
- •СОДЕРЖАНИЕ
- •ПРЕДИСЛОВИЕ
- •ВВЕДЕНИЕ
- •МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ К ПРАКТИЧЕСКИМ ЗАНЯТИЯМ
- •1. МАТЕМАТИЧЕСКИЕ МОДЕЛИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
- •1.2. Нелинейная модель полупроводникового диода
- •1.3. Алгоритм определения параметров нелинейной модели диода
- •1.4. Практическое занятие
- •1.5. Контрольные вопросы
- •2.1. Выпрямители напряжения
- •2.2. Параметрический стабилизатор напряжения
- •2.3. Практическое занятие
- •2.4. Контрольные вопросы
- •3. МАТЕМАТИЧЕСКИЕ МОДЕЛИ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
- •3.1. Классификация моделей биполярных транзисторов
- •3.2. Модель Эберса – Молла
- •3.3. Малосигнальная физическая Т-образная эквивалентная схема
- •3.4. Формальная модель (система h-параметров)
- •3.5. Модель Гуммеля – Пуна
- •3.6. Частотные свойства биполярных транзисторов
- •3.7. Упрощенная малосигнальная эквивалентная схема усилителя
- •3.9. Контрольные вопросы
- •4. МАТЕМАТИЧЕСКИЕ МОДЕЛИ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
- •4.1. Модель Шихмана – Ходжеса
- •4.2. Дифференциальные параметры полевых транзисторов
- •4.4. Аппроксимация вольт-амперных характеристик
- •4.5. Влияние температуры на вольт-амперные характеристики
- •4.6. Практическое занятие
- •4.7. Контрольные вопросы
- •5.1. Принцип действия усилителя
- •5.2. Схемы стабилизации положения рабочей точки
- •5.3. Расчет усилителя с эмиттерной стабилизацией
- •5.4. Практическое занятие
- •5.5. Контрольные вопросы
- •6.1. Основные характеристики и параметры
- •6.2. Анализ усилительного каскада на биполярном транзисторе с ОЭ
- •6.3. Анализ усилительного каскада на биполярном транзисторе с ОБ
- •6.4. Анализ усилительного каскада на биполярном транзисторе с ОК
- •6.5. Алгоритмы расчета малосигнального усилителя
- •6.6. Практическое занятие
- •6.7. Контрольные вопросы
- •7. ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЕ УСИЛИТЕЛИ
- •7.1. Усилители постоянного тока
- •7.2. Устройство и принцип действия дифференциального усилителя
- •7.3. Расчет параметров дифференциального усилителя
- •7.4. Способы улучшение параметров дифференциального усилителя
- •7.5. Схемотехника источников тока
- •7.6. Варианты реализации дифференциальных усилителей
- •7.7. Практическое занятие
- •7.8. Контрольные вопросы
- •8.2. Согласование усилителя с нагрузкой
- •8.3. Режимы работы активного элемента в усилителях мощности
- •8.4. Схемы бестрансформаторных двухтактных усилителей мощности
- •8.5. Расчет двухтактного бестрансформаторного усилителя мощности
- •8.6. Практическое занятие
- •8.7. Контрольные вопросы
- •9. ОПЕРАЦИОННЫЕ УСИЛИТЕЛИ
- •9.1. Основные параметры и классификация
- •9.2. Обратные связи
- •9.3. Упрощенная принципиальная схема операционного усилителя
- •9.4. Инвертирующий усилитель
- •9.5. Неинвертирующий усилитель
- •9.6. Повторитель напряжения
- •9.7. Усилитель разностного сигнала
- •9.8. Амплитудно-частотная характеристика
- •9.9. Выбор операционного усилителя при проектировании
- •9.10. Практическое занятие
- •9.11. Контрольные вопросы
- •10. ЭЛЕКТРОННЫЕ КЛЮЧИ НА БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ
- •10.2. Быстродействие транзисторного ключа
- •10.3. Расчет ключа на биполярном транзисторе
- •10.4. Практическое занятие
- •10.5. Контрольные вопросы
- •11. АВТОКОЛЕБАТЕЛЬНЫЕ МУЛЬТИВИБРАТОРЫ
- •11.1. Принцип действия мультивибратора с емкостными коллекторно-базовыми связями
- •11.2. Повышение быстродействия мультивибратора
