АНАЛ.ЭЛЕКТРОНИКА / theory
.pdfа) Фиксированный ток базы
+E
IоБ
RБ Rн
J=Iок
Рис.2.43.Схема с фиксированным током базы
Расчетные соотношения
I |
ОБ |
|
E U |
ОБЭ |
|
|
E |
||
|
RБ |
|
|
|
RБ |
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
Uн<UоБ=Е −UоБЭ |
||||||||
|
|
J Iок IОБ |
|
||||||
|
|
Ri |
1 |
|
r* |
|
|||
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
h22Э |
К |
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
Основной недостаток – влияние - неточность и нестабильность. б) Фиксированный потенциал базы.
+E
Iдел |
R1 |
|
|
||
UОБ |
IОБ |
|
Iдел+ |
||
Rн |
||
IОБ |
||
R2 |
||
|
J=Iок |
Рис.2.44. Схема с фиксированным потенциалом базы
Порядок расчета приведен ниже:
70
U ОБ Eк U ОБЭ , |
|
IОБ |
|
Iок |
, |
I ДЕЛ |
( 5 10 )IОБ |
|||||||||
|
|
|||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
R |
UОБЭ |
, |
R |
2 |
|
|
|
U ОБ |
|
|
|
|
E UОБЭ |
, |
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
1 |
I ДЕЛ |
|
|
|
I ДЕЛ |
IОБ |
I ДЕЛ IОБ |
|||||||||
|
|
|
|
|
||||||||||||
|
|
Ri r |
* |
r |
|
|
rК |
|
|
|
||||||
|
|
К |
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
КЭ |
|
1 |
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Недостатки - сильная зависимость тока от температуры через UОБЭ .
в) Наиболее распространены ГСТ с эмиттерной стабилизацией
|
|
+ Е |
Iдел |
RЭ |
Iоэ |
R1 |
|
|
UОБ |
|
|
Iдел+IОБ |
Rн |
|
R2 |
|
|
|
|
J=Iок |
Рис.2.45. ГСТ с эмиттерной стабилизацией
IДЕЛ>>IОБ , I ДЕЛ R1 UОБЭ IОЭ Rэ ,
UОБ R2 I ДЕЛ IОБ E R1 I ДЕЛ , I ДЕЛ |
|
E |
|
R1 R2 |
|||
Достоинства: |
|
||
|
|
||
1. Не влияет и его разброс. |
|
|
|
2. Ослаблено влияние UОБЭ . |
|
|
г) Для повышения точности и стабильности кроме термостабилизации с помощью резистора Rэ применяют термокомпенсацию.
71
|
|
Iдел |
+E |
|
|
|
Iоэ RЭ |
|
|
|
IделR1 |
|
IоэRэ |
|
|
R1 |
|
||
|
UПР |
Uобэ |
|
|
|
UОБ |
|
|
|
|
Iдел+IОБ |
R2 |
Rн |
|
|
|
|
||
|
|
|
J=Iок |
|
|
Рис.2.46. ГСТ с термокомпенсацией |
|
||
|
Iоэ I ДЕЛ R1 (Uпр UОБЭ ) |
(2.125) |
||
|
|
|
Rэ |
|
При U ПР U ОБЭ и |
dU ПР dUОБЭ , |
J Iок Iоэ f UОБЭ |
|
|
|
dt |
dt |
|
|
2.19. Источники стабильного тока на дискретных полевых транзисторах.
Часто из-за простоты реализации источники тока выполняют на полевых транзисторах.
Iс |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Uзи=0 |
|
Iс |
|
||
Iснач |
|
J |
|
|
||||
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
U |
|
|
|
|
|
|
|
|
Iснач |
|
|||
|
|
|
|
|
I |
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Ri U
I
Uотс |
Uзи |
Uпер |
Uси |
Рис.2.47. ВАХ ПТ
72
+ |
|
|
|
|
|
|
|
+E |
|
|
|
|
|
||||
Rн |
|
|
|
|
|
|
VT |
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
J=Iснач |
|
|
|||||
|
|
|
|
|
VT |
- |
-E |
+ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Rн |
|
|
|
|
J=Iснач |
||
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Рис.2.48. ГСТ на ПТ |
|
|
||||||
В этом случае при UОЗИ=0 |
J=IСНАЧ. |
|
|
||||||||||
Для повышения стабильности и возможности более точной установ- |
|||||||||||||
ки величины тока применяют схемы c автосмещением. |
|
|
|||||||||||
+ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
+E |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
+ |
|
|
|
||||
Rн |
|
|
J=Iос |
|
|
Uози |
|
|
|
IосRИ |
|||
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
- |
|
|
RИ |
|||||
|
|
|
|
|
VT |
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
RИ |
VT |
|
+ |
+ |
|
|
|
|
||
Uози |
IосRИ |
Rн |
J=Iос |
- |
-E |
|
|
|
|
|
|
|
Рис.2.49. ГСТ на ПТ с автосмещением |
|
Требуемый ток канала и нагрузки устанавливается с помощью дополнительного резистора Rи.
