Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Скачиваний:
56
Добавлен:
15.04.2015
Размер:
10.19 Mб
Скачать

а) Фиксированный ток базы

+E

Б

RБ

J=Iок

Рис.2.43.Схема с фиксированным током базы

Расчетные соотношения

I

ОБ

 

E U

ОБЭ

 

 

E

 

RБ

 

 

 

RБ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Uн<UоБ=Е −UоБЭ

 

 

J Iок IОБ

 

 

 

Ri

1

 

r*

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

h22Э

К

 

 

 

 

 

 

 

 

Основной недостаток – влияние - неточность и нестабильность. б) Фиксированный потенциал базы.

+E

Iдел

R1

 

UОБ

IОБ

Iдел+

IОБ

R2

 

J=Iок

Рис.2.44. Схема с фиксированным потенциалом базы

Порядок расчета приведен ниже:

70

U ОБ Eк U ОБЭ ,

 

IОБ

 

Iок

,

I ДЕЛ

( 5 10 )IОБ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

R

UОБЭ

,

R

2

 

 

 

U ОБ

 

 

 

 

E UОБЭ

,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

I ДЕЛ

 

 

 

I ДЕЛ

IОБ

I ДЕЛ IОБ

 

 

 

 

 

 

 

Ri r

*

r

 

 

rК

 

 

 

 

 

К

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

КЭ

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Недостатки - сильная зависимость тока от температуры через UОБЭ .

в) Наиболее распространены ГСТ с эмиттерной стабилизацией

 

 

+ Е

Iдел

RЭ

Iоэ

R1

 

 

UОБ

 

 

Iдел+IОБ

 

R2

 

 

 

J=Iок

Рис.2.45. ГСТ с эмиттерной стабилизацией

IДЕЛ>>IОБ , I ДЕЛ R1 UОБЭ IОЭ ,

UОБ R2 I ДЕЛ IОБ E R1 I ДЕЛ , I ДЕЛ

 

E

R1 R2

Достоинства:

 

 

 

1. Не влияет и его разброс.

 

 

2. Ослаблено влияние UОБЭ .

 

 

г) Для повышения точности и стабильности кроме термостабилизации с помощью резистора Rэ применяют термокомпенсацию.

71

 

 

Iдел

+E

 

 

 

Iоэ RЭ

 

 

IделR1

 

IоэRэ

 

 

R1

 

 

UПР

Uобэ

 

 

UОБ

 

 

 

 

Iдел+IОБ

R2

 

 

 

 

 

 

 

J=Iок

 

 

Рис.2.46. ГСТ с термокомпенсацией

 

 

Iоэ I ДЕЛ R1 (Uпр UОБЭ )

(2.125)

 

 

 

 

При U ПР U ОБЭ и

dU ПР dUОБЭ ,

J Iок Iоэ f UОБЭ

 

 

dt

dt

 

 

2.19. Источники стабильного тока на дискретных полевых транзисторах.

Часто из-за простоты реализации источники тока выполняют на полевых транзисторах.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Uзи=0

 

 

Iснач

 

J

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

U

 

 

 

 

 

 

 

Iснач

 

 

 

 

 

 

I

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Ri U

I

Uотс

Uзи

Uпер

Uси

Рис.2.47. ВАХ ПТ

72

+

 

 

 

 

 

 

 

+E

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VT

 

 

 

 

 

 

 

J=Iснач

 

 

 

 

 

 

 

VT

-

-E

+

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

J=Iснач

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Рис.2.48. ГСТ на ПТ

 

 

В этом случае при UОЗИ=0

J=IСНАЧ.

 

 

Для повышения стабильности и возможности более точной установ-

ки величины тока применяют схемы c автосмещением.

 

 

+

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

+E

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

+

 

 

 

 

 

J=Iос

 

 

Uози

 

 

 

IосRИ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

-

 

 

RИ

 

 

 

 

 

VT

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

RИ

VT

 

+

+

 

 

 

Uози

IосRИ

J=Iос

-

-E

 

 

 

 

 

 

Рис.2.49. ГСТ на ПТ с автосмещением

 

Требуемый ток канала и нагрузки устанавливается с помощью дополнительного резистора Rи.

Uози Uози

 

 

 

(2.126)

 

 

Iос J

73

Iснач

Rи

Iос=J

Uози 0

Рис.2.50. Точка покоя на стокзатворной ВАХ.

2.20. Применение ГСТ. Усилитель на биполярном транзисторе в схеме включения с общим эмиттером с динамической нагрузкой

Под динамической нагрузкой понимается источник тока с большим дифференциальным сопротивлением Ri в цепи коллектора.

 

 

+Eк

J

>>

Ri

 

 

 

Uвых

Rн

Uвх

Рис.2.51. Усилитель ОЭ с динамической нагрузкой

По постоянному току транзистор нагружен на ГСТ, СЛН− горизонтальная прямая. На переменном токе или для приращений ДЛН задается сопротивлением нагрузки, так как

Rкн Ri // Rн Rн

В режиме х.х.

Kuxx

Iк Ri

 

Ri

(2.127)

I Б h11Э

h11Э

 

 

 

Так как Ri>>Rк, коэффициент усиления может быть увеличен в де- сятки-сотни раз, теоретически до 104.

74

Ек/Rн

Iок

 

 

 

ДЛН

 

Iок

J

0

СЛН

 

 

 

 

 

Ri

 

 

 

Uкэ

 

 

Uокэ

Ек

Рис.2.52. Линии нагрузки усилителя ОЭ с динамической нагрузкой

С учетом нагрузки

 

Ku

 

(2.128)

h11Э

 

 

Большое усиление реализуется только в режиме х.х.

