- •Предисловие
- •Введение Предмет физики и ее связь с другими науками
- •Единицы физических величин
- •1 Физические основы механики Глава 1 Элементы кинематики § 1. Модели в механике. Система отсчета. Траектория, длина пути, вектор перемещения
- •§ 2. Скорость
- •§ 3. Ускорение и его составляющие
- •§ 4. Угловая скорость и угловое ускорение
- •Глава 2 Динамика материальной точки и поступательного движения твердого тела § 5. Первый закон Ньютона. Масса. Сила
- •§ 6. Второй закон Ньютона
- •§ 7. Третий закон Ньютона
- •§ 8. Силы трения
- •§ 9. Закон сохранения импульса. Центр масс
- •§ 10. Уравнение движения тела переменной массы
- •Глава 3 Работа и энергия §11. Энергия, работа, мощность
- •§ 12. Кинетическая и потенциальная энергии
- •§ 13. Закон сохранения энергии
- •§ 14. Графическом представление энергии
- •§ 15. Удар абсолютно упругих и неупругих тел
- •Глава 4 Механика твердого тела § 16. Момент инерции
- •§ 17. Кинетическая энергия вращения
- •§ 18. Момент силы. Уравнение динамики вращательного движения твердого тела
- •§ 19. Момент импульса и закон то сохранения
- •§ 20. Свободные оси. Гироскоп
- •§ 21. Деформации твердого тела
- •Глава 5 Тяготение. Элементы теории поля § 22. Законы Кеплера. Закон всемирного тяготения
- •§ 23. Сила тяжести и вес. Невесомость
- •§ 24. Поле тяготения и то напряженность
- •§ 25. Работа в поле тяготения. Потенциал поля тяготения
- •§ 26. Космические скорости
- •§ 27. Неинерциальные системы отсчета. Силы инерции
- •Глава 6 Элементы механики жидкостей § 28. Давление в жидкости и газе
- •§ 29. Уравнение неразрывности
- •§ 30. Уравнение Бернулли и следствия из него
- •§ 31. Вязкость (внутреннее трение). Ламинарный и турбулентный режимы течения жидкостей
- •§ 32. Методы определения вязкости
- •§ 33. Движение тел в жидкостях и газах
- •Глава 7 Элементы специальной (частной) теории относительности § 34. Преобразования Галилея. Механический принцип относительности
- •§ 35. Постулаты специальной (частной) теории относительности
- •§ 36. Преобразования Лоренца
- •§ 37. Следствия из преобразований Лоренца
- •§ 38. Интервал между событиями
- •§ 39. Основной закон релятивистской динамики материальной точки
- •§ 40. Закон взаимосвязи массы и энергии
- •2 Основы молекулярной физики и термодинамики Глава 8 Молекулярно-кинетическая теория идеальных газов § 41. Статистический и термодинамический методы. Опытные законы идеального газа
- •§ 42. Уравнение Клапейрона — Менделеева
- •§ 43. Основное уравнение молекулярно-кинетической теории идеальных газов
- •§ 44. Закон Максвелла о распределении молекул идеального газа по скоростям и энергиям теплового движения
- •§ 45. Барометрическая формула. Распределение Больцмана
- •§ 46. Среднее число столкновений и средняя длина свободного пробега молекул
- •§ 47. Опытное обоснование молекулярно-кинетической теории
- •§ 48. Явления переноса в термодинамически неравновесных системах
- •§ 48. Вакуум и методы его получения. Свойства ультраразреженных газов
- •Глава 9 Основы термодинамики § 50. Число степеней свободы молекулы. Закон равномерного распределения энергии по степеням свободы молекул
- •§ 51. Первое начало термодинамики
- •§ 52. Работа газа при изменении его объема
- •§ 53. Теплоемкость
- •§ 54. Применение первого начала термодинамики к изопроцессам
- •§ 55. Адиабатический процесс. Политропный процесс
- •§ 56. Круговой процесс (цикл). Обратимые и необратимые процессы
- •§ 57. Энтропия, ее статистическое толкование и связь с термодинамической вероятностью
- •§ 58. Второе начало термодинамики
- •§ 59. Тепловые двигатели и холодильные машины. Цикл Карно и его к. П. Д. Для идеального газа
- •Глава 10 Реальные газы, жидкости и твердые тела § 60. Силы и потенциальная энергия межмолекулярного взаимодействия
- •§ 61. Уравнение Ван-дер-Ваальса
- •§ 62. Изотермы Ван-дер-Ваальса и их анализ
- •§ 63. Внутренняя энергия реального газа
- •§ 64. Эффект Джоуля — Томсона
- •§ 65. Сжижение газов