- •11.3. Практическое занятие
- •11.4. Контрольные вопросы
- •12. МОДЕЛИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРОННЫХ УСТРОЙСТВ В СИСТЕМЕ OrCAD
- •12.1. Порядок работы с модулем Schematics
- •12.2. Входной файл модуля PSpice A/D
- •12.3. Запуск оболочки Schematics на выполнение
- •12.4. Чтение файла принципиальной схемы с диска
- •12.5. Сохранение файла принципиальной схемы на диске
- •12.6. Создание и редактирование принципиальной схемы
- •12.7. Размещение символов компонентов
- •12.8. Редактирование параметров компонентов
- •12.9. Размещение электрических связей
- •12.10. Создание задания на моделирование
- •12.13. Многовариантный расчет любых характеристик схемы при изменении любых ее параметров (Parametric)
- •12.14. Расчет любых характеристик схемы при изменении температуры (Temperature)
- •12.15. Расчет переходных процессов и спектральный анализ (Transient)
- •12.16. Расчет передаточных функций по постоянному току (Transfer Function)
- •12.18. Запуск программы моделирования на выполнение
- •12.19. Просмотр результатов анализа
- •12.20. Модели аналоговых компонентов
- •12.20.1. Задание параметров компонентов
- •12.20.2. Пассивные компоненты
- •12.20.3. Независимые источники сигналов
- •12.20.4. Управляемые источники сигналов
- •12.20.5. Полупроводниковые приборы
- •12.20.6. Макромодели
- •12.20.7. Операционные усилители
- •12.21. Подключение библиотек и других файлов
- •12.21.1. Подключение библиотек символов компонентов
- •12.21.2. Подключение библиотек параметров математических моделей компонентов
- •ЛИТЕРАТУРА
- •Приложение 6 Семейства входных Iб = f (Uбэ ) и выходных Iк = f (Uкэ ) статических ВАХ транзисторов с ОЭ

fв ≤ min(fв1, fв2 , fв3),
где fв1 |
= |
1 |
|
|
; |
||
2p(Rг | | Rвх )(Cэп |
+ C*к экв ) |
||||||
|
|
|
|||||
fв2 |
= |
1 |
; |
|
|
||
|
2p(RН| |Rвых )Cн |
|
|
||||
fв3 |
= fh21э . |
|
|
|
(6.19)
(6.20)
(6.21)
(6.22)
Значения коэффициентов частотных искажений, обусловленных наличи- ем рассмотренных фильтров нижних частот, на некоторой частоте f в области
ВЧ вычисляются согласно выражению
MвN (f )= |
|
æ |
f |
ö2 |
|
|
|
ç |
÷ |
, N=1, 2, 3. |
(6.23) |
||||
|
|||||||
1+ ç |
|
÷ |
|||||
|
|
è fвN ø |
|
|
Каскад на БТ с ОЭ характеризуется следующими типовыми значениями параметров: коэффициент усиления по току – десятки – сотни раз; коэффици- ент усиления по напряжению – десятки – сотни раз (единицы – десятки раз при отсутствии конденсатора CЭ ); входное сопротивление – десятые доли – едини-
цы килоом (единицы – десятки килоом при отсутствии конденсатора CЭ ); вы- ходное сопротивление – десятые доли – единицы килоом.
6.3. Анализ усилительного каскада на биполярном транзисторе с ОБ
Принципиальная схема усилителя на БТ с ОБ с эмиттерной стабилизаци- ей рабочей точки показана на рис. 6.6, а полная эквивалентная схема усилителя представлена на рис. 6.7. Проведя анализ данной схемы для области СЧ, НЧ и ВЧ согласно приведенному выше алгоритму, можно получить выражения для основных параметров усилителя на БТ с ОБ, которые приведены в табл. 6.1.
Анализ выражений (см. табл. 6.1) показывает, что параметры усилителя на БТ с ОБ существенно отличаются от параметров каскада на БТ с ОЭ: фаза сигнала на выходе совпадает с фазой сигнала на входе; коэффициент усиления по току – меньше единицы; коэффициент усиления по напряжению – десятки – сотни раз; входное сопротивление – десятки – сотни ом; выходное сопротивле- ние – десятые доли – единицы килоом.