Uози Uози
Rи |
|
|
|
(2.126) |
|
|
Iос J
73
Iс Iснач
Rи
Iос=J
Uз
Uози 0
Рис.2.50. Точка покоя на стокзатворной ВАХ.
2.20. Применение ГСТ. Усилитель на биполярном транзисторе в схеме включения с общим эмиттером с динамической нагрузкой
Под динамической нагрузкой понимается источник тока с большим дифференциальным сопротивлением Ri в цепи коллектора.
|
|
+Eк |
J |
>> |
Ri |
|
||
|
|
Uвых
Iк Rн
Uвх
Рис.2.51. Усилитель ОЭ с динамической нагрузкой
По постоянному току транзистор нагружен на ГСТ, СЛН− горизонтальная прямая. На переменном токе или для приращений ДЛН задается сопротивлением нагрузки, так как
Rкн Ri // Rн Rн
В режиме х.х.
Kuxx |
Iк Ri |
|
Ri |
(2.127) |
|
I Б h11Э |
h11Э |
||||
|
|
|
Так как Ri>>Rк, коэффициент усиления может быть увеличен в де- сятки-сотни раз, теоретически до 104.
74
Ек/Rн |
Iк |
Iок |
|
|
|
ДЛН |
|
Iок |
J |
0 |
СЛН |
|
|
||
|
|
|
Ri |
|
|
|
Uкэ |
|
|
Uокэ |
Ек |
Рис.2.52. Линии нагрузки усилителя ОЭ с динамической нагрузкой
С учетом нагрузки |
|
|||
Ku |
Rн |
|
(2.128) |
|
h11Э |
||||
|
|
|||
Большое усиление реализуется только в режиме х.х. |
Недостаток |
|||
схемы − большое выходное сопротивление. |
|
|||
Rвых Ri |
(2.129) |
Для нейтрализации влияния Rн усилитель с динамической нагрузкой как правило дополняется эмиттерным повторителем.
Сложность реализации усилителя с динамической нагрузкой заключается в необходимости выполнения очень точного равенства тока покоя
усилительного транзистора |
и тока ГСТ, который также выполняется на |
|||||||||
транзисторе. |
|
0 |
|
|
|
|
|
|
||
|
Iк |
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
J |
|||||||
Iок |
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
СЛН |
|
|
|
|
|
rКЭ1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
rКЭ2=Ri |
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Uокэ Uкэ
Рис.2.53. Точка покоя усилителя ОЭ с динамической нагрузкой
Из-за большого сопротивления в коллекторе доже очень малая погрешность тока приводит к недопустимой погрешности по напряжению
75
покоя. Например, Iок=5 мА, J =5,1 мА. I=0,1 мА. При Ri=100 кОм погрешность напряжения U= I ∙ Ri =0,1∙10−3∙105=10В. Транзисторы выходят из активного режима.
Iк |
Iк |
J>Iок |
|
0 |
0 |
Iок |
Iок |
J<Iок
Uкэ |
Uкэ |
Uокэ |
Uокэ |
Рис.2.54. Сдвиг точки покоя усилителя ОЭ с динамической нагрузкой
Для стабилизации режима покоя обычно применяют коллекторную стабилизацию по напряжению Uкэ.
|
+Eк |
|
RЭ |
|
Eсм |
С2 |
J |
Uвых |
|
|
R1 |
С3
R2 IОБ
IОК
С1
Uвх
Рис.2.55. Коллекторная стабилизация усилителя ОЭ
Благодаря большому усилению схема ОЭ с динамической нагрузкой широко применяется в микроэлектронике при реализации усилителей постоянного тока с большим коэффициентом усиления –ОУ.