- •§ 66. Свойства жидкостей. Поверхностное натяжение
- •§ 67. Смачивание
- •§ 68. Давление под искривленной поверхностью жидкости
- •§ 69. Капиллярные явления
- •§ 70. Твердые тела. Моно- и поликристаллы
- •§ 71. Типы кристаллических твердых тел
- •§ 72. Дефекты в кристаллах
- •§ 73. Теплоемкость твердых тел
- •§ 74. Испарение, сублимация, плавление и кристаллизация. Аморфные тела
- •§ 75. Фазовые переходы I и п рода
- •§ 76. Диаграмма состояния. Тройная точка
- •3 Электричество и электромагнетизм Глава 11 Электростатика § 77. Закон сохранения электрического заряда
- •§ 78. Закон Кулона
- •§ 79. Электростатическое поле. Напряженность электростатического поля
- •§ 80. Принцип суперпозиции электростатических полей. Поле диполя
- •§ 81. Теорема Гаусса для электростатического поля в вакууме
- •§ 82. Применение теоремы Гаусса к расчету некоторых электростатических полей в вакууме
- •§ 83. Циркуляция вектора напряженности электростатического поля
- •§ 84. Потенциал электростатического поля
- •§ 85. Напряженность как градиент потенциала. Эквипотенциальные поверхности
- •§ 86. Вычисление разности потенциалов по напряженности поля
- •§ 87. Типы диэлектриков. Поляризация диэлектриков
- •§ 88. Поляризованность. Напряженность поля в диэлектрике
- •§ 88. Электрическое смещение. Теореме Гаусса для электростатического поля в диэлектрике
- •§ 90. Условия на границе раздела двух диэлектрических сред
- •§ 91. Сегнетоэлектрики
- •§ 92. Проводники в электростатическом поле
- •§ 93. Электрическая емкость уединенного проводника
- •§ 94. Конденсаторы
- •§ 95. Энергия системы зарядов, уединенного проводника и конденсатора. Энергия электростатического поля
- •Глава 12 Постоянный электрический ток § 96. Электрический ток, сила и плотность тока
- •§ 97. Сторонние силы. Электродвижущая сила и напряжение
- •§ 98. Закон Ома. Сопротивление проводников
- •§ 99. Работа и мощность тока. Закон Джоуля — Ленца
- •§ 100. Закон Ома для неоднородного участка цепи
- •§ 101. Правила Кирхгофа для разветвленных цепей
- •Глава 13 Электрические токи в металлах, вакууме и газах § 102. Элементарная классическая теория электропроводности металлов
- •§ 103. Вывод основных законов электрического тока в классической теории электропроводности металлов
- •§ 104. Работа выхода электронов из металла
- •§ 105. Эмиссионные явления и их применение
- •§ 106. Ионизация газов. Несамостоятельный газовый разряд
- •§ 107. Самостоятельный газовый разряд и его типы
- •§ 108. Плазма и ее свойства
- •Глава 14 Магнитное поле § 109. Магнитное поле и его характеристики
- •§ 110. Закон Био — Савара — Лапласа и его применение к расчету магнитного поля
- •§ 111. Закон Ампера. Взаимодействие параллельных токов
- •§ 112. Магнитная постоянная. Единицы магнитной индукции и напряженности магнитного поля
- •§ 113. Магнитное поле движущегося заряда
- •§ 114. Действие магнитного поля на движущийся заряд
- •§ 115. Движение заряженных частиц в магнитном поле
- •§ 116. Ускорители заряженных частиц
- •§ 117. Эффект Холла
- •§ 118. Циркуляция вектора в магнитного поляввакууме
- •§ 119. Магнитные поля соленоида и тороида
- •§ 120. Поток вектора магнитной индукции. Теорема Гаусса для поля в
- •§ 121. Работа по перемещению проводника и контура с током в магнитном поле
- •Глава 15 Электромагнитная индукция §122. Явление электромагнитной индукции (опыты Фарадея)
- •§ 123. Закон Фарадея и его вывод из закона сохранения энергии
- •§ 124. Вращение рамки в магнитном поле
- •§ 125. Вихревые токи (токи Фуко)
- •§ 126. Индуктивность контура. Самоиндукция
- •§ 127. Токи при размыкании и замыкании цепи
- •§ 128. Взаимная индукция
- •§ 129. Трансформаторы
- •§ 130. Энергия магнитного поля
- •Глава 16 Магнитные свойства вещества § 131. Магнитные моменты электронов и атомов
- •§ 133. Намагниченность. Магнитное поле в веществе
- •§ 134. Условия на границе раздела двух магнетиков
- •§ 135. Ферромагнетики и их свойства
