
- •СОДЕРЖАНИЕ
- •ПРЕДИСЛОВИЕ
- •ВВЕДЕНИЕ
- •МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ К ПРАКТИЧЕСКИМ ЗАНЯТИЯМ
- •1. МАТЕМАТИЧЕСКИЕ МОДЕЛИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
- •1.2. Нелинейная модель полупроводникового диода
- •1.3. Алгоритм определения параметров нелинейной модели диода
- •1.4. Практическое занятие
- •1.5. Контрольные вопросы
- •2.1. Выпрямители напряжения
- •2.2. Параметрический стабилизатор напряжения
- •2.3. Практическое занятие
- •2.4. Контрольные вопросы
- •3. МАТЕМАТИЧЕСКИЕ МОДЕЛИ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
- •3.1. Классификация моделей биполярных транзисторов
- •3.2. Модель Эберса – Молла
- •3.3. Малосигнальная физическая Т-образная эквивалентная схема
- •3.4. Формальная модель (система h-параметров)
- •3.5. Модель Гуммеля – Пуна
- •3.6. Частотные свойства биполярных транзисторов
- •3.7. Упрощенная малосигнальная эквивалентная схема усилителя
- •3.9. Контрольные вопросы
- •4. МАТЕМАТИЧЕСКИЕ МОДЕЛИ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
- •4.1. Модель Шихмана – Ходжеса
- •4.2. Дифференциальные параметры полевых транзисторов
- •4.4. Аппроксимация вольт-амперных характеристик
- •4.5. Влияние температуры на вольт-амперные характеристики
- •4.6. Практическое занятие
- •4.7. Контрольные вопросы
- •5.1. Принцип действия усилителя
- •5.2. Схемы стабилизации положения рабочей точки
- •5.3. Расчет усилителя с эмиттерной стабилизацией
- •5.4. Практическое занятие
- •5.5. Контрольные вопросы
- •6.1. Основные характеристики и параметры
- •6.2. Анализ усилительного каскада на биполярном транзисторе с ОЭ
- •6.3. Анализ усилительного каскада на биполярном транзисторе с ОБ
- •6.4. Анализ усилительного каскада на биполярном транзисторе с ОК
- •6.5. Алгоритмы расчета малосигнального усилителя
- •6.6. Практическое занятие
- •6.7. Контрольные вопросы
- •7. ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЕ УСИЛИТЕЛИ
- •7.1. Усилители постоянного тока
- •7.2. Устройство и принцип действия дифференциального усилителя
- •7.3. Расчет параметров дифференциального усилителя
- •7.4. Способы улучшение параметров дифференциального усилителя
- •7.5. Схемотехника источников тока
- •7.6. Варианты реализации дифференциальных усилителей
- •7.7. Практическое занятие
- •7.8. Контрольные вопросы
- •8.2. Согласование усилителя с нагрузкой
- •8.3. Режимы работы активного элемента в усилителях мощности
- •8.4. Схемы бестрансформаторных двухтактных усилителей мощности
- •8.5. Расчет двухтактного бестрансформаторного усилителя мощности
- •8.6. Практическое занятие
- •8.7. Контрольные вопросы
- •9. ОПЕРАЦИОННЫЕ УСИЛИТЕЛИ
- •9.1. Основные параметры и классификация
- •9.2. Обратные связи
- •9.3. Упрощенная принципиальная схема операционного усилителя
- •9.4. Инвертирующий усилитель
- •9.5. Неинвертирующий усилитель
- •9.6. Повторитель напряжения
- •9.7. Усилитель разностного сигнала
- •9.8. Амплитудно-частотная характеристика
- •9.9. Выбор операционного усилителя при проектировании
- •9.10. Практическое занятие
- •9.11. Контрольные вопросы
- •10. ЭЛЕКТРОННЫЕ КЛЮЧИ НА БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ
- •10.2. Быстродействие транзисторного ключа
- •10.3. Расчет ключа на биполярном транзисторе
- •10.4. Практическое занятие
- •10.5. Контрольные вопросы
- •11. АВТОКОЛЕБАТЕЛЬНЫЕ МУЛЬТИВИБРАТОРЫ
- •11.1. Принцип действия мультивибратора с емкостными коллекторно-базовыми связями
