Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
4 семестр (2 курс)лала / ЭП (Электронные приборы) / Электронные приборы и устройства. Практикум.pdf
Скачиваний:
239
Добавлен:
11.05.2015
Размер:
3.73 Mб
Скачать

η =

Pвых

, где P = I

К0

× U

ИП

.

(5.15)

 

0

 

 

 

 

P0

 

 

 

 

 

Поэтому соотношение между сопротивлением нагрузки и сопротивлени-

ем резистора R К рекомендуется выбирать согласно выражению

 

RН = (2...5)RК .

 

 

 

 

(5.16)

В этом случае амплитуда коллекторного тока будет составлять

 

Iк m = (3...6)Iн m .

 

 

 

 

(5.17)

Обычно исходными данными при расчете усилителя является выходная мощность Pвых и сопротивление нагрузки RН , тогда амплитуда тока в нагрузке

определяется выражением

Iн m =

2Pвых RН

.

(5.18)

Зная ее, можно определить требуемый режим покоя БТ и его максималь- но допустимые параметры:

амплитуду коллекторного тока Iк m согласно (5.17); постоянный ток коллектора IК0 = (1,1...1,2)Iк m ;

допустимый ток коллектора IК доп = 2IК0 ;

амплитуду выходного напряжения (коллектор эмиттер) Uвых m = RНIн m ;

постоянную

составляющую

напряжения

коллектор эмиттер

UКЭ0 = (1,1...1,2)Uвых m ;

напряжение источника питания UИП = 2UКЭ0 ;

допустимое напряжение коллектор эмиттер UКЭ доп >1,2UИП .

Транзистор выбирают таким образом, чтобы рассчитанные допустимые значения напряжения UКЭ доп и тока IК доп не превышали его соответствую-

щих максимально допустимых параметров:

UКЭ доп < UКЭ max , IК доп < IК max .

При выборе режима покоя, расчете амплитудных значений коллекторного

тока и выходного напряжения необходимо учитывать их возможное изменение при работе усилителя в широком диапазоне температур, что обусловлено влиянием из- менения температуры на параметры БТ и в конечном итоге на его ВАХ.

5.2. Схемы стабилизации положения рабочей точки

Влияние температуры на ВАХ БТ и положение рабочей точки показано на рис. 5.3. При увеличении температуры растет значение статического коэф- фициента передачи по току h21Э , что приводит к подъему семейства выходных

ВАХ (рис. 5.3, а). С ростом температуры входная характеристика смещается влево. Влияние температуры на входные ВАХ описывается температурным ко- эффициентом напряжения:

67

TKH =

UБЭ

 

 

= −2,2

мВ

T

 

Iб =const

°С .

 

 

 

а

б

Рис. 5.3

Увеличение температуры приводит к перемещению рабочей точки БТ в схе- ме с фиксированным током базы вверх по нагрузочной прямой ближе к режиму на- сыщения: растет ток коллектора IК и уменьшается напряжение UКЭ . Это приво-

дит к уменьшению максимального значения амплитуды выходного сигнала и сни- жению КПД усилителя. Для устранения влияния температуры на параметры усили- теля используется ряд способов стабилизациирабочейточки БТ.

На рис. 5.4 представлена принципиальная схема усилительного каскада на БТ с коллекторной стабилизацией рабочей точки. Согласно второму зако-

ну Кирхгофа для данной схемы можно записать два уравнения:

 

UИП = (IК + IБ )RК + UКЭ ;

(5.19)

UКЭ = IБRБ + UБЭ .

(5.20)

В данной схеме с помощью резистора R Б , подключенного к коллектору

БТ, осуществляется отрицательная обратная связь (передача выходного сигна- ла на вход) по напряжению, параллельная по входу, за счет которой и осущест- вляется стабилизация режима покоя.

Изменение выходного напряжения, обусловленное изменением темпера- туры, создает противофазное изменение тока базы, препятствующее изменению рабочей точки. Принцип действия схемы коллекторной стабилизации состоит в следующем: с ростом температуры растет h21Э , что приводит к росту IК и

уменьшению UКЭ . Согласно выражению (5.20):

IБ = UКЭRБUБЭ ,

т.е. уменьшение UКЭ приводит к уменьшению IБ , а значит, и к уменьшению IК . Поэтому в схеме с коллекторной стабилизацией положение рабочей точки

зависит от температуры и других дестабилизирующих факторов в меньшей степени, чем в схеме с фиксированным током базы.

68

На рис. 5.5 показана принципиальная схема усилительного каскада с эмиттерной стабилизацией рабочей точки БТ, в которой осуществляется от- рицательная обратная связь по току, параллельная по входу.

Рис. 5.4

Рис. 5.5

 

Для схемы справедливы следующие уравнения:

 

 

UИП = IКRК + UК = IКRК + UКЭ + UЭ ;

 

(5.21)

UИП = (IБ + IД )R1+ UБ ;

 

(5.22)

UЭ = IЭRЭ ;

 

(5.23)

UБ = UБЭ + UЭ = IДR2 .

 

(5.24)

Делитель напряжения, образованный резисторами R1 и

R 2 , задает на-

пряжение на базе транзистора UБ . Изменение тока коллектора, обусловленное

изменением температуры, создает противофазное изменение напряжения база эмиттер UБЭ транзистора с помощью резистора RЭ . С ростом температуры за

счет смещения входных ВАХ транзистора увеличивается ток базы IБ , что при- водит к росту тока коллектора IК и уменьшению напряжения на коллекторе UКЭ . Растет также и ток эмиттера, что приводит к увеличению падения напря- жения на резисторе RЭ и уменьшению напряжения UБЭ , а значит, к уменьше-

нию тока базы и соответственно тока коллектора.

