- •Учебно-методический комплекс по дисциплине
- •II. Материалы, устанавливающие содержание и порядок изучения дисциплины.
- •I. Рабочая программа дисциплины
- •1.1. Цели освоения дисциплины
- •1.2. Место дисциплины в структуре ооп специалитета.
- •1.3. Компетенции обучающегося, формируемые в результате освоения дисциплины.
- •1.4. Структура и содержание дисциплины.
- •1.4.1. Структура дисциплины.
- •1.4.2. Темы дисциплины объем модулей.
- •1.5. Образовательные технологии
- •1.6. Учебно-методическое обеспечение самостоятельной работы студентов. Оценочные средства для текущего контроля успеваемости, промежуточной аттестации по итогам освоения дисциплины.
- •1.7 Учебно-методическое и информационное обеспечение дисциплины.
- •1.8 Материально-техническое обеспечение дисциплины
- •II. Материалы, устанавливающие содержание и порядок изучения дисциплины.
- •2.1. Распределение часов по темам и видам учебной работы
- •2.2. Содержание дисциплины
- •1. Понятие о р-п переходе
- •1.1. Определение и классификация р-п переходов
- •1.2. Структура р-п перехода
- •Основные результаты
- •Равновесное состояние р-п перехода
- •2.1. Энергетическая диаграмма р-п перехода
- •2.2. Токи через р-п переход в равновесном состоянии
- •2.3. Методика расчета параметров р-п перехода
- •2.4. Расчет параметров ступенчатого р-п перехода.
- •2.5. Переход с линейным распределением принеси
- •2.6. Диффузионные р-п переходы
- •2.7. Гетеропереходы
- •Основные результаты
- •3. Неравновесное состояние р-п перехода
- •3.1. Прямое и обратное включение диода
- •3.2. Квазиуровни Ферми для электронов и дырок
- •3.3. Энергетические диаграммы неравновесного р-п перехода.
- •3.4. Граничные условия.
- •3.5. Ширина р-п перехода.
- •Основные результаты.
- •4. Анализ идеализированного диода
- •4.1. Модель идеализированного диода
- •4.2. Методика анализа вах идеализированного диода
- •4.3. Распределения неосновных носителей заряда в квазинейтральных областях
- •4.4. Вах идеализированного диода
- •4.5. Тепловой ток.
- •4.6. Температурная зависимость прямой ветви вах диода.
- •4.7. Характеристические сопротивления диода и коэффициент качества вах диода.
- •4.8. Коэффициент инжекции.
- •Основные результаты.
- •5. Вах реального диода
- •5.1. Особенности вах реального диода
- •5.2. Термогенерация и рекомбинация носителей заряда в р-п переходе
- •5.3. Ток термогенерации (обратное смещение перехода)
- •5.4. Ток рекомбинации (прямое смещение перехода)
- •5.5. Сопротивление базы
- •5.6. Характеристики диода при высоком уровне инжекции
- •5.7. Вах реального диода
- •Основные результаты.
- •6. Пробой р-п перехода
- •6.1. Механизм пробоя р-п перехода
- •6.2. Тепловой пробой
- •6.3. Лавинный пробой
- •6.4. Туннельный (полевой) пробой
- •6.5. Особенности лавинного и туннельного механизмов пробоя
- •Основные результаты
- •2.4. Экзаменационные вопросы для итогового контроля по
- •2.4.1. Тесты для итогового контроля по дисциплине «Физика p-n переходов и поверхностно-барьерных структур»
1.2. Место дисциплины в структуре ооп специалитета.
Дисциплина «Физика p-n переходов и поверхностно-барьерных структур» входит в цикл специальных дисциплин. Основные требования к «входным» знаниям, умениям и готовностям обучающегося, необходимым при освоении данной дисциплины и приобретенным в результате освоения предшествующих дисциплин: знание основ высшей математики, основ общей физики, особенно разделов электричество, атомная физика. Для успешного освоения дисциплины «Физика p-n переходов и поверхностно-барьерных структур» студенты должны иметь знания по дисциплинам «Материалы электронной техники», «Теоретические основы электроники», «Физика твердого тела», в том числе «Физика полупроводников».
1.3. Компетенции обучающегося, формируемые в результате освоения дисциплины.
В результате изучения дисциплины студенты должны:
Иметь ясное представление о типах электрических переходов, об их принципиальных отличиях, о физических процессах в р-п-переходах, находящихся в различных состояниях.
Знать сходство и различия идеализированных и реальных р-п- переходов и барьеров Шоттки.
Уметь рассчитать основные параметры р-п-переходов и барьеров Шоттки.
Иметь представления об экспериментальных методах исследование р- п - переходов и поверхнстно-барьерных структур.
1.4. Структура и содержание дисциплины.
1.4.1. Структура дисциплины.
|
№ |
Наименование тем |
Количество часов |
Лит-ра | |||
|
Лекц. |
Практ. |
Сам. |
Инд. |
Номер | ||
|
1. |
Предмет дисциплины. Понятие о р-п-переходе |
4 |
|
|
|
1,2 |
|
2. |
Равновесное состояние о р-п-перехода. |
8 |
|
|
|
1,3 |
|
3. |
Неравновесное состояние о р-п-перехода. |
10 |
|
|
|
1,3, |
|
4. |
Анализ идеализированного диода |
8 |
|
|
|
1,2,3 |
|
5. |
Вольт-амперная характеристика реального диода |
6 |
|
|
|
1,2,3 |
|
6. |
Пробой р-п-перехода. |
4 |
|
|
|
1,6 |
|
7. |
Частотные и импульсные свойства диода. |
4 |
|
|
|
1,2 |
|
8 |
Гетеропереходы |
8 |
|
|
|
|
|
9 |
Понятие о барьере Шоттки, основные параметры барьера Шоттки
Шоттки
|
4 |
|
|
|
|
|
10 |
Равновесное и неравновесное состояние барьера Шоттки |
8 |
|
|
|
|
|
11 |
Методы исследования p-n переходов и поверхностно –барьерных структур |
8 |
|
|
|
|