- •11.2. Повышение быстродействия мультивибратора
- •11.3. Практическое занятие
- •11.4. Контрольные вопросы
- •12. МОДЕЛИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРОННЫХ УСТРОЙСТВ В СИСТЕМЕ OrCAD
- •12.1. Порядок работы с модулем Schematics
- •12.2. Входной файл модуля PSpice A/D
- •12.3. Запуск оболочки Schematics на выполнение
- •12.4. Чтение файла принципиальной схемы с диска
- •12.5. Сохранение файла принципиальной схемы на диске
- •12.6. Создание и редактирование принципиальной схемы
- •12.7. Размещение символов компонентов
- •12.8. Редактирование параметров компонентов
- •12.9. Размещение электрических связей
- •12.10. Создание задания на моделирование
- •12.13. Многовариантный расчет любых характеристик схемы при изменении любых ее параметров (Parametric)
- •12.14. Расчет любых характеристик схемы при изменении температуры (Temperature)
- •12.15. Расчет переходных процессов и спектральный анализ (Transient)
- •12.16. Расчет передаточных функций по постоянному току (Transfer Function)
- •12.18. Запуск программы моделирования на выполнение
- •12.19. Просмотр результатов анализа
- •12.20. Модели аналоговых компонентов
- •12.20.1. Задание параметров компонентов
- •12.20.2. Пассивные компоненты
- •12.20.3. Независимые источники сигналов
- •12.20.4. Управляемые источники сигналов
- •12.20.5. Полупроводниковые приборы
- •12.20.6. Макромодели
- •12.20.7. Операционные усилители
- •12.21. Подключение библиотек и других файлов
- •12.21.1. Подключение библиотек символов компонентов
- •12.21.2. Подключение библиотек параметров математических моделей компонентов
- •ЛИТЕРАТУРА
- •Приложение 6 Семейства входных Iб = f (Uбэ ) и выходных Iк = f (Uкэ ) статических ВАХ транзисторов с ОЭ

увеличивать скорость движения носителей в канале, используя свойства структур ряда гетерогенных переходов, в которых возникает слой двумерного электронного газа.
Два последних способа повышения быстродействия ПТ используются в структурах, которые называются полевой транзистор с барьером Шоттки (ПТШ) и полевой транзистор с высокой подвижностью электронов, или гетеро- переходный полевой транзистор.
4.4. Аппроксимация вольт-амперных характеристик
При расчете усилителей на ПТ по постоянному току вместо достаточно сложных при инженерных расчетах соотношений для тока стока (4.1) и (4.2) очень часто используют упрощенные выражения, которые
также используют кусочную аппроксимацию ВАХ ПТ.
|
|
Передаточная |
характеристика |
ПТ |
||||||||||
|
|
IС = f (UЗИ ) |
|
UСИ =const , показанная на рис. 4.8, опи- |
||||||||||
|
|
|
||||||||||||
|
|
|
||||||||||||
|
|
сывается выражением |
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
æ |
ö |
2 |
|
|||
|
|
I |
С |
(U |
ЗИ |
)= I |
ç1- |
UЗИ |
÷ |
, |
|
|||
|
|
|
|
|
|
|||||||||
|
|
|
|
|
|
С начç |
÷ |
|
|
|||||
Рис. 4.8 |
(4.15) |
|
|
|
|
è |
UЗИ отс ø |
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
где IС нач – начальный ток стока, соответствующий напряжению UСИ = 0. |
||||||||||||||
Семейство выходных характеристик ПТ IС = f (UСИ ) |
|
UЗИ =const (см. рис. 4.5) |
||||||||||||
|
||||||||||||||
|
||||||||||||||
на начальном участке при UСИ < UСИ нас рассчитывается по формуле |
|
|||||||||||||
IС(UСИ )= |
IС нач |
(2UСИ нас × UСИ - UСИ2 ), |
|
|
|
|
|
(4.16) |
||||||
UЗИ отс |
|
|
|
|
|
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
где UСИ нас = UЗИ − UЗИ отс – напряжение сток – исток насыщения.