В данной схеме эффект Миллера не столь значительно влияет на АЧХ в области ВЧ, поскольку на вход пересчитывается емкость коллекторного пере- хода:
Cк экв = (Ku +1)Cк . |
(6.24) |
Значение предельной частоты транзистора в схеме с ОБ fh21б много больше,
чем в схеме с ОЭ fh21э , поэтому каскад на БТ с ОБ оказывается наиболее высокочастотным.
83

Рис. 6.6
Рис. 6.7
6.4. Анализ усилительного каскада на биполярном транзисторе с ОК
Принципиальная схема усилителя на БТ с ОК с эмиттерной стабилизаци- ей рабочей точки показана на рис. 6.8, а полная эквивалентная схема усилителя представлена на рис. 6.9. Анализ данной схемы, которую часто называют эмит- терным повторителем (ЭП), для области СЧ, НЧ и ВЧ согласно приведенному выше алгоритму позволил получить выражения для ее основных параметров, которые приведены в табл. 6.1.
Своим названием эмиттерный повторитель обязан следующему свойству: напряжение на его выходе практически повторяет входное напряжение, т.е. коэф- фициент усиления по напряжению незначительно ниже единицы, а фаза выходно- го сигнала в полосе пропускания равна фазе входного сигнала. Другой отличи-
тельной особенностью данного каскада является высокое входное сопротивление и низкое выходное. Поэтому основное назначение ЭП – согласование по напря- жению источника сигнала, имеющего высокое внутреннее сопротивление, с низ- коомной нагрузкой. При включении ЭП между источником сигнала и нагрузкой не происходит значительного снижения коэффициента усиления по напряжению, поскольку его входное сопротивление достаточно велико. Анализ выражений
84

(см. табл. 6.1) показывает, что параметры ЭП отличаются от параметров каска- дов на БТ с ОЭ и ОБ: фаза сигнала на выходе совпадает с фазой сигнала на вхо- де; коэффициент усиления по току – десятки – сотни раз; коэффициент усиле- ния по напряжению – меньше единицы; входное сопротивление – десятки – сотни килоом; выходное сопротивление – единицы – десятки ом.
Рис. 6.8
Рис. 6.9
Анализ выражений (см. табл. 6.1) показывает, что параметры ЭП отлича- ются от параметров каскадов на БТ с ОЭ и ОБ: фаза сигнала на выходе совпа- дает с фазой сигнала на входе; коэффициент усиления по току – десятки–сотни раз; коэффициент усиления по напряжению – меньше единицы; входное сопро- тивление – десятки–сотни килоом; выходное сопротивление – единицы– десятки ом.
В схеме ЭП эффект Миллера отсутствует, поскольку на емкости эмит- терного перехода практически отсутствует напряжение, и при пересчете во входную цепь ее эквивалентное значение не изменяется. АЧХ в области ВЧ определяется в основном влиянием емкости нагрузки и зависимостью ко- эффициента передачи по току h21э от частоты. Поэтому верхняя граничная
85

частота ЭП имеет среднее значение между значениями аналогичного пара- метра в усилителях на БТ в схемах с ОБ и ОЭ.
Таблица 6.1
Расчетные соотношения для основных параметров усилительного каскада на БТ, включенного по схеме с ОБ и ОК
Параметр |
|
|
|
|
|
|
|
|
Схема с ОБ |
|
|
|
Схема с ОК |
||||||||
rвх т |
|
h |
11б |
= r + |
(1- h |
21Б |
)r' |
б |
|
r'б +(rэ + RЭ | | RН )(h21Э +1) |
|||||||||||
|
|
|
|
|
э |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
Rвх |
|
RЭ| |rвх т |
|
|
|
|
|
|
RБ| |rвх т |
|
|
|
|
|
|||||||
R |
вых |
|
R |
К |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
æ |
ö |
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ç |
|
r'б +Rг | | RБ ÷ |
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
RЭ| |çrэ + |
|
|
|
|
÷ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