Недостаток

схемы − большое выходное сопротивление.

 

Rвых Ri

(2.129)

Для нейтрализации влияния усилитель с динамической нагрузкой как правило дополняется эмиттерным повторителем.

Сложность реализации усилителя с динамической нагрузкой заключается в необходимости выполнения очень точного равенства тока покоя

усилительного транзистора

и тока ГСТ, который также выполняется на

транзисторе.

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

J

Iок

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

СЛН

 

 

 

 

rКЭ1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

rКЭ2=Ri

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Uокэ Uкэ

Рис.2.53. Точка покоя усилителя ОЭ с динамической нагрузкой

Из-за большого сопротивления в коллекторе доже очень малая погрешность тока приводит к недопустимой погрешности по напряжению

75

покоя. Например, Iок=5 мА, J =5,1 мА. I=0,1 мА. При Ri=100 кОм погрешность напряжения U= I Ri =0,1∙10−3∙105=10В. Транзисторы выходят из активного режима.

J>Iок

0

0

Iок

Iок

J<Iок

Uкэ

Uкэ

Uокэ

Uокэ

Рис.2.54. Сдвиг точки покоя усилителя ОЭ с динамической нагрузкой

Для стабилизации режима покоя обычно применяют коллекторную стабилизацию по напряжению Uкэ.

 

+Eк

 

RЭ

 

Eсм

С2

J

Uвых

 

R1

С3

R2 IОБ

IОК

С1

Uвх

Рис.2.55. Коллекторная стабилизация усилителя ОЭ

Благодаря большому усилению схема ОЭ с динамической нагрузкой широко применяется в микроэлектронике при реализации усилителей постоянного тока с большим коэффициентом усиления –ОУ.

76

2.21. Эмиттерный повторитель с динамической нагрузкой

+Eк

rК

Uвх

J

>>

 

СUвых

Ri

Rн

Рис. 2.56. Эмиттерный повторитель с динамической нагрузкой

Применение ГСТ увеличивает входное сопротивление

Rвх h11Э (1 ) Ri ,

(2.130)

При увеличении β практически входное сопротивление ограничено сопротивлением коллекторного перехода.

Kuxx

h11Б

(2.131)

h11Б Ri

Так как Ri превышает выходное сопротивление в 103 104 раз, то легко обеспечить Кuxx=0,999. Одновременно, так как Ri >> Rн, то Кi=1+β, что невозможно получить при соизмеримых и .

2.22. Параметрический стабилизатор напряжения с источником стабильного тока

Применение ГСТ позволяет многократно увеличить коэффициент стабилизации.

Ток источника

J Iэ

2Uпр UБЭ

 

Uпр

f (Uв )

(2.132)

 

 

 

Rэ

 

77

2Uпр

 

 

 

IБ

VT

 

 

 

 

 

 

J

 

 

 

 

 

RБ

Iст

Uст

 

 

Рис.2.57. Параметрический стабилизатор напряжения с источником стабильного тока

КСТ = ⁄ СТ

(2.133)

Практические схемы позволяют получить КСТ >100. Для уменьшения влияния нагрузки такие схемы применяют, как правило с эмиттерным повторителем.

2.23. Эффект Миллера в инвертирующих усилителях. Способы снижения влияния эффекта Миллера на АЧХ. Схемы с уменьшенной проходной емкостью – каскод и каскад с эмиттерной связью.

В области высших частот сопротивление генератора сигнала и входная емкость усилителя образуют ФНЧ, параметры которого ограничивают верхнюю частоту.

 

+E

 

 

С2

 

 

 

 

 

 

 

Icк Uвых

Ск

С1

Uвх

Сэ

Icэ

Рис.2.58. Входные емкости усилителя

78

Сэ –диффузионная емкость прямосмещенного эмиттерного перехода, Ск – барьерная ёмкость обратносмещенного коллекторного перехода. Так

как эта емкость между входом и выходом, то она имеет название проходная емкость.

Определим емкостной входной ток

 

 

 

 

i

 

Uвх

Сэ Uвх

(2.134)

 

 

 

 

 

 

CЭ

 

х

 

 

 

 

 

 

 

 

i

Uвх Uвых

 

Uвх Ku Uвх

( Ск) (1 Ku) Uвх

(2.135)

 

 

 

 

СК

хСК

хСК

 

 

 

 

Так как Ku<0, то

iСК Ск 1

 

Ku

 

Uвх

(2.136)

 

 

 

 

 

 

 

 

Эффект Миллера−это увеличение влияния проходной ёмкости в

(1+ Ku ) раз.

1 Ku Cк

С2

 

 

 

 

 

 

Uвх

 

 

 

 

 

 

 

Uвх

Ku<0

Uвых=KuUвх

 

 

 

 

 

 

 

 

С1 Cвх С 1 Ku C

 

 

 

2

 

 

1

 

Рис.2.59. Эффект Миллера

Вследствие эффекта Миллера верхняя частота усилителя обратно пропорциональна коэффициенту усиления

В =

Г [ ( |К |) ]

(2.136)

Для нейтрализации эффекта Миллера применяют схемы включения ОЭ-ОБ –каскод.

Каскодный усилитель − усилитель, содержащий два активных элемента, первый из которых включен по схеме с общим эмиттером (истоком, катодом), а второй — по схеме с общей базой (затвором, сеткой). Название схемы произошло от словосочетания «КАСКад через катОД» (англ. "CASCade to cathODE").

79

Соседние файлы в папке АНАЛ.ЭЛЕКТРОНИКА