В области насыщения UСИ > UСИ нас для упрощения таких расчетов счи- тается, что ток стока не зависит от величины напряжения UСИ , а задается толь- ко напряжением UЗИ согласно (4.15).
Удобство использования выражений (4.15) и (4.16) состоит в том, что они включают легко определяемые экспериментально параметры IС max и UЗИ отс .
Воспользовавшись (4.15), легко получаем выражение для дифференци- альной крутизны ПТ:
S = |
¶IС |
= |
2IС нач |
(UЗИ - UЗИ отс )= |
|
2 |
|
|
, |
(4.17) |
|
|
IС начIС |
||||||||
¶UЗИ |
|
|
UЗИ отс |
|||||||
|
|
UЗИ2 отс |
|
|
|
|
58

а также максимальное значение крутизны, соответствующее |
напряжению |
|||
UЗИ = 0 : |
2IС нач |
|
|
|
Smax = |
. |
(4.18) |
||
UЗИ отс |
||||
|
|
|
||
4.5. Влияние температуры на вольт-амперные характеристики |
Зависимость тока стока от температуры обусловлена влиянием темпе- ратуры на величину контактной разности электронно-дырочного перехода и подвижность носителей заряда в канале ПТ. С одной стороны, рост темпе- ратуры приводит к уменьшению контактной разности потенциалов, умень- шению ширины управляющего перехода, т.е. расширению канала, а значит, уменьшению его сопротивления и росту величины тока стока. С другой сто- роны, увеличение температуры приводит к уменьшению подвижности носи- телей заряда, а значит, увеличению сопротивления канала и уменьшению тока стока.
Графики передаточных характеристик ПТ для различных температур представлены на рис. 4.9. В точке пересечения этих графиков ток стока не зависит от температуры, поскольку в ней
рассмотренные выше два фактора компенсируют друг друга. Такая точка характеристик ПТ называ-
ется термостабильной точкой (ТСТ).
Ток стока в ТСТ определяется по формуле
|
|
|
|
æ |
0,4 В |
ö |
|
|
Рис. 4.9 |
I |
С ТСТ |
= I |
ç |
|
|
÷. |
(4.19) |
U |
|
|||||||
|
|
С начç |
|
÷ |
|
|||
|
|
|
|
è |
|
ЗИ отс ø |
|
Если подставить (4.19) в (4.17), то можно легко определить крутизну в ТСТ:
S |
ТСТ |
= |
IС ТСТ |
. |
(4.20) |
|
|||||
|
|
0,32 В |
|
||
|
|
|
|
Рабочая точка различных устройств на ПТ, предназначенных для ра- боты в широком диапазоне температур, должна совпадать с ТСТ, чтобы из- менения температуры не влияли на характеристики и параметры этих уст- ройств.
4.6. Практическое занятие
Цель:
1.Изучить основные математические модели ПТ.
2.С помощью пакета OrCAD построить семейства передаточных и выходных характеристик ПТ и выполнить расчет его дифференциальных параметров.
3.Изучить влияние температуры на ВАХ ПТ.
59

|
Порядок выполнения задания: |
|
|
|
|
|
||
|
1. Для заданного ПТ с использованием пакета OrCAD построить семей- |
|||||||
ства |
передаточных IС = f (UЗИ ) |
|
UСИ =const |
и |
выходных |
IС = f (UСИ ) |
|
UЗИ =const |
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
||||
ВАХ для включения с ОИ, определить значения IС нач , |
UЗИ отс и рассчитать |
|||||||
его |
дифференциальные параметры S |
и |
Ri в заданной рабочей точке |
UЗИ = 0,5× UЗИ отс , UСИ = 5 В . Справочные данные для используемых в зада-
нии ПТ представлены в прил. 3.
1.1. Для построения семейства передаточных ВАХ ПТ с каналом n-типа необходимо создать документ Schematics, содержащий схему, показанную на рис. 4.10. Для транзистора с каналом p-типа необходимо изменить полярность подключения источников напряжения на противоположную. В схеме использо- вать источники постоянного напряжения – VDC.