- •§ 136. Природа ферромагнетизма
- •Глава 17 Основы теории Максвелла для электромагнитного поля § 137. Вихревое электрическое поле
- •§ 138. Ток смещения
- •§ 139. Уравнения Максвелла для электромагнитного поля
- •4 Колебания и волны Глава 18 Механические и электромагнитные колебания § 140. Гармонические колебания и их характеристики
- •§ 141. Механические гармонические колебания
- •§ 142. Гармонический осциллятор. Пружинный, физический и математический маятники
- •§ 143. Свободные гармонические колебания в колебательном контуре
- •§ 144. Сложение гармонических колебаний одного направления и одинаковой частоты. Биения
- •§ 145. Сложение взаимно перпендикулярных колебаний
- •§ 146. Дифференциальное уравнение свободных затухающих колебаний (механических и электромагнитных) и его решение. Автоколебания
- •§ 147. Дифференциальное уравнение вынужденных колебаний (механических и электромагнитных) и его решение
- •§ 148. Амплитуда и фаза вынужденных колебаний (механических и электромагнитных). Резонанс
- •§ 148. Переменный ток
- •§ 150. Резонанс напряжений
- •§ 151. Резонанс токов
- •§ 152. Мощность, выделяемая в цепи переменного тока
- •Глава 19 Упругие волны § 153. Волновые процессы. Продольные и поперечные волны
- •§ 154. Уравнение бегущей волны. Фазовая скорость. Волновое уравнение
- •§ 155. Принцип суперпозиции. Групповая скорость
- •§ 156. Интерференция волн
- •§ 157. Стоячиеволны
- •§ 158. Звуковые волны
- •S159. Эффект Доплере в акустике
- •§ 160. Ультразвук и его применение
- •Глава 20 Электромагнитные волны § 161. Экспериментальное получение электромагнитных волн
- •§ 162. Дифференциальное уравнение электромагнитной волны
- •§ 163. Энергия электромагнитных волн. Импульс электромагнитного поля
- •§ 164. Излучение диполя. Применение электромагнитных волн
- •5 Оптика. Квантовая природа излучения Глава 21 Элементы геометрической и электронной оптики § 165. Основные законы оптики. Полное отражение
- •§ 166. Тонкие линзы. Изображение предметов с помощью линз
- •§ 187. Аберрации (погрешности) оптических систем
- •§ 168. Основные фотометрические величины и их единицы
- •§ 189. Элементы электронной оптики
- •Глава 22 Интерференция света § 170. Развитие представлений о природе света
- •§ 171. Когерентность и монохроматичность световых волн
- •§ 172. Интерференция света
- •§ 173. Методы наблюдения интерференции света
- •§ 174. Интерференция света в тонких пленках
- •§ 175. Применение интерференции света
- •Глава 23 Дифракция света § 176. Принцип Гюйгенса — Френеля
- •§ 177. Метод зон Френеля. Прямолинейное распространение света
- •§ 178. Дифракция Френеля на круглом отверстии и диске
- •§ 178. Дифракция Фраунгофера на одной щели
- •§ 180. Дифракция Фраунгофера на дифракционной решетке
- •§ 181. Пространственная решетка. Рассеяние света
- •§ 182. Дифракция на пространственной решетке. Формула Вульфа — Брэггов
- •§ 183. Разрешающая способность оптических приборов
- •§ 184. Понятие о голографии
- •Глава 24 Взаимодействие электромагнитных волн с веществом § 185. Дисперсия света
- •§ 186. Электронная теория дисперсии светя
- •§ 187. Поглощение (абсорбция) света
- •§ 188. Эффект Доплера
- •§ 189. Излучение Вавилова — Черенкова
- •Глава 25 Поляризация света § 190. Естественный и поляризованный свет
- •§ 191. Поляризация света при отражении и преломлении на границе двух диэлектриков
- •§ 192. Двойное лучепреломление
- •§ 193. Поляризационные призмы и поляроиды
- •§ 194. Анализ поляризованного света
- •§ 195. Искусственная оптическая анизотропия
- •§ 196. Вращение плоскости поляризации
- •Глава 26 Квантовая природа излучения § 197. Тепловое излучение и его характеристики
- •§ 188. Закон Кирхгофа
- •§ 199. Законы Стефана — Больцмана и смещения Вина
- •§ 200. Формулы Рэлея — Джинса и Планка
- •§ 201. Оптическая пирометрия. Тепловые источники света
- •§ 202. Виды фотоэлектрического эффекта. Законы внешнего фотоэффекта
