Воронков Э.Н. Твердотельная электроника. 2002г.

Московский энергетический институт

(Технический университет) твердотельная электроника

Конспект лекций

Москва, 2002 г.

Содержание

Лекция 1 4

1. Основные понятия физики полупроводниковых материалов 4

1.1. Электропроводность полупроводников 4

Лекция 2 7

1.2. Электроны в кристалле 7

1.2.1. Энергетические зоны. Свободные носители зарядов: электроны и дырки. 7

1.2.3. Легирование кристаллов донорной или акцепторной примесью, полупроводники "n" и "p" типа . 14

Лекция 3 17

1.2.4. Расчет концентрации носителей заряда в кристалле. 17

Лекция 4 24

1.2.5. Зависимость скорости электрона от напряженности электрического поля. Понятия эффективной массы и подвижности. 24

1.2.6. Расчет электропроводности полупроводниковых кристаллов на основе рассмотренных моделей. 29

Лекция 5 33

1.2.7. Неравновесные электроны и дырки. Рекомбинация неравновесных носителей заряда. 33

Диффузионный и дрейфовый токи. 35

1.2.8. Уравнение непрерывности. 36

Введение

Современная научно-техническая революция и переход от индустриального к информационному обществу в значительной степени обусловлены повышением производительности интеллектуального труда за счет информационных технологий, материальную основу которых составляют твердотельные полупроводниковые приборы и устройства на их основе. Полупроводниковые приборы широко используются и в силовой электронике предоставляя эффективные способы преобразования и генерации электроэнергетических потоков. Поэтому курс полупроводниковой электроники стал одним из базовых курсов практически для всех специальностей электротехнического профиля и начинает изучаться сравнительно рано - на втором курсе. При этом имеется тенденция к его дальнейшему "омоложению" - к более раннему изучению разделов, связанных непосредственно с физикой электронных процессов в твердом теле, что предъявляет особые требования к доступности изложения сравнительно сложных электронных взаимодействий, позволяющих осуществлять управление электронными потоками в твердых телах и создавать современные устройства информационной и силовой электроники.

Основное содержание дисциплины составляет изучение принципов работы и характеристик основных приборов, являющихся базовыми для любых полупроводниковых приборов. Поскольку курс предназначен для подготовки инженеров, рассмотрение любых процессов в приборе, заканчивается составлением некоторой модели и выводом расчетных соотношений. Безусловно использованные модели являются упрощенными, однако тем не менее они позволяют связать параметры материалов и конструкции прибора с его характеристиками и позволяют оценить реакцию прибора на то или иное воздействие окружающей среды и, что особенно важно, способствуют установлению связи между разрозненными процессами и их свойствами и созданию некоторого обобщенного образа твердотельной электронной среды и сформированных на ее основе устройств. Именно последнее является наиболее важной и наиболее трудной задачей курса достижению которой способствует лабораторный практикум и расчетный проект.