76
2.21. Эмиттерный повторитель с динамической нагрузкой
+Eк
rК
Uвх
J |
>> |
|
СUвых
Ri
Rн
Рис. 2.56. Эмиттерный повторитель с динамической нагрузкой
Применение ГСТ увеличивает входное сопротивление
Rвх h11Э (1 ) Ri , |
(2.130) |
При увеличении β практически входное сопротивление ограничено сопротивлением коллекторного перехода.
Kuxx |
h11Б |
(2.131) |
h11Б Ri
Так как Ri превышает выходное сопротивление в 103 104 раз, то легко обеспечить Кuxx=0,999. Одновременно, так как Ri >> Rн, то Кi=1+β, что невозможно получить при соизмеримых Rэ и Rн.
2.22. Параметрический стабилизатор напряжения с источником стабильного тока
Применение ГСТ позволяет многократно увеличить коэффициент стабилизации.
Ток источника
J Iэ |
2Uпр UБЭ |
|
Uпр |
f (Uв ) |
(2.132) |
Rэ |
|
||||
|
|
Rэ |
|
77
2Uпр |
|
Iэ |
Rэ |
|
|
IБ |
VT |
|
|
|
|
|
||
Uв |
|
|
J |
Iн |
|
|
|
|
|
|
RБ |
Iст |
Uст |
Rн |
|
|
Рис.2.57. Параметрический стабилизатор напряжения с источником стабильного тока
КСТ = ⁄ СТ |
(2.133) |
Практические схемы позволяют получить КСТ >100. Для уменьшения влияния нагрузки такие схемы применяют, как правило с эмиттерным повторителем.
2.23. Эффект Миллера в инвертирующих усилителях. Способы снижения влияния эффекта Миллера на АЧХ. Схемы с уменьшенной проходной емкостью – каскод и каскад с эмиттерной связью.
В области высших частот сопротивление генератора сигнала и входная емкость усилителя образуют ФНЧ, параметры которого ограничивают верхнюю частоту.
Rк |
|
+E |
|
|
|||
|
С2 |
||
|
|
|
|
|
|
|
|
Icк Uвых
Ск
Rг С1
Eг
Uвх
Сэ
Icэ
Рис.2.58. Входные емкости усилителя
78
Сэ –диффузионная емкость прямосмещенного эмиттерного перехода, Ск – барьерная ёмкость обратносмещенного коллекторного перехода. Так
как эта емкость между входом и выходом, то она имеет название проходная емкость.
Определим емкостной входной ток |
|
||||||||||||
|
|
|
i |
|
Uвх |
Сэ Uвх |
(2.134) |
||||||
|
|
|
|||||||||||
|
|
|
CЭ |
|
хCЭ |
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
i |
Uвх Uвых |
|
Uвх Ku Uвх |
( Ск) (1 Ku) Uвх |
(2.135) |
||||||||
|
|
|
|
||||||||||
СК |
хСК |
хСК |
|
||||||||||
|
|
|
|||||||||||
Так как Ku<0, то |
iСК Ск 1 |
|
Ku |
|
Uвх |
(2.136) |
|||||||
|
|
|
|
||||||||||
|
|
|
|
Эффект Миллера−это увеличение влияния проходной ёмкости в
(1+ Ku ) раз.
Rг |
1 Ku Cк |
С2 |
|
|
|
|
|
||
|
Cэ |
Uвх |
|
|
|
|
|
|
|
|
Uвх |
Ku<0 |
Uвых=KuUвх |
|
|
|
|
||
Eг |
|
|
|
|
|
С1 Cвх С 1 Ku C |
|
||
|
|
2 |
||
|
|
1 |
|
Рис.2.59. Эффект Миллера
Вследствие эффекта Миллера верхняя частота усилителя обратно пропорциональна коэффициенту усиления
В = |
Г [ ( |К |) ] |
(2.136) |
Для нейтрализации эффекта Миллера применяют схемы включения ОЭ-ОБ –каскод.
Каскодный усилитель − усилитель, содержащий два активных элемента, первый из которых включен по схеме с общим эмиттером (истоком, катодом), а второй — по схеме с общей базой (затвором, сеткой). Название схемы произошло от словосочетания «КАСКад через катОД» (англ. "CASCade to cathODE").
79