- •Учебно-методический комплекс по дисциплине
- •II. Материалы, устанавливающие содержание и порядок изучения дисциплины.
- •I. Рабочая программа дисциплины
- •1.1. Цели освоения дисциплины
- •1.2. Место дисциплины в структуре ооп специалитета.
- •1.3. Компетенции обучающегося, формируемые в результате освоения дисциплины.
- •1.4. Структура и содержание дисциплины.
- •1.4.1. Структура дисциплины.
- •1.4.2. Темы дисциплины объем модулей.
- •1.5. Образовательные технологии
- •1.6. Учебно-методическое обеспечение самостоятельной работы студентов. Оценочные средства для текущего контроля успеваемости, промежуточной аттестации по итогам освоения дисциплины.
- •1.7 Учебно-методическое и информационное обеспечение дисциплины.
- •1.8 Материально-техническое обеспечение дисциплины
- •II. Материалы, устанавливающие содержание и порядок изучения дисциплины.
- •2.1. Распределение часов по темам и видам учебной работы
- •2.2. Содержание дисциплины
- •1. Понятие о р-п переходе
- •1.1. Определение и классификация р-п переходов
- •1.2. Структура р-п перехода
- •Основные результаты
- •Равновесное состояние р-п перехода
- •2.1. Энергетическая диаграмма р-п перехода
- •2.2. Токи через р-п переход в равновесном состоянии
- •2.3. Методика расчета параметров р-п перехода
- •2.4. Расчет параметров ступенчатого р-п перехода.
- •2.5. Переход с линейным распределением принеси
- •2.6. Диффузионные р-п переходы
- •2.7. Гетеропереходы
- •Основные результаты
- •3. Неравновесное состояние р-п перехода
- •3.1. Прямое и обратное включение диода
- •3.2. Квазиуровни Ферми для электронов и дырок
- •3.3. Энергетические диаграммы неравновесного р-п перехода.
- •3.4. Граничные условия.
- •3.5. Ширина р-п перехода.
- •Основные результаты.
- •4. Анализ идеализированного диода
- •4.1. Модель идеализированного диода
- •4.2. Методика анализа вах идеализированного диода
- •4.3. Распределения неосновных носителей заряда в квазинейтральных областях
- •4.4. Вах идеализированного диода
- •4.5. Тепловой ток.
- •4.6. Температурная зависимость прямой ветви вах диода.
- •4.7. Характеристические сопротивления диода и коэффициент качества вах диода.
- •4.8. Коэффициент инжекции.
- •Основные результаты.
- •5. Вах реального диода
- •5.1. Особенности вах реального диода
- •5.2. Термогенерация и рекомбинация носителей заряда в р-п переходе
- •5.3. Ток термогенерации (обратное смещение перехода)
- •5.4. Ток рекомбинации (прямое смещение перехода)
- •5.5. Сопротивление базы
- •5.6. Характеристики диода при высоком уровне инжекции
- •5.7. Вах реального диода
- •Основные результаты.
- •6. Пробой р-п перехода
- •6.1. Механизм пробоя р-п перехода
- •6.2. Тепловой пробой
- •6.3. Лавинный пробой
- •6.4. Туннельный (полевой) пробой
- •6.5. Особенности лавинного и туннельного механизмов пробоя
- •Основные результаты
- •2.4. Экзаменационные вопросы для итогового контроля по
- •2.4.1. Тесты для итогового контроля по дисциплине «Физика p-n переходов и поверхностно-барьерных структур»
МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Государственное образовательное учреждение высшего
профессионального образования
«ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ»
Физический факультет
Учебно-методический комплекс по дисциплине
ФИЗИКА P-N ПЕРЕХОДОВ И ПОВЕРХНОСТЬНО-БАРЬЕРНЫХ СТРУКТУР
Специальность:
210104.65 «Микроэлектроника и твердотельная электроника»
Квалификация (степень) выпускника- инженер
Форма обучения - очная
Согласовано: Рекомендовано кафедрой:
Учебно-методическое управление Протокол №____
«____» _____________ 2011 г. «___» ___________ 2011г.
________________________ Зав. кафедрой ЭФ
_______________
Махачкала - 2011
Автор-составитель:
Доцент кафедры ЭФ Курбанов М.К.
Учебно-методический комплекс «Физика p-n переходов и поверхностно-барьерных структур» составлен в соответствии с требованиями Государственного образовательного стандарта высшего профессионального образования по специальности 210104.65 – Микроэлектроника и твердотельная электроника, направления подготовки - 210100 (Электроника и наноэлектроника)
Дисциплина входит в цикл специальных дисциплин и является обязательной для изучения.
Учебно-методический комплекс по дисциплине «Физика p-n переходов и поверхностно-барьерных структур» рассмотрен на методсовете факультета и согласован с деканом факультета.
Декан физического факультета ДГУ, В.С. Курбанисмаилов. профессор
Председатель методсовета ФФ Г. М. Мусаев
СОДЕРЖАНИЕ
I. Рабочая программа дисциплины
1.1. Цели освоения дисциплины
1.2. Место дисциплины в структуре ООП специалитета.
1.3. Компетенции обучающегося, формируемые в результате освоения дисциплины.
1.4. Структура и содержание дисциплины.
1.5. Образовательные технологии.
1.6. Учебно-методическое обеспечение самостоятельной работы студентов.
Оценочные средства для текущего контроля успеваемости, промежуточной аттестации по итогам освоения дисциплины.
1.7. Учебно-методическое и информационное обеспечение дисциплины.
1.8. Материально-техническое обеспечение дисциплины.
II. Материалы, устанавливающие содержание и порядок изучения дисциплины.
2.1.Распределение часов по темам и видам учебной работы
2.2.Содержание курса
2.3. Лабораторные работы с методическими указаниями для студентов.
2.4. Экзаменационные вопросы для итогового контроля
2.5. Методические рекомендации для преподавателя
I. Рабочая программа дисциплины
1.1. Цели освоения дисциплины
Содержание дисциплины направлено на ознакомление студентов с физическими процессами, происходящими в электрических переходах в полупроводниках, на контакте металл-полупроводник и в гетеропереходах, являющихся основой многих приборов и устройств электроники и микроэлектроники.
Главное внимание уделяется выработке понимания физики и умения математически описать процессы, происходящие в р-п-переходах, поверхностно- барьерных структурах, находящихся в равновесных и неравновесных состояниях, а также освоению методов корректного расчета их параметров.
В лабораторном практикуме студенты должны закрепить полученные знания и овладеть методами экспериментального изучения характеристик р-п-переходов.