Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
4 семестр (2 курс)лала / ЭП (Электронные приборы) / Электронные приборы и устройства. Практикум.pdf
Скачиваний:
239
Добавлен:
11.05.2015
Размер:
3.73 Mб
Скачать

ЛИТЕРАТУРА

1.Аваев, Н. А. Электронные приборы / Н. А. Аваев, Г. Г. Шишкин ; под ред. Г. Г. Шишкина. – М. : МАИ, 1996. – 540 с.

2.Батушев, В. А. Электронные приборы / В. А. Батушев. – М. : Высш.

шк., 1980. – 384 с.

3.Гусев, В. Г. Электроника и микропроцессорная техника / В. Г. Гусев,

Ю. М. Гусев. – М. : Высш. шк., 2004. – 622 с.

4.Булычев, А. Л. Электронные приборы / А. Л. Булычев, П. М. Лямин, Е. С. Тулинов. – Минск : Выш. шк., 1999. – 414 с.

5.

Электронные, квантовые приборы и

микроэлектроника / под ред.

Н. Д. Федорова. – М. : Радио и связь, 1998. – 560 с.

6.

Пасынков, В. В. Полупроводниковые

приборы / В. В. Пасынков,

Л. К. Чиркин. – СПб. : Лань, 2003. – 480 с.

 

7.Ткаченко, Ф. А. Техническая электроника / Ф. А. Ткаченко. – Минск :

Дизайн ПРО, 2000. – 351 с.

8.Валенко, В. С. Электроника и микросхемотехника / В. С. Валенко, М. С. Хандогин. – Минск : Беларусь, 2000. – 325 с.

9.Хандогин, М. С. Электронные приборы : учеб. пособие для студ. радиотехн. спец. / М. С. Хандогин. – Минск : БГУИР, 2005. – 188 с.

10.Зи, С. Физика полупроводниковых приборов : в 2 кн. / С. Зи. – М. : Мир, 1984.

11.Малер, Р. Элементы интегральных схем / Р. Маллер, Т. Кейминс. – М. :

Мир, 1989. – 632 с.

12.Опадчий, Н. Ф. Аналоговая и цифровая электроника / Н. Ф. Опадчий, О. П. Глудкин, А. И. Гуров. – М. : Горячая Линия Телеком, 1999. – 768 с.

13.Кучумов, А. И. Электроника и схемотехника / А. И. Кучумов. – М. :

Гелиос АРВ, 2004. – 336 с.

14.Разевиг, В. Д. Система сквозного проектирования электронных уст-

ройств DesignLab 8.0 / В. Д. Разевиг. – М. : Солон-Р, 2000. – 704 с.

15.Разевиг, В. Д. Система проектирования цифровых устройств OrCAD /

В. Д. Разевиг. – М. : Солон-Р, 2000. – 160 с.

16.Карлащук, В. И. Электронная лаборатория на IBM PC : программа Electronics Workbench и ее применение / В. И. Карлащук. – М. : Солон Р, 1999. – 512 с.

17.Кудрявцев, Е. М. MathCAD 2000 / Е. М. Кудрявцев. – М. : ДМК Пресс, 2001. – 523 с.

18.Хрулев, А. К. Диоды и их зарубежные аналоги : в 3 т. / А. К. Хрулев, В. П. Черепанов.– М. : ИП РадиоСофт, 1998.

19.Галкин, В. И. Полупроводниковые приборы : транзисторы широкого применения : справ. / В. И. Галкин, А. Л. Булычев, П. М. Лямин. – Минск : Бе-

ларусь, 1995. – 383 с.

20.Нефедов, А. В. Интегральные микросхемы и их зарубежные аналоги : справ. : в 12 т. / А. В. Нефедов. – М. : КУбК-а, ИП РадиоСофт, 1996–2001.

239

Приложение 1

Ряды номинальных значений сопротивлений резисторов и емкостей конденсаторов общего применения

Допустимое отклонение от

Номинальные значения (единицы, десятки, сотни ом,

номинальных значений, %

килоом, мегаом, гигаом, пикофарад, микрофарад, фарад)

±20 %

1,0

1,5

2,2

3,3

4,7

6,8

±10 %

1,0

1,5

2,2

3,3

4,7

6,8

 

1,2

1,8

2,7

3,9

5,6

8,2

±5 %

1,0

1,5

2,2

3,3

4,7

6,8

 

1,1

1,6

2,4

3,6

5,1

7,5

 

1,2

1,8

2,7

3,9

5,6

8,2

 

1,3

2,0

3,0

4,3

6,2

9,1

Приложение 2

Ряд номинальных значений напряжений источников питания

1,2; 2,4; 3,0; 4,0; 5,0; 6,0; 9,0; 12,0; 15,0; 20,0; 24,0; 27,0; 30,0; 48,0; 60,0

Приложение 3

Параметры биполярных транзисторов

Тип

Струк-

h

21Э min

 

h21э

 

/

C

к

,

C

э

,

I

КБ0

,

U

КЭ max

,

I

К max

,

P

,

 

 

БТ

тура

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

К max

 

h21Э max

на f, МГц

пФ

пФ

мкА

 

 

В

 

 

мА

 

Вт

 

 

 

 

 

 

 

 

 

КТ315Г

n-p-n

 

50…350

2,5/100

 

7

 

20

 

1

 

 

35

 

 

100

 

0,150

 

КТ337Б

p-n-p

 

40…100

5/100

 

5

 

 

5

 

1

 

 

–20

 

 