1.2. Установить параметры анализа DC Sweep, задав линейное изменение источника входного на- пряжения V1 = UЗИ от 0 В до напряжения больше-
го, чем ожидаемое значение UЗИ отс , с шагом
0,05 В. Установить значение источника выходного напряжения V2 = 5 В. В качестве значения напря-
жения источника V1= UЗИ можно использовать
значение по умолчанию.
Рис. 4.10 1.3. Запустить выполнение анализа схемы. Вывести на экран график зависимости IС = f (UЗИ )
при UСИ = 5 В . Пользуясь электронным курсором программы Probe, определить
IС нач , UЗИ отс .
1.4. Для построения семейства выходных ВАХ необходимо установить параметры анализа DC Sweep, задав линейное изменение источника выход- ного напряжения V2 = UСИ от 0 до 10 В с шагом 0,05 В. Установить пара-
метры анализа Parametric, задав изменение источника входного напряже- ния V1 = UЗИ списком значений 0; 0,25UЗИотс ; 0,5UЗИотс ; 0,75UЗИотс . Для
этого необходимо организовать два вычислительных цикла. Внутренний цикл задает изменение напряжения сток – исток UСИ , а внешний – измене-
ние напряжения UЗИ .
1.5. Запустить выполнение анализа схемы. Вывести на экран графики зависимостей IС = f (UСИ ) при UЗИ = const . Пользуясь двумя электронными
курсорами программы Probe, рассчитать дифференциальные параметры S и Ri в заданной рабочей точке UЗИ = 0,5× UЗИ отс , UСИ = 5 В . Рассчитать так-
же дифференциальный коэффициент усиления по напряжению ПТ μ. Све- сти в таблицу в рабочей тетради координаты точек графика, по которым
60

проводился расчет, а также полученные значения дифференциальных пара- метров.
1.6. Получить значения дифференциальных параметров ПТ с исполь- зованием расчета передаточных функций по постоянному току (Transfer Function). Для этого установить значения источников напряжения, соответ- ствующие заданной рабочей точке ПТ V1 = 0,5× UЗИотс ; V2 = 5 В. В окне
раздела меню Analysis/Setup/Transfer Function в качестве выходной пере- менной (Output Variable) необходимо выбрать ток выходного источника напряжения I(V2), а в качестве входной переменной (Input Variable) – напряжение входного источника напряжения V1.
1.7. Запустить выполнение анализа схемы. После появления окна про- граммы просмотра результатов расчета (Probe) необходимо открыть выход- ной файл, нажав на панели инструментов кнопку или выбрав раздел ме-
ню View/ Output File. В разделе SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS (ма-
лосигнальные характеристики) выходного файла содержатся рассчитанные значения трех малосигнальных параметров исследуемого ПТ.
Пример.
**** SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS I(V_V2)/V_V1 = 3.532E-03
INPUT RESISTANCE AT V_V1 = 8.931E+12 OUTPUT RESISTANCE AT I(V_V2) = 1.306E+05
Первая строка после заголовка раздела соответствует отношению вы- ходного тока к входному напряжению, т.е. крутизне ПТ S; вторая строка – дифференциальному сопротивлению управляющего перехода (дифференци- альному входному сопротивлению ПТ); третья строка – дифференциально- му внутреннему сопротивлению ПТ Ri . Свести полученные значения в
таблицу.
Сравните значения параметров, полученные разными способами.
1.8. Определить максимальное значение крутизны Smax .
2. Построить передаточные характеристики ПТ IС = f (UЗИ )UСИ =const
(при UСИ = 5 В ) для различных температур (20, 50 и 80°C), определить ко-
ординаты ТСТ и рассчитать значения дифференциальных параметров ПТ в этой точке.
2.1. Установить параметры анализа DC Sweep, задав линейное изме- нение источника входного напряжения V1 = UЗИ от 0 В до напряжения
большего, чем известное значение UЗИ отс , с шагом 0,05 В. Установить зна- чение источника выходного напряжения V2 = 5 В. В качестве значения на- пряжения источника V1= UЗИ можно использовать значение по умолчанию.
Установить параметры анализа Parametric, задав изменение температуры списком указанных значений. При этом организованы два вычислительных
61