это вещества, которые находятся в промежуточном состоянии между твердым кристаллом и жидкостью и обладают свойствами, характерными как для кристаллов (анизотропия), так и для жидкостей (текучесть). Жидкокристаллическое состояние существует лишь в определенном интервале температур между твердокристаллическим и изотропным жидким. При понижении температуры жидкий кристалл переходит в твердый (точка плавления), а при повышении – в изотропную жидкость. Жидкокристаллическую фазу иногда называют мезофазой, т. е. промежуточной фазой, а жидкокристаллическое состояние вещества – мезоморфным.

Жидкие кристаллы образуются органическими соединениями, молекулы которых обычно имеют удлиненную, плоскообразную форму. Многие из них содержат бензольные кольца в молекулярной цепи. Например, молекула p-метоксибензилинен – p -n-бутиланилина (МББА), интервал температур мезофазы которого составляет 22–48 C, имеет вид

По структуре жидкие кристаллы подразделяют на три класса: нематические, смектические и холестерические.

Внематических кристаллах удлиненные молекулы выстроены в виде нитей, как показано на рис. 10.16 а (слово «немос» по-гречески означает нить). Направление преимущественной ориентации молекул является оптической осью кристалла.

Всмектических жидких кристаллах параллельно ориентированные молекулы упакованы в слои (рис. 10.16б) и таким образом имеют большую степень упорядочения. Если одно и то же вещество может находиться в обеих жидкокристаллических модификациях, то смектическая фаза расположена по температуре ближе к твердой фазе, чем нематическая. Например, в n-гептилоксибензойной кислоте происходят следующие фазовые превращения с повышением температуры:

твердый 92 C

смектический

98 C

нематический

146 C изотропная

жидкий

жидкий

кристалл

 

жидкость

кристалл

 

кристалл

 

 

 

151

Слоистая упаковка молекул создает анизотропию не только оптических, но и механических свойств, поскольку слои легко смещаются относительно друг друга. Слово “смектос” по-гречески – мыло; к этим кристаллам относятся мыльные растворы.

В холестерических жидких кристаллах пластинчатые молекулы также укладываются в слои, но ориентировка их плавно меняется от слоя к слою, так как молекулы выстраиваются по пространственной спирали (рис. 10.16 в). К этому классу относятся в основном соединения холестерина.

Ориентационный порядок в расположении молекул приводит к анизотропии свойств жидких кристаллов: показатель преломления, диэлектрическая и магнитная проницаемости, удельное сопротивление, вязкость и другие параметры в направлении, параллельном молекулярным осям, и в перпендикулярной плоскости неодинаковы (рис. 10.17).

Рис. 10.16. Структура жидких кристаллов:

а) нематических; б) смектических; в) холестерических

Рис. 10.17. Температурная зависимость показателей преломления параазоксианизола в направлении, параллельном (n0)

и перпендикулярном (nе) молекулярным осям

152

Свойства жидких кристаллов сходны со свойствами сегнетоэлектриков. Как и сегнетоэлектрики, жидкие кристаллы разбиты на домены – области с одинаковыми направлениями осей молекул. В переменном электрическом поле для некоторых из них характерны петли гистерезиса с ярко выраженным насыщением. В точках фазового перехода диэлектрическая проницаемость имеет максимум , исчезающий с повышением частоты как у дипольных сегнетоэлектриков. Однако время переориентации диполей в жидких кристаллах велико по сравнению с сегнетоэлектриками, и петля гистерезиса, и максимум наблюдаются лишь на очень низких частотах (< 1 Гц).

Структура жидких кристаллов очень подвижна и легко изменяется при внешних воздействиях: электрического и магнитного полей, температуры, давления и т. д. Изменение структуры в свою очередь приводит к изменениям оптических, электрических и других свойств. Поэтому можно управлять свойствами жидких кристаллов путем очень слабых внешних воздействий, т. е. использовать их в качестве чувствительных индикаторов этих воздействий. На практике используют изменение оптических свойств при внешних воздействиях электрическим полем в нематических кристаллах и тепловым – в холестерических.

Жидкие кристаллы нематического типа применяют благодаря при-

сущему им электрооптическому эффекту динамического рассеяния.