30

 

0,150

 

КТ342А

n-p-n

100…250

3/100

 

8

 

16

0,05

 

 

30

 

 

50

 

0,250

 

КТ347А

p-n-p

 

30…400

5/100

 

6

 

 

8

 

1

 

 

–20

 

 

50

 

0,150

 

КТ349Б

p-n-p

 

30…400

5/100

 

6

 

 

8

 

1

 

 

–20

 

 

20

 

0,200

 

КТ350А

p-n-p

 

20…200

5/20

70

100

 

1

 

 

–20

 

 

60

 

0,300

 

КТ351А

p-n-p

 

20…80

 

2/100

20

 

30

 

0,5

 

 

–20

 

 

30

 

0,225

 

КТ357А

p-n-p

 

20…100

3/100

 

7

 

10

 

5

 

 

–20

 

 

40

 

0,100

 

КТ358Б

n-p-n

 

10…100

4/20

 

5

 

15

 

10

 

 

30

 

 

30

 

0,100

 

КТ361Г

p-n-p

 

50…350

2,5/100

 

7

 

20

 

1

 

 

–35

 

 

50

 

0,150

 

КТ375Б

n-p-n

 

50…280

6/100

 

5

 

20

 

1

 

 

30

 

 

100

 

0,200

 

КТ3102Г

n-p-n

200…500

3/100

 

6

 

15

0,05

 

 

20

 

 

100

 

0,250

 

КТ3107Г

p-n-p

120…200

2/100

 

7

 

20

 

0,1

 

 

–25

 

 

100

 

0,300

 

КТ3117А

n-p-n

 

20…200

2,5/100

10

 

80

 

10

 

 

60

 

 

400

 

0,300

 

КТ814А

p-n-p

 

40…80

 

5/1

 

 

60

75

 

50

 

 

–10

 

 

1500

 

10

 

КТ815А

n-p-n

 

 

 

 

 

 

 

10

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

КТ816А

p-n-p

 

25…70

 

5/1

 

 

60

115

 

100

 

 

–25

 

 

3000

 

25

 

КТ817А

n-p-n

 

 

 

 

 

 

 

25

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

КТ818А

p-n-p

 

15…60

 

5/1

 

 

 

 

 

 

1000

 

–100

 

10000

 

60

 

КТ819А

n-p-n

 

 

 

 

 

 

 

 

 

100

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

КТ850А

n-p-n

 

40…200

5/1

 

 

 

 

 

 

 

100

 

 

–200

 

 

2000

 

25

 

КТ851А

p-n-p

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

200

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

240

Приложение 4

Параметры полевых транзисторов

Тип

Тип

IСнач ,

S ,

UЗИ отс ,

ПТ

канала

мА

мА/В

В

 

 

 

КП102И

p

0,7…1,8

0,35…1,0

5,5

КП103Л

p

1,8…6,6

1,8…3,8

2,0…6,6

КП103Ж

p

0,35…3,8

0,8…2,6

0,5…2,2

КП302А

n

3,0…24

>5,0

<5,0

КП303В

n

1,5…5,0

2,0…5,0

1,0…4,0

КП307Е

n

1,5…5,0

3,0…8,0

<2,5

КП322А

n

5,0…42

3,2…6,3

2,2…12,0

КП329И

p

1,0

3,0

>1,5

КП341А

n

4,5…20

15…30

0,4…3,0

КП365А

n

4,5…20

15…30

0,4…3,0

КП601А

n

160…400

40…87

4,0…9,0

241

242

Приложение 5

Параметры операционных усилителей

Тип ОУ

Назначение

UИП ном ,

UИП пред ,

Uвых max ,

Uсм ,

Iвх ,

Iпот ,

Ku диф

f1 ,

R Н ,

VUвых ,

 

 

В

В

В

мВ

нА

мА

 

МГц

кОм

В/мкс

К140УД6

Универсальный

±15

±(5…18)

±11

±10

100

4

³ 30 ×103

0,3

1

0,5

К140УД7

Универсальный

±15

±(5…17)

±10,5

±9

400

3,5

³ 30 ×103

0,8

2

0,3

К140УД11

Быстродействующий

±15

±(5…18)

±12

±10

500

10

³ 25 ×103

0,8

2

50

К140УД17

Прецизионный

±15

±(13…17)

±12

±0,15

4

4

³ 200 ×103

0,4

3

0,1

К140УД18

Универсальный

±15

±(13…17)

±11,5

±10

1

4

³ 50 ×103

1

2

0,3

К140УД22

Универсальный

±15

±(13…17)

±11

±10

0,2

10

³ 50 ×103

5

2

7,5

К1407УД1

Быстродействующий

±5

±(3…12)

±3

±10

£ 7,5×103

8

³ 104

3

2

10

К1409УД1

Универсальный

±15

±(13…17)

±12

±15

0,3

6

³ 2 ×104

3

2

4

К1432УД2

Быстродействующий

±15

±(5…17)

±12

±30

£ 20 ×103

20

³ 103

120

0,05

800

К1432УД3

Быстродействующий

±15

±(5…17)

±12

±30

5

10

³ 103

60

0,6

250

К1432УД4

Быстродействующий

±15

±(5…17)

±12

±30

20

20

³ 103

150

0,05

1000

К1432УД5

Быстродействующий

±15

±(5…17)

±12

±15

20

15

³ 103

60

0,05

120

К1432УД6

Быстродействующий

±15

±(5…17)

±12

±30

20

20

³ 103

250

0,05

200