- •§ 203. Уравнение Эйнштейна для внешнего фотоэффекта. Экспериментальное подтверждение квантовых свойств света
- •§ 204. Применение фотоэффекта
- •§ 205. Масса и импульс фотона. Давление света
- •§ 206. Эффект Комптона и его элементарная теория
- •§ 207. Единство корпускулярных и волновых свойств электромагнитного излучения
- •6 Элементы квантовой физики атомов, молекул и твердых тел Глава 27 Теория атома водорода по Бору § 208. Модели атома Томсона и Резерфорда
- •§ 209. Линейчатый спектр атома водорода
- •§ 210. Постулаты Бора
- •§ 211. Опыты Франка и Герца
- •§ 212. Спектр атома водорода по Бору
- •Глава 28 Элементы квантовой механики § 213. Корпускулярно-волновой дуализм свойств вещества
- •§ 214. Некоторые свойства волн да Бройля
- •§ 215. Соотношение неопределенностей
- •§ 216. Волновая функция и ее статистический смысл
- •§ 217. Общее уравнение Шредингера. Уравнение Шредингера для стационарных состояний
- •§ 218. Принцип причинности в квинтовой механике
- •§ 219. Движение свободной частицы
- •§ 220. Частице в одномерной прямоугольной «потенциальной яме» с бесконечно высокими «стенками»
- •§ 221. Прохождение частицы сквозь потенциальный барьер. Туннельный эффект
- •§ 222. Линейный гармонический осциллятор в квантовой механике
- •Глава 29 Элементы современной физики атомов и молекул § 223. Атом водорода в квантовой механике
- •§ 225. Спин электрона. Спиновое квантовое число
- •§ 226. Принцип неразличимости тождественных частиц. Фермионы и бозоны
- •§ 227. Принцип Паули. Распределение электронов в атоме по состояниям
- •§ 228. Периодическая система элементов Менделеева
- •§ 229. Рентгеновские спектры
- •§ 230. Молекулы: химические связи, понятие об энергетических уровнях
- •§ 231. Молекулярные спектры. Комбинационное рассеяние света
- •§ 232. Поглощение. Спонтанное и вынужденное излучения
- •§ 233. Оптические квантовые генераторы (лазеры)
- •Глава 30 Элементы квантовой статистики § 234. Квантовая статистика. Фазовое пространство. Функция распределения
- •§ 235. Понятие о квантовой статистике Бозе — Эйнштейна и Ферми — Дирака
- •§ 236. Вырожденный электронный газ в металлах
- •§ 237. Понятие о квантовой теории теплоемкости. Фононы
- •§ 238. Выводы квантовой теории электропроводности металлов
- •§ 239. Сверхпроводимость. Понятие об эффекте Джозефсона
- •Глава 31 Элементы физики твердого тела § 240. Понятие о зонной теории твердых тел
- •§ 241. Металлы, диэлектрики и полупроводники по зонной теории
- •§ 242. Собственная проводимость полупроводников
- •§ 243. Примесная проводимость полупроводников
- •§ 244. Фотопроводимость полупроводников
- •§ 245. Люминесценция твердых тел
- •§ 246. Контакт двух металлов по зонной теории
- •§ 247. Термоэлектрические явления и их применение
- •§ 248. Выпрямление на контакте металл — полупроводник
- •§ 249. Контакт электронного и дырочного полупроводников (p-n-переход)
- •§ 250. Полупроводниковые диоды и триоды (транзисторы)
- •7 Элементы физики атомного ядра и элементарных частиц Глава 32 Элементы физики атомного ядра § 251. Размер, состав и заряд атомного ядра. Массовое и зарядовое числа
- •§ 252. Дефект массы и энергия связи ядра
- •§ 253. Спин ядра и его магнитный момент
- •§ 254. Ядерные силы. Модели ядра
- •§ 255. Радиоактивное излучение и его виды
- •§ 256. Закон радиоактивного распада. Правила смещения
- •§ 257. Закономерности-распада
- •§ 259. Гамма-излучение и его свойства
- •§ 260. Резонансное поглощение-излучения (эффект Мёссбауэра*)
- •§ 261. Методы наблюдения и регистрации радиоактивных излучений и частиц
- •§ 262. Ядерные реакции и их основные типы
- •§ 264. Открытие нейтрона. Ядерные реакции под действием нейтронов
- •§ 265. Реакция деления ядра
- •§ 266. Цепная реакция деления
- •§ 267. Понятие о ядерной энергетике
- •§ 268. Реакция синтеза атомных ядер. Проблема управляемых термоядерных реакций
- •Глава 33 Элементы физики элементарных частиц § 269. Космическое излучение
- •§ 270. Мюоны и их свойства
- •§ 271. Мезоны и их свойства