Слабое электрическое поле, приложенное к жидкому кристаллу, вызывает выстраивание молекул осями с высокой параллельно полю. Однако если напряжение превысит некоторое пороговое значение, устойчивая доменная структура разрушается, возникает ячеистая структура, сопровождающаяся появлением гидродинамических течений. При дальнейшем увеличении напряжения течение в жидкости становится турбулентным, а вещество оптически неоднородным. Поле может быть как постоянным, так и переменным с низкой частотой (до 0,01 10 кГц в зависимости от материала). Время установления состояния динамического рассеяния составляет 1 10 мс, а исчезновения после снятия напряжения – 20 200 мс. Быстродействие индивидуальных жидкокристаллических соединений выше, чем смесей; оно повышается с увеличением напряжения.

153

СОДЕРЖАНИЕ

 

ВВЕДЕНИЕ ....................................................................................................

1

1. ОБЩИЕ СВОЙСТВА ТВЁРДЫХ ТЕЛ....................................................

4

1.1. СИЛЫ СВЯЗИ ВНУТРЕННЯЯ СТРУКТУРА ТВЁРДЫХ ТЕЛ .........................

4

1.2. СИЛЫ ОТТАЛКИВАНИЯ........................................................................

13

2. НЕКОТОРЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ ГЕОМЕТРИИ КРИСТАЛЛОВ ..............

15

2.1. ОБРАЗОВАНИЕ КРИСТАЛЛОВ. КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ РЕШЕТКА.............

15

2.2. ТИПИЧНЫЕ КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ РЕШЕТКИ..........................................

16

2.3. НЕКОТОРЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

 

ЭЛЕМЕНТАРНЫХ КУБИЧЕСКИХ СТРУКТУР...........................................

17

2.4. ИНДЕКСЫ УЗЛОВ, НАПРАВЛЕНИЙ, ПЛОСКОСТЕЙ................................

18

2.5. КЛАССИФИКАЦИЯ РЕШЕТОК ...............................................................

20

3. НЕСОВЕРШЕНСТВА В КРИСТАЛЛАХ..............................................

21

3.1. ТЕПЛОВЫЕ КОЛЕБАНИЯ ......................................................................

21

3.2. ДЕФЕКТЫ КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ РЕШЁТКИ............................................

31

3.3. ОБЩИЕ СВОЙСТВА ДЛЯ ВСЕХ ВИДОВ ДЕФЕКТОВ ................................

32

4. ЗОННАЯ ТЕОРИЯ ТВЁРДОГО ТЕЛА

 

(ЭЛЕКТРОННЫЕ СОСТОЯНИЯ В ТВЁРДЫХ ТЕЛАХ) ....................

33

4.1. ОСНОВНЫЕ ПОНЯТИЯ О СОСТОЯНИИ ЭЛЕКТРОНОВ

 

В СВОБОДНЫХ АТОМАХ.......................................................................

33

4.2. ОБОБЩЕСТВЛЕНИЕ ЭЛЕКТРОНОВ В КРИСТАЛЛЕ .................................

35

4.3. ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ СПЕКТР ЭЛЕКТРОНОВ В КРИСТАЛЛЕ

 

(ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ ЗОНЫ) ...................................................................

36

4.4. ЗАВИСИМОСТЬ ЭНЕРГИИ ЭЛЕКТРОНА ОТ ВОЛНОВОГО ВЕКТОРА.........

38

4.5. ЭФФЕКТИВНАЯ МАССА ЭЛЕКТРОНА

 

И ЕЁ ЗАВИСИМОСТЬ ОТ ВОЛНОВОГО ВЕКТОРА ....................................

42

4.6. НЕОБХОДИМОЕ И ДОСТАТОЧНОЕ УСЛОВИЕ

 

ДЛЯ ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТИ ...............................................................

46

4.7. ПОВЕРХНОСТЬ ФЕРМИ. ЧИСЛО СОСТОЯНИЙ ......................................

48

4.8. ПЛОТНОСТЬ ЭЛЕКТРОННЫХ СОСТОЯНИЙ ...........................................

50

4.9. ЭЛЕКТРОНЫ И ДЫРКИ..........................................................................

52

5. ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ ........................

54

5.1. СОБСТВЕННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ (ЭЛЕКТРОНЫ И ДЫРКИ)...............

54

5.2. ПРИМЕСНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ (ДОНОРНЫЕ И АКЦЕПТОРНЫЕ).......

55

5.3. ПОЛОЖЕНИЕ УРОВНЯ ФЕРМИ

 

И КОНЦЕНТРАЦИЯ НОСИТЕЛЕЙ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ ......................

57

5.4. НЕРАВНОВЕСНЫЕ НОСИТЕЛИ ЗАРЯДА ................................................

59

5.5. СОБСТВЕННАЯ ПРОВОДИМОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВ........................

60

5.6. ПРИМЕСНАЯ ПРОВОДИМОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ...........................