è |
|
1+ h21Э ø |
||||
Ki |
|
h21БRК |
|
|
|
|
|
|
(1+ h21Э )RЭ |
||||||||||||
|
|
|
RК + RН |
|
|
|
|
|
|
|
RЭ + RН |
|
|
||||||||
Ku |
|
h21Б |
RК| |RН |
|
|
|
|
|
(1+ h21Э )(RЭ| | RН ) |
||||||||||||
|
|
|
R |
Э |
| |r |
|
|
|
|
|
|
R |
вх |
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
вх т |
|
|
|
|
|
||||||||
fн |
1 (2pC1(Rг + Rвх )) |
|
|
1 (2pC1(Rг + Rвх )) |
|||||||||||||||||
|
|
1 (2pC2(Rвых + RН )) |
|
1 (2pC2(Rвых + Rн )) |
|||||||||||||||||
|
|
1 (CБRБ ) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
fв |
1 (2p(Rг | | Rвх )(Cэп + Cк экв )) |
1 (2π(Rг| |Rвх )C*к ) |
|||||||||||||||||||
|
|
1 (2p(RН| |Rвых )Cн ) |
|
1 (2π(Rг| |Rвх )CЭ ) |
|||||||||||||||||
|
|
|
1 (2π(R Н| |Rвых )Cн ) |
||||||||||||||||||
|
|
fh21б |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
fh21э |
|
|
|
|
|
6.5. Алгоритмы расчета малосигнального усилителя
Алгоритм расчета малосигнального усилителя на БТ, включенного по схеме с ОЭ или ОБ. Обычно исходными данными при расчете малосиг- нальных усилителей являются напряжение коллектор – эмиттер UКЭ и ток
коллектора IК в рабочей точке. В справочниках обычно приводятся значения
параметров БТ (коэффициенты усиления по току, емкости переходов, частот- ные параметры, коэффициент шума) для рекомендуемого режима работы по постоянному току, при котором проводилось измерение этих параметров.
1. Для обеспечения стабилизации рабочей точки падение напряжения на
резисторе RЭ (потенциал эмиттера) можно выбрать из условия |
|
UЭ = IЭRЭ = 0,2UКЭ , |
(6.25) |
а напряжение питания UИП выбирается согласно выражению |
|
UИП = 2UКЭ + UЭ = IКRК + UКЭ + UЭ |
(6.26) |
для обеспечения максимального значения амплитуды неискаженного выходно- го сигнала.
2. Сопротивления резисторов RЭ и RК находим по выражениям |
|
RК = (UИП − UКЭ − UЭ ) IК ; |
(6.27) |
86

RЭ = UЭ IЭ » UЭ IК , т.к. можно принять IЭ » IК . |
(6.28) |
3. Находим ток базы |
|
IБ = IК h21Э |
(6.29) |
и потенциал базы транзистора
UБ = UБЭ + UЭ , (6.30)
где напряжение база – эмиттер в рабочей точке для кремниевого транзистора можно принять UБЭ = 0,6 В.
4. Для обеспечения работоспособности схемы стабилизации задаемся то- ком делителя напряжения, образованного резисторами R1 и R2, в десять раз больше, чем ток базы:
IД =10× IБ . |
|
|
|
|
(6.31) |
||||
5. Находим сопротивления R1 и R2: |
|
||||||||
R1 = (UИП - UБ ) (IД + IБ ); |
(6.32) |
||||||||
R2 = UБ IД . |
|
|
|
|
(6.33) |
||||
6. Емкости конденсаторов находим из условий |
|
||||||||
C1 > |
|
10 |
|
; |
|
(6.34) |
|||
2πfн (R г + Rвх ) |
|
||||||||
C2 > |
10 |
|
; |
(6.35) |
|||||
2πfн (Rвых + Rн ) |
|||||||||
CЭ > |
10 |
|
|
; |
|
|
(6.36) |
||
|
2πfнRЭ |
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
||
CБ > |
10 |
|
, |
|
|
(6.37) |
|||
|
2πfнRБ |
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
при выполнении которых значение коэффициента усиления по напряжению на нижней граничной частоте fн уменьшается не более чем в 2 раз.
Алгоритм расчета эмиттерного повторителя. Обычно исходными дан-
ными являются напряжение источника сигнала Eг , его внутреннее сопротивление
Rг , сопротивление нагрузки R н и напряжение источника питания UИП .
1.Вычисляем максимально возможное значение амплитуды тока нагруз- ки, соответствующее идеальному согласованию, когда Uвых = Eг :
Iн = Uвых . |
(6.38) |
RН |
|
2. Выбираем рабочую точку БТ: |
|
IЭ »1,3× Iн ; |
(6.39) |
UКЭ= UЭ = IЭRЭ = UИП 2. |
(6.40) |
Если Iн < 2 мА , то необходимо задаться током покоя эмиттера IЭ = 2 мА . Можно считать, что IК » IЭ .
87