- •§ 272. Типы взаимодействий элементарных частиц
- •§ 273. Частицы и античастицы
- •§ 274. Гипероны. Странность и четность элементарных частиц
- •§ 275. Классификация элементарных частиц. Кварки
- •Заключение
- •Оглавление
§ 242. Собственная проводимость полупроводников
Полупроводниками являются твердые тела, которые при Т=0 характеризуются полностью занятой электронами валентной зоной, отделенной от зоны проводимости сравнительно узкой (Епорядка 1 эВ) запрещенной зоной (рис. 314, г). Своим названием они обязаны тому, что их электропроводность меньше электропроводности металлов и больше электропроводности диэлектриков.
В природе полупроводники существуют в виде элементов (элементы IV, V и VI групп Периодической системы элементов Менделеева), например Si,Ge,As,Se, Те, и химических соединений, например оксиды, сульфиды, селениды, сплавы элементов различных групп. Различаютсобственныеипримесные полупроводники.Собственными полупроводникамиявляются химически чистые полупроводники, а их проводимость называется собственной проводимостью. Примером собственных полупроводников могут служить химически чистые Ge, Se, а также многие химические соединения:InSb,GaAs,CdSи др.
При 0 К и отсутствии других внешних факторов собственные полупроводники ведут себя как диэлектрики. При повышении же температуры электроны с верхних уровней валентной зоны I могут быть переброшены на нижние уровни зоны проводимости II (рис. 315). При наложении на кристалл электрического поля они перемещаются против поля и создают электрический ток. Таким образом, зона II из-за ее частичного «укомплектования» электронами становится зоной проводимости. Проводимость собственных полупроводников, обусловленная электронами, называется электронной проводимостьюилипроводимостью n-типа(от лат.negative— отрицательный).
В результате тепловых забросов электронов из зоны I в зону II в валентной зоне возникают вакантные состояния, получившие название дырок.Во внешнем электрическом поле на освободившееся от электрона место — дырку — может переместиться электрон с соседнего уровня, а дырка появится в том месте, откуда ушел электрон, и т. д. Такой процесс заполнения дырок электронами равносилен перемещению дырки в направлении, противоположном движению электрона, так, как если бы дырка обладала положительным зарядом, равным по величине заряду электрона. Проводимость собственных полупроводников, обусловленная квазичастицами — дырками, называется дырочной проводимостьюили проводимостью p-типа(от лат.positive— положительный).
Таким образом, в собственных полупроводниках наблюдаются два механизма проводимости: электронный и дырочный. Число электронов в зоне проводимости равно числу дырок в валентной зоне, так как последние соответствуют электронам, возбужденным в зону проводимости. Следовательно, если концентрации электронов проводимости и дырок обозначить соответственно пe,иnр, то
(242.1)
Проводимость полупроводников всегда является возбужденной,т. е. появляется только под действием внешних факторов (температуры, облучения, сильных электрических полей и т. д.).
В собственном полупроводнике уровень Ферми находится в середине запрещенной зоны (рис. 316). Действительно, для переброса электрона с верхнего уровня валентной зоны на нижний уровень зоны проводимости затрачивается энергия активации,равная ширине запрещенной зоныE. При появлении же электрона в зоне проводимости в валентной зоне обязательно возникает дырка. Следовательно, энергия, затраченная на образование пары носителей тока, должна делиться на две равные части. Так как энергия, соответствующая половине ширины запрещенной зоны, идет на переброс электрона и такая же энергия затрачивается на образование дырки, то начало отсчета для каждого из этих процессов должно находиться в середине запрещенной зоны. Энергия Ферми в собственном полупроводнике представляет собой энергию, от которой происходит возбуждение электронов и дырок.