62

5.7. ОТСТУПЛЕНИЕ ОТ ЗАКОНА ОМА .........................................................

63

5.8. ЭФФЕКТ ГАННА ..................................................................................

64

154

5.9. ЭФФЕКТ ХОЛЛА ..................................................................................

65

5.10. ФОТОПРОВОДИМОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ....................................

66

6. ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ ТВЕРДЫХ ТЕЛ........................................

67

6.1. ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ МЕТАЛЛОВ И СПЛАВОВ ................................

67

6.2. ЯВЛЕНИЕ СВЕРХПРОВОДИМОСТИ .......................................................

69

6.3. ПОНЯТИЕ О КРИОЭЛЕКТРОНИКЕ .........................................................

74

7. КОНТАКТНЫЕ И ПОВЕРХНОСТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ............................

75

7.1. РАБОТА ВЫХОДА .................................................................................

75

7.2. ТЕРМОЭЛЕКТРОННАЯ ЭМИССИЯ .........................................................

77

7.3. КОНТАКТНАЯ РАЗНОСТЬ ПОТЕНЦИАЛОВ ............................................

79

7.4. ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД

 

МЕТОДЫ ПОЛУЧЕНИЯ P-N ПЕРЕХОДА .................................................

80

7.5. РАВНОВЕСНОЕ СОСТОЯНИЕ P-N ПЕРЕХОДА ........................................

81

7.6. ВЫПРЯМЛЯЮЩИЕ СВОЙСТВА P-N ПЕРЕХОДА .....................................

85

7.7. ПОВЕРХНОСТНЫЕ СОСТОЯНИЯ ...........................................................

90

7.8. ПРИПОВЕРХНОСТНЫЙ СЛОЙ ОБЪЕМНОГО ЗАРЯДА .............................

92

7.9. ЭФФЕКТ ПОЛЯ. МДП-СТРУКТУРЫ ......................................................

95

7.10. ТЕРМОЭЛЕКТРОДВИЖУЩАЯ СИЛА....................................................

96

8. МАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА ТВЕРДЫХ ТЕЛ.....................................

101

8.1. ПРИРОДА ДИА- И ПАРАМАГНЕТИЗМА ...............................................

101

8.2. ПРИРОДА ФЕРРОМАГНЕТИЗМА..........................................................

107

8.3. АНТИФЕРРОМАГНЕТИЗМ И ФЕРРИМАГНЕТИЗМ .................................

109

8.4. МАГНИТОСТРИКЦИЯ .........................................................................

111

9. ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ДИЭЛЕКТРИКОВ ...............................

112

9.1. ПОЛЯРИЗАЦИЯ ДИЭЛЕКТРИКОВ ........................................................

112

9.2. ДИЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ ПРОНИЦАЕМОСТЬ .............................................

114

9.3. ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ ДИЭЛЕКТРИКОВ ..........................................

115

9.4. ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПОТЕРИ .............................................................

119

9.5. ПРОБОЙ ДИЭЛЕКТРИКОВ ...................................................................

128

10. АКТИВНЫЕ ДИЭЛЕКТРИКИ ...........................................................

132

10.1. СПОНТАННАЯ ПОЛЯРИЗАЦИЯ.

 

КЛАССИФИКАЦИЯ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКОВ.......................................

132

10.2. ПАРАЭЛЕКТРИКИ ............................................................................

137

10.3. ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ И ПИРОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ЭФФЕКТЫ ..........

138

10.4. ПРИНЦИПЫ КВАНТОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ.........................................

140

10.5. ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ .........................................................................

143

10.6. ЭЛЕКТРООПТИЧЕСКИЙ ЭФФЕКТ......................................................

144

10.7. ЭЛЕКТРЕТЫ .....................................................................................

148

10.8. ЖИДКИЕ КРИСТАЛЛЫ .....................................................................

151

155

Учебное издание

Гудаков Геннадий Александрович

ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ

Курс лекций

Редактор Л.И. Александрова Корректор Л.З. Анипко

Компьютерная верстка С.Ю. Заворотной

Лицензия на издательскую деятельность ИД № 03816 от 22.01.2001

Подписано в печать ..2003. Формат 60 84/16. Бумага писчая. Печать офсетная. Усл. печ. л. .

Уч.-изд. л. ???. Тираж * экз. Заказ

________________________________________________________

Издательство Владивостокского государственного университета экономики и сервиса

690600, Владивосток, ул. Гоголя, 41 Отпечатано в типографии ВГУЭС 690600, Владивосток, ул. Державина, 57

156

157