Конденсатор CЭ устраняет отрицательную обратную связь по переменно-

му току, существующую в схеме, и увеличивает тем самым коэффициент усиле- ния по напряжению. Данная схема уменьшает любые изменения выходного на- пряжения и тока, в том числе обусловленные изменением сигнала на входе. Это уменьшает в конечном итоге коэффициент усиления по напряжению. Для пере- менной составляющей эмиттерного тока конденсатор CЭ имеет малое сопротив-

ление, поэтому переменная составляющая напряжения на эмиттере стремится к нулю и отрицательная обратная связь отсутствует.

Влияние температуры на положение рабочей точки БТ описывается ко- эффициентом нестабильности тока коллектора:

S =

IК (T) .

(5.25)

 

IК

 

69

Чем лучше стабилизируется рабочая точка, тем меньше коэффициент не- стабильности. Наибольшее значение S имеет в схеме с фиксированным током базы и наименьшее в схеме с эмиттерной стабилизацией.

Влияние температуры на коллекторный ток можно заменить эквивалент- ным синфазным изменением напряжения база эмиттер:

UБЭ (T)= ТКН .

В рассмотренных схемах стабилизации рабочей точки для компенсации температурного изменения коллекторного тока за счет наличия обратной связи

создается изменение напряжения смещения величиной

 

DU(T) = DUБЭ (T)× DT ,

 

 

 

 

 

 

 

 

(5.26)

где DТ изменение температуры.

 

 

 

 

 

Для схемы с коллекторной стабилизацией напряжение база эмиттер

можно представить в виде

 

 

 

 

 

 

 

IК

 

 

UБЭ = UИП - (IК + IБ )RК

- IБRБ

= UИП - IКRК -

(RК + RБ ).

(5.27)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

h21Э

 

Тогда компенсирующее изменение напряжения база-эмиттер

 

DU (T) = -DI

R

-

DIК

(R

+ R ),

 

 

(5.28)

 

 

 

 

БЭ

 

 

К

К

 

 

h21Э

 

К

 

Б

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

а коэффициент нестабильности имеет вид

 

 

 

S =

IК (Т)

=

 

 

 

UБЭ (Т)

 

.

 

 

(5.29)

I

К

æ

 

 

R

К

+ R

ö

 

 

 

 

 

ç

К +

 

 

 

 

Б

÷

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

çR

 

 

h21Э

 

÷ × IК

 

 

 

 

 

 

è

 

 

 

ø

 

 

 

 

 

В схеме с эмиттерной стабилизацией компенсирующее изменение напря- жения создается за счет падения напряжения на резисторе RЭ :

DU(T)= DUБЭ (T)×DT = DIЭ (T)× RЭ » DIК (T)× RЭ .

(5.30)

Тогда коэффициент нестабильности определяется выражением

 

S = DIК (Т) IК = DUКЭ (Т)DТ IКRЭ = DU(T) UЭ .

(5.31)

5.3. Расчет усилителя с эмиттерной стабилизацией

Расчет усилителя на БТ с эмиттерной стабилизацией выполняется соглас- но следующему алгоритму:

1. По заданному коэффициенту нестабильности определяется падение на-

пряжения на резисторе RЭ :

 

UЭ = DUБЭ (Т)× DT S .

(5.32)

2. Напряжение коллектор эмиттер в рабочей точке UКЭ выбирается из условия равенства максимальных значений амплитуд положительной и отрица- тельной полуволн выходного напряжения Uвых+ max = Uвыхmax , которое можно

переписать в виде

70

IК (RК || RН )= UКЭ − UКЭ нас ≈ UКЭ .

(5.33)

Поскольку

 

 

 

IК

=

UИП - UЭ - UКЭ

,

(5.34)

 

то

 

 

RК

 

 

 

 

 

(UИП - UЭ - UКЭ )×(RК || RН )

 

UКЭ

(5.35)

 

RК

 

(UИП - UЭ )× RН

 

и UКЭ

.

(5.36)

 

 

 

RК + 2RН

 

 

 

3. Ток коллектора определяется по (5.34), а ток базы с использованием

(5.4). При расчете обычно используется

среднее геометрическое значение ста-

тического коэффициента усиления

по току в схеме

с

ОЭ

h21Э = h21Э min Kh21Э max .

4.Ток делителя обычно рекомендуется выбирать во много раз больше то- ка базы, чтобы изменения последнего в процессе работы усилителя не влияли на напряжение UБ :

IД = (5...10)IБ0 .

(5.37)

5. Сопротивления резисторов, задающих точку покоя БТ, вычисляются по выражениям:

RЭ = UЭ , (5.38) IК

R1 =

UИП - UЭ - UБЭ

,

(5.39)

 

 

 

 

 

IД + IБ

 

R2 =

 

UЭ + UБЭ

,

(5.40)

 

 

 

 

IД

 

где для напряжения база эмиттер в рабочей точке можно выбрать значение

UБЭ = 0,6 В.

6.Расчет емкостей конденсаторов выполняется согласно выражениям

C1 >

 

10

;

(5.41)

2πfнRвх

C2 >

 

10

;

(5.42)

 

2πfнRН

CЭ >

10

 

,

(5.43)

 

2πfнRЭ

 

 

 

 

 

 

 

где fн нижняя граничная частота полосы пропускания; Rвх = R1|| R2 || h11э входное сопротивление усилителя.

71