Вывод о расположении уровня Ферми в середине запрещенной зоны собственного полупроводника может быть подтвержден математическими выкладками. В физике твердого тела доказывается, что концентрация электронов в зоне проводимости
(242.2)
где E2—энергия, соответствующая дну зоны проводимости (рис. 316),ЕF — энергия Ферми,Т —термодинамическая температура,С1 —постоянная, зависящая от температуры и эффективной массы электрона проводимости. Эффективная масса— величина, имеющая размерность массы и характеризующая динамические свойства квазичастиц — электронов проводимости и дырок. Введение в зонную теорию эффективной массы электрона проводимости позволяет, с одной стороны, учитывать действие на электроны проводимости не только внешнего поля, но и внутреннего периодического поля кристалла, а с другой стороны, абстрагируясь от взаимодействия электронов проводимости с решеткой, рассматривать их движение во внешнем поле как движение свободных частиц.
Концентрация дырок в валентной зоне
(242.3)
где С2— постоянная, зависящая от температуры и эффективной массы дырки,Е1 —энергия, соответствующая верхней границе валентной зоны. Энергия возбуждения в данном случае отсчитывается вниз от уровня Ферми (рис. 316), поэтому величины в экспоненциальном множителе (242.3) имеют знак, обратный знаку экспоненциального множителя в (242.2). Так как для собственного полупроводникапe=np (242.1), то
Если эффективные массы электронов и дырок равны ( ), тоС1=С2и, следовательно,–(E2–EF)= =E1–EF,откуда
т. е. уровень Ферми в собственном полупроводнике действительно расположен в середине запрещенной зоны.
Taк как для собственных полупроводниковE>>kT,то распределение Ферми — Дирака (235.2) переходит в распределение Максвелла — Больцмана. Положив в (236.2)E–EF E/2,получим
(242.4)
Количество электронов, переброшенных в зону проводимости, а следовательно, и количество образовавшихся дырок пропорциональны N(Е).Таким образом, удельная проводимость собственных полупроводников
(242.5)
где 0— постоянная, характерная для данного полупроводника.
Увеличение проводимости полупроводников с повышением температуры является их характерной особенностью (у металлов с повышением температуры проводимость уменьшается). С точки зрения зонной теории это обстоятельство объяснить довольно просто: с повышением температуры растет число электронов, которые вследствие теплового возбуждения переходят в зону проводимости и участвуют в проводимости. Поэтому удельная проводимость собственных полупроводников с повышением температуры растет.
Если представить зависимость lnот 1/T, то для собственных полупроводников — это прямая (рис. 317), по наклону которой можно определить ширину запрещенной зоныЕ,а по ее продолжению —0(прямая отсекает на оси ординат отрезок, равныйln0).
Одним из наиболее широко распространенных полупроводниковых элементов является германий, имеющий решетку типа алмаза, в которой каждый атом связан ковалентными связями (см. § 71) с четырьмя ближайшими соседями. Упрощенная плоская схема расположения атомов в кристалле Geдана на рис. 318, где каждая черточка обозначает связь, осуществляемую одним электроном. В идеальном кристалле при 0 К такая структура представляет собой диэлектрик, так как все валентные электроны участвуют в образовании связей и, следовательно, не участвуют в проводимости.
При повышении температуры (или под действием других внешних факторов) тепловые колебания решетки могут привести к разрыву некоторых валентных связей, в результате чего часть электронов отщепляется и они становятся свободными. В покинутом электроном месте возникает дырка (она изображена белым кружком), заполнить которую могут электроны из соседней пары. В результате дырка, так же как и освободившийся электрон, будет двигаться по кристаллу. Движение электронов проводимости и дырок в отсутствие электрического поля является хаотическим. Если же на кристалл наложить электрическое поле, то электроны начнут двигаться против поля, дырки— по полю, что приведет к возникновению собственной проводимости германия, обусловленной как электронами, так и дырками.
В полупроводниках наряду с процессом генерации электронов и дырок идет процесс рекомбинации:электроны переходят из зоны проводимости в валентную зону, отдавая энергию решетке и испуская кванты электромагнитного излучения. В результате для каждой температуры устанавливается определенная равновесная концентрация электронов и дырок, изменяющаяся с температурой согласно выражению (242.4).